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1、 電 子 技 術 講 議 1 二极體 二极體(管)是電子電路中應用很廣泛的電子元件,本節介紹二极管的微觀特征,電學特性及簡單的電路應用.1.1二极體的微觀特征1)P-N結 制造半導體的常用材料為單晶硅和單晶鍺,這種由單一的硅(或鍺)原子構成的晶體稱為本征半導體. 硅和鍺都是四價元素,成晶體時每個原子外層的四個價電子都與鄰近的原子形成共價鍵的結構,示意圖如下:處于共價健上的某些電子在接受外界能量后可以脫離共價鍵的束縳成為自由電子.價電子脫離束縳成為自由電子后該電子原來位置上會出現一個空位,這個空位稱為空穴,空穴表示在該處缺少了一個電子. 丟失電子的原子顯正電,稱為正離子,故在分析時信人空穴是一個
2、帶正電的粒子.在本征半導體內,自由電子和空穴是成對出現的,自由電子帶負電,空穴帶正電.二者所帶電量相等,符號相反.自由電子和空穴都是載運電荷的粒子,稱為荷流子. 自由電子和空穴在電場力的作用下產生定向運動,載流子在電場力作用下的定向運動稱為漂移運動.本征半導體內的電流就是由這樣兩種載流子的漂移運動形成的.在本征半導體內參與導電的粒子有兩種-自由電子和空穴. 在本征半導體內,脫離共價鍵的電子成為自由電子后也可能填補某個代穴,使離子恢復電中性,這個過程稱為復合. 一般情況下本征半導體內的載流子數目有限,為增強它的導電性,可以在本征半導體內摻雜,以提高導電能力.向硅(或鍺)單晶體內注入少量雜質元素后
3、可使它的導電性能提高.例如,向硅單晶體內注入五價的砷(或磷)雜質元素后,注入的砷原子在硅單晶內取代某些硅原子的位置並與其它硅原子結成共價鍵.因砷原子外層有五個價電子,因此每注入一個砷原子就會多佘一個電子,如下圖.而注入的砷原子失去一個電子后就成為固定在晶格中不能移動動的正離子. 本征半導體注入五價原子越多半導體內的自由電子數也越多,導電性能得到改善. 摻入五價雜質的半導體,其自由電子的數目要比空穴數目多出許多,載流子中自由電子占多數,空穴占少數.這種多數載流子是自由電子的摻雜半導體稱為N型半導體.用上圖b)表示,符號的意思是,每注入一個五價的砷原子就會出現一個帶正電的離子和一個自由電子.因此,
4、N型半導體從總體上看仍然是電中性的. 為增強本征半導全的導電性,也可以向它注入三價元素的鋁(或硼).注入的鋁原子了取代了某些硅原子的位置,如下圖a)所示,每注入一個鋁原子就會出現一個空穴,當鄰近的價電子填補這個空穴后,使得注入的雜質原子成為帶負電的離子,同時出現一個空穴.本征半導體摻入三價元素的雜質后,多數載流子是空穴,自由電子是少數,多數載流子是空穴的半導體稱為p型半導體,P型半導體的符號如圖b)所示,符號的意思昌每注入一個三價鋁原子就會出現一個帶負電的離子和一個空穴.同樣p型半導體從總體看仍然是電中性的.2)P-N結的形成 當P型半導體和N型半導體通過物理,化學的方法有機的結為一體后,在兩
5、種半導體的交界處就形成了P-N結.P-N結具有非線性電阻的持性,可以制成整流元件,並且是構成多種半導體器件的基礎. P-N結的形成與特性如下:當P型半導體與N型半導體共處一體后,在它們的交界處兩邊電子,空穴的膿度不同,N區多電子,P區多空穴,因此N型區內的電子要向P型區擴散,P型區的空穴要向N型區擴散.擴散首先是從交界面處開始的,N型區內的電子擴散到P型區后與空穴復合,N型區減少了電子,因此在N型區的一側出現了帶正電的粒子層,這層帶正電的粒子就是處于N型半導體共價鍵上失去一個自由電子的原子,它們是不能移動的正離子.同樣,在交界面P型區一側要出現帶負電的粒子層,隨著電子空穴的擴散,交界面兩側帶電
