LED的质量技术大全.docx

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1、LED 的质量技术大全一: LED 死灯只有 3 个缘故:1.质量差,正常工作都会死灯2.工作环境温度高3.工作电流大你的 LED 防水电源一只一个放在灯壳里,防水电源是靠空气给电源外壳散热的,你放在在密封的灯壳里面全然就散热不了,阻碍整个灯内部的热量比较高,如果工作时刻长,加上现在户外温度高,你们的 LED 质量不是专门好,受不了这么高的温度,确信会死灯想做好一个产品不是那么容易的,你们当花钞票买教训了,你们产品什么缘故不通过一段长期时刻老化测试就批量生产呢二: LED 灯的质量鉴定方法LED 的质量要紧是看用的芯片和生产工艺, 用眼睛是看不出来区不的,要用老化设备和检测设备如果你把几个厂家

2、的 LED 放在老化仪上用大电流老化 24 小时或者更长时刻,你再去测量几个厂家的 LED 亮度,看那个 led 发光强度衰减最小,衰减最小那个质量就最好如果没有测量设备,简单点的方法, 把几个厂家的 LED 都一起用 30-40MA 的大电流点亮或者加温老化一段时刻,那个厂家的 LED 死灯最快那个质量就最差三:温升 LED 的波长会改变吗?对LED 有什么样的阻碍?解答一:温升 led 的波长会改变,随着温度的升高,波长会往长波段漂移。例如正常温度下波段是 450nm 的蓝光 led,温度上升 10 摄氏度,波长往长波段范畴漂移 1 纳米。而且光源的一致性、平均度变差解答二: LED 器件

3、的温升效应及其计策文章较详尽地阐述了结温升高对 LED 光输出强度、LED P-N 结的正向电压及发光颜色的阻碍。指出当结温升高时,输出光强变弱,正向电压减小,发光波长发生红移。在结温升得足够高时,这些变化将从可逆变为不可复原的永久性衰变。文章进一步指出,LED 输入功率是器件热效应的唯独来源,设法提升器件的电光转换效率及提升器件的散热能力是减小 LED 温升效应的要紧途径。A、引言众所周知, LED 是一种电发光器件,其差不多的物理过程是电能向光能的转变。所谓提升 LED 的功率,即是提升电输入能量,同时又能获得尽可能大的光功率输出。通常将单位输入功率所产生的光能(光通量)谓之光电转换功率,

4、简称光效。早期的 LED 由于光效专门低( -0.1 lm/w ),亮度专门低,通常只用于表示亮、暗的状态,作指示灯之用。上世纪九十年代初,超高亮四元系 LED 的显现,使器件亮度有了数量级的增长,专门是紧接着的 GaN 基蓝、绿光及白光 LED 的显现,使 LED 的应用方向发生了庞大的改变。固态照明已成为 21 世纪人类追求的重要目标。明显,持续地提升 LED 的输入功率与发光效率是实现通用照明的必由之路。假设LED 的光效为 100 lm/w ,那么要达到一只 40 支光(瓦)的白炽灯所发出的 600 lm 的光通量, LED 的输入功率必须达到 6w。然而,目前一只 5 的标准 LED

5、 的输入功率通常为 0.040.07w,远不能满足有用照明的需要。大量实践表明,LED 不能加大输入功率的差不多缘故, 是由于 LED 在工作过程中会放出大量的热,使管芯结温迅速上升,输入功率越高,发热效应越大。温度的升高将导致器件性能的变化与衰减,甚至失效。本文就功率器件中的升温效应对性能的阻碍及其如何减小这种升温效应的途径作一些简明的讨论。B、LED 器件温升估量设芯片面积为 1.21.2mm2,厚度为 200um, GaAs 衬底。由于外延层专门薄,忽略外延层材料与衬底之间的差异,不考虑电极的阻碍,那么芯片的体积约为 2.88104cm3。GaAs 晶体的比重为 5.318(克 /cm3

