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1、电压源型单相全桥逆变电路的设计说明书12020 年 4 月 19 日文档仅供参考，不当之处，请联系改正。电压源型单相全桥逆变电路的设计摘要电力电子技术是建立在电子学、电工原理和自动控制三大学科上的新兴学科。因它本身是大功率的电技术，又大多是为应用强电的工业服务的，故常将它归属于电工类。电力电子技术的内容主要包括电力电子器件、电力电子电路和电力电子装置及其系统。电力电子器件以半导体为基本材料，最常见的材料为单晶硅；它的理论基础为半导体物理学；它的工艺技术为半导体器件工艺。近代新型电力电子器件中大量应用了微电子学的技术。电力电子电路吸收了电子学的理论基础，根据器件的特点和电能转换的要求，又开发出许
2、多电能转换电路。这些电路中还包括各种控制、触发、保护、显示、信息处理、继电接触等二次回路及外围电路。利用这些电路，根据应用对象的不同，组成了各种用途的整机，称为电力电子装置。这些装置常与负载、配套设备等组成一个系统。电子学、电工学、自动控制、信号检测处理等技术常在这些装置及其系统中大量应用。本次课程设计的题目是IGBT 单相电压型全桥无源逆变电路设计（阻感负载），根据电力电子技术的相关知识，单相桥式逆变电路是一种常见的逆变电路，与整流电路相比较，把直流电变成交流电的电22020 年 4 月 19 日文档仅供参考，不当之处，请联系改正。路成为逆变电路。当交流侧接在电网上，称为有源逆变；当交流侧直
3、接和负载相接时，称为无源逆变.逆变电路在现实生活中有很广泛的应用。在已有的各种电源中，蓄电池、干电池、太阳能电池等都是直流电源，当需要这些电源向交流负载供电时，就需要逆变电路。关键词：单相，电压型，逆变32020 年 4 月 19 日文档仅供参考，不当之处，请联系改正。目 录摘要 .1. 工作原理 .11. 1 IGBT的简述 .11.1.1IGBT模块的选择 .21.1.2使用中注意事项 .21.1.3 IGBT 的特性和参数特点 .31.1.4 、功率二极管的参数 .41.2逆变电路的基本工作原理 .41.3电压型逆变电路的特点及主要类型 .51.4IGBT 单相电压型全桥无源逆变电路原理
4、分析 .62. 软件简介 .82.1介绍 .82.2应用领域.92.3应用优势.92.4电路结构.93. 电路总体设计.103.1总体电路图 .103.2确定各器件参数，设计电路部分原理图 .104 .触发电路的设计 .145.工作过程及参数设定 .155.1180 调压.155.1.1工作过程 .155.1.2参数设定 .165.2移相调压.185.2.1工作过程 .185.2.2参数设定 .185.3仿真波形分析 .206. 心得体会 .21参 考 文 献 .2342020 年 4 月 19 日文档仅供参考，不当之处，请联系改正。52020 年 4 月 19 日文档仅供参考，不当之处，请联
5、系改正。1. 工作原理1. 1 IGBT的简述绝缘栅双极晶体管（Insulated-gate Bipolar Transistor） , 英文简写为IGBT。它是一种典型的全控器件。它综合了GTR 和 MOSFET的优点，因而具有良好的特性。现已成为中、大功率电力电子设备的主导器件。 IGBT 是三端器件，具有栅极G、集电极C 和发射极E。它能够看成是一个晶体管的基极经过电阻与MOSFET相连接所构成的一种器件。其等效电路和电气符号如下：图 1-1 IGBT等效电路和电气图形符号它的开通和关断是由栅极和发射极间的电压所决定的。当UGE为正且大于开启电压UGE时， MOSFET内形成沟道，并为晶体管提供基12020 年 4 月 19 日