6、層逐漸增厚形成一個空間電荷區,如下圖所示,N型區帶正電,P型區囊負電. 空間電荷區產生后,在半導體內部出現內電場,內電場的方向從N區指向P區.內電場的出現使載流子在電場力的作用下要產生漂移運動,內電場使得P型區內的電子返回N型區.當空間帶電區域比較薄時內電場較弱,載流子的擴散運動中于漂移運動,但隨著擴散的過行,空間電荷區的厚度增加,內電場加強,使擴散運動減弱,漂移運動加強,最后將導致載流子的擴散運動與漂運動達到動態平衡,即從N型區擴散到P型區的電子數目與從P型區漂移到N型區的電子數相等,通過交界面的凈載流子數目為零,這時空間電荷區的寬度不再增加.空間電荷區內已不存在載流子,因而又稱這個空間為耗
7、盡層. 在半導體內部出現的空間電荷區產生的內電場阻止多數載流子繼續擴散,稱這個囊電區域為阻擋層或P-N結,P-N結具有單向導電性.1.2半導體二极體及其V-A特性 半導體二极體的核心部分是一個P-N結.在P-N結兩端加上電极引線和管殼就制成了一個半導體二极管.二极管的符號如下圖示,1) 二极體的正向接法與反向接法 正向接法:如果將電源的高電位接在二极管的P型區電极,低電位接在N型區電极,如下圖,這種接法稱為二极管的正向接法. 半導體二极管在正向接法下,外電場的方向與P-N結內電場方向相反,在正向電作用下將使空間電荷區變薄,內電場減弱,這就使多數載流子的擴散運動強于漂移運動,多數載流子能不斷地越
8、過交界面,這些載流子在正向電壓的作用下形成十极體的正向電流. 關導體二极管加入正向電壓后內電場被削弱,因此管子的正向電壓UF較低,約1V左右(大電流二极管超過1V,小電流二极管低于1V),正向接法時二极管電流較大,因此管子在正向導電時表現出的電阻較小. 反向接法:如果將電源的高電位接在二极管N型區電极,低電位接在P型區電极,這種接法稱為二极管的反向接法.二极管加反向電壓后,空間電荷區會增寬,內電場增強,多數載流子的擴散運動不能進行,這時只有P型區和N型區內的少數載流子在電場力的作用下產生漂移運動.因此反向接法下的二极管電流极小,這個電流稱為二极管的反向電流.半導體二极管的反向電流由少數載流子的
9、漂移運動產生,在半導體內少數載流子的數目基本上也維持一定,因此在一定的溫度下,二极管反向電流在一定的反向電壓范圍內不隨反向電壓的改變而發生改變,故稱二极管的反向電流為反向飽和電流IS.2) 二极管的V-A特性 由半導體物理的理論得出半導體二极體的電流與電壓之間有如下關系: I=IS(eu/Ut-1) I-二极體的電流 IS-反向飽和電流 U-作用在二极體在的電壓,正向接法時V0,反向接法時VUT,則eu/Ut1,正向接法下二极管的電流IF=ISeU/UT,即二极體的正向電流IF與正向電壓成指數關系. 根據上式作出的半導體二极體正向V-A特性曲線如右圖1所示,但實際測出的二极管V-A特性曲線為曲
10、線2所示.即二极體正向導電時,必須克服一定的閥值電壓(又稱死區電壓)后,才開始導電.正向電壓低于閥值地,二极體的正向民流也是很小的.鍺二极體的閥值電壓為(0.10.2)V,硅一极體的閥值電壓為0.5V左右. 二极體在反向電壓的作用下,若絕對值UUT,則eu/Ut=0,因此反向電流IR=IS,二极體的反向電流在一定的環境溫度下和一定的反向電壓數值內幾乎不隨反向電壓的變化而變化.反向電壓超過一定的大小,造成反向民流迅速增大的現象稱為電擊穿.產生電擊穿的反向電壓值稱為二极體的擊穿電壓UR BR.為防止二极體出現電擊穿,允許施加于二极體的最高反向工作電壓UR為擊穿電壓值的二分之一.1.3半導體器件型號
11、命名方法(GB249-74) 國標規定半導體器件的型號由五個部分組成:第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分2-表二极體A-N型鍺材料B-P型鍺材料C-N型硅材料D-P型硅材料(用漢語拼音表示)P-普通管 X-低頻小功率管V-微波管 (fHFb3MHZ,PC3MHZ,PCVBVE時,發射結正向偏置,集電結反向偏置,發射結正向偏置使得發散已的多數載流子(電子)能夠向基區擴散,電子進入基區以后一部分與基區內空穴復合.復合的這部分電子在電壓UBB的作用下,形成基極電流IB. 通常三極管的基區制作的很薄(只有幾個或十幾個微米)而且載流子數目很少,所以從發射區擴散到基區的電子,在基區內繼續擴散的過程中
12、有很少的一部分與基區內的空穴復合,大部分聚集在集電結的P區一側.形成集電極電流IC.三極管三個電極電流之間的關系為:IB+IC=IE. 一般情況下,三極管集電極電流IC比基極電流IB大很多,這兩個電流之比稱為三極管靜態電流放大系數.用表示即=IC/IB.集電極電流變化量IB之比,稱為三極管動態電流放大系數.用表示即: =IC/IB 改變三極管發射結正向偏置電壓UBE可以改變基極電流IB.當基極電流有IB的變化時.三極管的集電極電流IC就會有IC=iB的變化.這就是通常所說的三極管的電流放大的作用.2.2三極管的主要參數 三極管的參數用來表明它的性能以及適用范圍,為使用三極管提供依據.三極管的參
13、數很多,主要有幾下幾項:1 電流放大系數三極管制成之后值也就確定了.一般三極管值范圍很大,通常使用的三極管值在20到100之間(大功率三極管值較低,一般值只有20-30之間)三極管的值太小,電流放大作用差,但值過高(100以上)管子性能受到環境溫度影響較大.性能不穩定.三極管值過高或過低均不合適.2 穿透電流Iceo穿透電流的大小是衡量三極管質量的一個指標.穿透電流過大,三極管不受控制的電流成分增大,管子的性能下降.穿透電流受環境溫度變化影響很大溫度升高Iceo增大.當Ib=0時,三極管工作在截止區.三極管工作時Ube 極限參數a 集電極最大允許電流ICM.三極管在使用時,集電極電流Ic過大會
14、損壞三極管,即使管子燒毀,三極管的值也會大大降低,通常將值下降到額定值為2/3時所對應的集電極電流Ic之值稱為集電極最大允許電流ICM.一般小功率三極管ICM約數十毫安.大功率三極管的ICM可達數安以上.b 集電極-發射极間的擊穿電壓UBR CE:三極管的UCEUBR CE時,集電極電流Ic會突然增大,這表明三極管已被擊穿.c 集電極最大允許耗散功率PCM;最大耗散功率值取決于三極管允許的溫升.三極管工作的消耗的功率PC=UCEIc,消耗功率過大,溫升過高會燒壞三極管.一般硅管最高使用溫度約150,鍺管約為70.3場效應管放大器 場效應管是另一類型的半導體器體.工作原理與前面的三極管不同.三極
15、管是通過基極電流的變化來控制集電極電流的改變,它是個電流控制元件.三極管工作時信號源要向基極提供電流,因此三極管放大器輸入電阻不高.而場效應管是電壓控制元件.工作時不需要從信號源汲取電流,所以顯示出極高的輸入電阻.3.1分類1)結型場效應管2)絕緣柵型場效應管(即MOS管):是由金屬(Metal),氧化物絕緣材料(oxide)和半導體(semiconductor)三種物質構成.按導電溝道載流子的不同,MOS場效應管分NMOS(N溝道-載流子為電子)及PMOS(P溝道-載流子為空穴).4繼電器 繼電器廣泛應用于生產過程自動化的控制系統及電動機的保護系統.繼電器主要用通斷控制電路.繼電器的觸頭通斷
16、的電流值比接觸器的小,沒有弧裝置.繼電器的另一個特點是其輸入信號可以是電信號(如電壓電流)也可以是非電信號(如溫度壓力等)但輸出量與接觸器相同.都是觸頭的動作.繼電器的品種很多,按動作原理分類如下:1 電壓繼電器及中向繼電器:這類繼電器當它的吸引線圈上的所作用的電壓值達到規定值時動作.電壓繼電器主要作為電動機失壓或欠壓保護作用.中間繼電器的觸頭數量較多,通過它可以增加控制路數或起信號放大作用.2 電流繼電器:結構與電壓繼電器類似.只有當它的吸引線圈中的電流達到規定值時,觸頭動作.電流繼電器的吸引線圈通常串聯于被控電路中.主要用于過載及短路保護或直流電機磁場控制及失磁保護等.3 時間繼電器:特點
17、是:因吸引線圈得到信號起至觸頭動作中間有一段延時時間.一般用于以物內力函數電動機起動過程控制.4 熱繼電器:特點是,通過受熱元件產生的機械變形.推動機均動作至開閉觸頭.這種種電器用于負載的過載保護.5電阻器5.1概述 金屬導體中的電流是自由電子的定向移動形成的.自由電子在運動中要跟金屬正離子頻繁碰撞,這種碰撞阻礙了自由電子的定向移動,表示這種阻礙作用物理量叫做電阻.同金屬導體一樣.其它物體也有電阻. 在保持溫度20不變的條件下,實際結果表明,當導體材料均勻.橫截面積相同時,導體的電阻跟它的長度L成正比,向跟它的橫截面積S成反比.即R=l/S上式稱為電阻定律.式中例系數叫做導體的電導率.單位是(
18、m) . 只跟導體材料的性質和導體所處的條件如溫度有關.根據的大小分類: 導體: 10-7m,如石英塑料 半導體: 10-6 合成電阻器:合成電阻器又稱實芯電阻器.它是用石墨粉作導電材料,用半紅石棉或石英作填充劑.加上粘合劑,裝上引線后,在模具內壓制成形,經熱處理后成為堅固的實芯電阻體.外層噴漆和標上阻值就制成了合成電阻器.改變石墨粉的比例就可以改變電阻值的大小.合成電阻器的可靠性高,體積較小,易于自動化生產價格低.缺點是穩定性較差,噪聲也較大.一般用于要求不高的電路中.2 薄膜電阻器:薄膜電阻器是在一個絕緣體(一般是圓柱形瓷棒上)上真空噴鍍一層導電薄膜或通過化學熱分解的方法淀積一層導電膜,加
19、上引線,噴上保護漆而制成的.薄膜電阻器的阻值可通過鍍膜厚度來控制,更多是用刻槽的辦法來控制.將鍍好膜的瓷棒夾在刻槽上,瓷棒開始旋轉,用刻刀把薄膜刻成螺旋狀,刻的越細趙長,陰值就越大.常用的薄膜電阻器有碳膜,氧化膜和金屬膜.因而有碳膜電阻器氧化膜電阻器和金屬膜電阻器之分.碳膜電阻器(RT)體積小,重量輕,穩定性和精度都較高.噪聲較小,自身電感較小,可用于數百MHZ以下的電路中.功率一般在ZW以下.它又分超小型.小型.測量用等幾種.金屬膜電阻器(RT)精度高,噪聲小溫充系數小,能耐較高的溫度,功率容量比較大,相同的功率等級體積要比碳膜電阻小.氧化膜電阻(RY)在高溫下的化學性質穩定,更容易制成低阻
20、值的電阻器.3 線繞電阻器:是在絕緣體上用高電阻率的金屬線繞制而成.它在較寬的溫度范圍內有很小的溫度系數.耐高溫,功率容量大,可制成大功率精密電阻器.缺點是自電感較大不宜用于高頻電路中.5.3電阻器的型號 部標電阻器的型號由四部分組成.第一部分是主稱,用R表示,第二部分代表電阻件的材如下表,第三部分代表類別,第四部分為序號 電阻器的型號第一部分第二部分第三部第四部分R-電阻器T-碳膜H-合成膜S-有機實芯N-無機實芯J-金屬膜Y-氧化膜C-化學沉積膜I- 玻璃釉膜X-線繞0 9-特殊 1- 普通 G-高功率2- 普通 W-徽調3- 超高阻 T-可調4- 高阻 D-多圈 5- 高阻67-精密8-
21、高壓數字序號5.4電阻器的參數1 容許誤差:固定電阻器的容許誤差一般分為八級(N級很少用)容許誤差文字符號標稱值系列+0.1%BE192+0.25%CE192+0.50%DE192+1%FE96+2%GE48(100,105,110,115,121,127,133,140,147,154,162,169,178)+5%JE24(1.0 1.1 1.2 1.3 1.5 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.7 3.0 3.3 3.6 3.9 4.3 4.7 5.1 5.6 6.2 6.8 7.5 8.2 9.1) +10%KE12(1.0 1.2 1.5 1.8 2.2 2.7 3.3 3
22、.9 4.7 5.6 6.8 8.2)+20%ME6(1.0 1.5 2.2 3.3 4.7 6.8)+30%N2 標稱電阻值:即電阻器的電阻值一般按規定的阻值系列制造.如上圖3 標稱功率:電阻體通過電流后就要發熱,溫度太高就要燒毀.根據電阻器的制造材料的情況和使用環境.對電阻器的功率損耗要有一定的限制,以保証其它工作的功率值.這就是電阻器的標稱功率.4 最大工作電壓:指電阻器不發生電擊穿,放電等有害現象的.其兩端所允許加的最大工作電壓Um.由標稱功率和標稱值可以計算出一個電阻器在達到滿功率時,它兩端所允許加的電壓Up.實際工作電阻兩湍所加的電壓可能超過Um,也可能超過Up.5 溫度系數:溫度
23、的變化會引起電阻值的變化.溫度系數是每變化1產生的電阻值的變化量,與標準溫度下(一般為25)的電阻值之比,單位為1/表達式為: 溫度系數可正(PTC)可負(NTC)可以是線性的,也可以是非線性的.6 噪聲:電阻器的噪聲是產生于電阻器中的一種不規則的電壓起伏.它主要包括導體中電子的不規則熱運動引起的熱噪聲,熱噪聲是不可消除的.通過電阻器的電流起伏會引起電流噪聲.5.5標稱值與色環標記. 電阻器的誤差等級有E6 E12 E24分別對應+/-20% +/-10% +/-5%三個誤差等級.分別有6個12個24個標稱值.高精度的電阻器則有E48 E96和E192等三個誤差系列.分別對應+/-2% +/-
24、1% +/-0.5%三個誤差等級,高于+/-0.5%的也可使用E192誤差等級. 電阻器的標稱阻值也可以用色環標記.即用不同的顏色來代表不同的數字.見下表,一般有四環和五環兩種表示法.四環適用于5%及更大的誤差,五環適用于2%及更小誤差的電阻器.色環左第一位的顏色代表有效數字的高位.左第二位的顏色代表有效數字的次高位.四環第三環代表倍率.即在有效數字后加幾個零.左面第一環代表誤差.見下圖表:顏色棕紅橙黃綠藍紫灰白黑金銀數字1234567890倍率10110210310410510610710810910010-110-2誤差F(+1%)G(+2%)D(+0.5%)C(+0.25%)B(+0.1
25、%)J(+5%)K(+10%)M(+20%)5.6電阻器的功率等級 電阻器功率等級見下表.廠家也經常生產非標準功率等級的電阻器.線繞電阻器一般也將功率等級印在電阻器上.其它電阻器一般不標注功率值.名稱額定功率(W)實芯電阻0.250.5125線繞電阻器0.5125101525355025100150薄膜電阻器0.0250.050.1250.250.5125102550100 6電容器6.1概述 電容器是一種能容納儲存電荷(電場)的容器.它的結構簡單,只要兩個導體之間用絕緣介質(物質包括空氣)隔開,就構成了電容器.電容器有以下四種 固定電容 電解電容 可變電容 微調電容 6.2電容器的特性1 電
26、容器具有存放電荷的本領.2 電容器兩極極上的正負電荷量是相等的.3 電荷分布在極的內側,形成電場.4 當充放電壓和電源電壓相等的,電路中沒有電荷的移動而形成的電流.5 電容的兩大物性.A隔直流 B通交變電流.6 電場中確實有能量 我們用電能量Q與其電壓V之比值來描述電容器儲存電荷的本領.即C=Q/V(庫/伏,法拉)電容器的單位是法拉.用F表示.這是一個很大的單位.經常使用的單位是徽法(mF)和皮法(pF).1mF=10-6F-106pF=103nF.電容器的容量與兩極之間互相重疊的面積成正比,與兩極極之間的距離成反比.還與兩極之間的介質有關系.對于平行極電容器來說,有C=s/d. 是介質的介電
27、系數也稱為電容率.6.3電容器的有關電學特性.1 電容器的標稱值及允許誤差. 我國生產的電容器的標稱值已系列化了.適用的必須按下表使用. 云母介.瓷介.玻璃鈾介質高頻有機膜介電容標稱值誤差等級電容標稱值I(+/-5%)1.01.11.21.31.51.61.82.02.22.42.73.03.33.63.94.34.75.15.66.26.6758.29.1II(+/-10%)1.01.21.51.82.22.73.33.94.75.66.88.2III(+/-20%)1.01.52.23.34.76.8 各種紙介和低頻有機膜介電容標稱值誤差范圍容量范圍電容標稱值I(+/-5%)100PF-1
28、mF1.01.52.23.34.76.6II(+/-10%)1-100MF124681015III(+/-20%)2030506050100 鉭.鈮.鈦等電器解電容器標稱容量1.01.522.333.34.756.8允許誤差+/-10%+/-20%+50%-20%+100%-10% 標稱值ab定義:標稱值是電容量的有效數字.如標稱值為3.3的電容有3.3Pf,33Pf,330Pf.,電容器的誤差是:D級(+/-0.5%)F(+/-1%)G(+/-2%)J(+/-5%)K(+/-10%)M(+/-20%)S(+50%-20%)F(+8%-20%)P(+/-100%)其中D F G三級是精密電容器
29、I ,II, III級是普通電容器S F P是電解電容器的誤差.2)電容器的標示一:直標法:6P8表示6.8PF 10n表示0.01PF 103表示10*103PF=0.02F159 表示15*10-1PF R56F表示0.56F二:色標法:2標稱電壓(額定電壓) 標稱電壓是指電容器在一定條件下它的介質所能承受的最大直流工作電壓.電容器的額定電壓一般都標在電容體上.有些小電容也用色點來表明.如小型電解電容器在它的正極引線處標上色點.這既表示了耐壓,又指明了正極性電極.顏 色BLACKBROWHRED ORANGEYELLOWGREENBLUEVIOLETGRAY工作電壓(V)46.310162
30、5324050633絕緣電阻 電容器的絕緣電阻決定于介質質量,性能和幾何尺寸,絕緣電阻的大小決定電容器的質量,渥電大小,渥電大,介質耗損大.嚴重渥電時會使電容器發熱,破壞電路的工作狀態,甚至導致熱擊穿.較大容量的電容器的絕緣電阻可以是近似的用了用表的XIKZ檔或X10KVZ檔進行測試.(注意電容耐壓是否比X10KVZ檔中電池電壓高)4電容器的極性 一般電容中的兩個極板沒有極性差別,但電解電容器有極性要求. 5電容的命名法 電容器一般由四個部分組成的.如CD系列表示是鋁電解電容器.主稱介質材料形狀結構C-電容器Z-紙介G-管狀M-密封Y-云母T-筒狀S-塑料殼C-瓷介L-立式矩形J-金屬片D-鋁
31、電解Y圓片型R-耐熱A-鉭電解W-臥式Q-漆膜X-小型的Z-玻璃H-混合介質L-B-聚萊乙烯D-鉭氧化膜N-鈮氧化膜T-鐵器6.4幾種常見的電容器1 紙介電容器這種電容器用錫箔或鋁箔作電極,中間夾以電容器紙作紙介.看成圓形或不圓形的筒狀,裝上引線封裝制成.為了提高防潮性,電容器的外殼有的會用密封的鐵殼,叫密封紙介電容器.2 云母電容器它是將鋁箔或錫箔與云母片交錯壘起來,接上引線,再壓塑在膠木外殼中制成. 7電感器(線圈)7.1概述 電感器是儲存磁場能量的器件.電感是描述電感器通入電流對產生磁場來領的物理參量.當線圈中通過電流的時候,由電流的磁效應可知電流的周圍產生磁場.磁力線交連著載流的線圈.
32、當線圈中電流變化時,交連線圈中的磁力線也隨著變化.由電磁感應定律可知.線圈內就有感應電動勢產生.這種由于通過線圈自身電流的變化,以在線圈自身產生感應電動勢的現象叫做自感應現象.由自感應產生的電動勢稱為自感電動勢,自感電動勢用字母el表示.產生自感應的線圈叫自感線圈.所有各種線圈都具有自感應現象.所以都可以稱為自感線圈.只有自感應的線圈我們稱為電感器,簡稱電感. 實驗電路如下:(1.當開關閉合后,為什麼燈泡D2比D1發光慢,且要一段時間各兩側燈泡才一樣亮? 2.當K斷開的瞬間為什麼兩燈泡會一樣亮,而后慢慢地暗下去了?(設R與線圈電阻相等) 用電感量來描述,表示線圈產生磁場或產生自感電動勢的本領.
33、用L表示L=eL/i/t, 即通過線圈的電流每秒鐘變化后產生的自感電動勢的值叫這線圈的電感量.很明顯,L越大,表明該線圈通電流產生的自感電動勢越大.磁場越強(自感系數簡稱電感)電感量的單位是亨利.用H表示,只有較小的單位毫亨和微亨. 1H=103MH=106MH.7.2幾種常見的電感線圈 1)空心線圈 2)可調磁感線圈 3) 鐵氧體磁芯線圈 4)紙頻線圈8常用電子元器件英漢對照表種類編號英文名稱漢語名稱01INTEGRATED CIRCUIT集成電路02 RESISTOR電阻03CAPACITOR電容04INDUCTOR電感05TRANSISTOR電晶體06DIODE二极體07REALY繼電器
34、08OSCILLATOR振蕩器09LIQUID CRYSTAL DISPLAY液晶顯示器10FUSE保險絲11FILTER濾波器12SENSOR感應器13BUZZER蜂鳴器14TRANSFORMER變壓器ICINTEGRATED CIRCUIT集成電路CFCARBON FILM RESISTOR碳膜電阻FRFRSIBLE RESISTOR保險絲電阻VARVARISTOR壓敏電阻MOFMETAL OXIDE FILM RESISTOR金屬氧化皮膜電阻MFRMETAL FILM RESISTOR金屬皮膜電阻PTCPOSITIVE TEMPERATURE COEFFICIENT RESISTOR 正溫度系數電阻NTCNEGATIVE RESISTOR負溫度系數電阻NRNETWORKS RESISTOR排阻VRVARIABLE RESISTOR可調電阻WWRWIRE WOUND RESISTOR繞線電阻CPRCEMENT POWER RESISTOR水泥電阻MSRMICA SHEET RESISTOR 云母電阻CCCERAMIC CAPACITOR陶瓷電容ECELECTROLYTIC VAPACITOR電解電容MLCMULTILAYER