6、),故芯片重量约为 15.310-4 克。设器件的工作电流为 100mA,如其中约 90的电功率转变为热,那么在不考虑芯片向周围环境散热的条件下,器件在接通电流 20 分钟后,运算得芯片的温度可达到 5105?C,运算中使用的 GaAs 晶体比热数据为 0.33 焦耳 /克?度。可见其温升效应的严峻性。那个地点只是把芯片作为一个平均的发热体加以考虑,如考虑到结处温升的集中效应,情形将更加严峻。庆幸的是,在芯片的升温过程中,芯片不可能处于绝热状态,而总是以某种方式与其周围的介质或环境进行着热交换,最终达到热平稳,使芯片的温度坚持在一个较低的水准上。C、结温对 LED 性能的阻碍1、结温对 LED

7、 光输出的阻碍实验指出,发红、黄光的 InGaAlP LED 与发蓝、绿光的 InGaN LED ,其光输出强度均明显依靠于器件的结温。也确实是讲,当LED 的结温升高时,器件的输出光强度将逐步减小;而当结温下降时,光输出强度将增大,一样情形下,这种变化是可逆与可复原的,当温度回到原先的值,光强也会回复到原先的状态。图 1(a)指出了 InGaAlP LED 的光输出相对量随温度的变化,那个地点以25?C 作为器件性能的基准点。 由图可知, InGaAlP 橙色的 LED 比红色的 L ED 具有更高的温度灵敏度。 当结温升至 100?C 时,琥珀色器件的输出通量降去了 75。图 1(b)是

8、InGaAlP LED 的另一组光输出的温度数据,设 2 5?C 时 LED 的值为 100,那么当结温升至 100?C 时, 640nm、620nm 与 590nm 的 InGaAlP LED 的光输出分不为原始值的42、 30与 20。结温对光输出阻碍的数学表达式如式(1)所示: V(T2) = V( T1)e-k T (1)其中, V( T2)表示结温 T2 的光通量输出; V(T1)表示结温 T1 的光通量输出; K 为温度系数; T=T2- T1。一样情形下, K 值可由实验测定, 关于 InGaAlP LED 有关的 K 值如表 1 所示:由上表可知,关于 InGaAlP LED

9、,温度系数仅与器件的发光波长有关,而与衬底是否透亮无关, 进一步的实验指出, InGaAlP 的发光波长越短, K 值越大。器件的出光通量随温度增加衰减得越快。关于 InGaN 系列的 LED ,出光通量随温度的变化远小于 InGaAlP LED 。典型结果如图 2 所示。由图可知,随着发光波长变短,光输出通量随温度的变化越不明显。表 2 列出了有关于 25?C 而言, 100?C 结温时刻输出通量的相对数值。式( 2)指出了光输出通量随结温变化的另一种表示形式T2=T1e-(T2-T1/T0) (2)那个地点 T0 代表一种特点温度。 T0 值与材料有关,实验指出,关于红色的 InGaAlP

10、 LED ,T0=85?C;关于琥珀色的 InGaAlP LED ,T085?C;而关于 InGaN LED ,T0 值约为 840?C,表明 InGaN 器件的温度系数远小于发红、黄光的 InGaAlP 器件,也即光通量随温度增加而减小的速率要比InGaAlP LED 小得多。一样情形下,光输出通量随结温的增加而减小的效应是可逆的,也即当温度回复到初始温度时,光输出通量会有一个复原性的增长。这种效应的发生气制明显是由于材料的一些有关参数会随温度发生变化,从而导致器件参数的变化。如随温度的增加,电子与空穴的浓度会增加,禁带宽度会减小,电子迁移率也将减小。这些参量的变化必须引致器件输出光通量的改

11、变。然而当温度复原至初态时,器件参数的表化也将随之消逝,输出光通量也会复原至初态值。表 3 是大功率器件 AP-HLR-01 的测试结果,每一次测量之间进行了-40?C-140?C 的冷热循环老化试验。 测量数据指出,每次测量的数据都能专门好地重复,冷热循环老化试验也未改变器件的性能,表明在一定的条件下,LED 器件的性能随电流的变化是可逆的。明显,在大电流时刻效的变小是由于温度上升所引起的,当测试电流减至小电流时,光效数据又复原到初始值。2、高温下器件性能的衰变在高温下, LED 的光输出特性除会发生可复原性的变化外,还将随时刻产生一种不可复原的永久性的衰变。图 3 指出了 Lumileds

12、 公司型号为 Luxeon大功率器件的光输出通量随时刻的衰变情形。由图可见,关于同一类 LED 器件,在相同的工作电流时,结温越高器件的输出光强衰减得越快。关于一个确定的器件而言,一样来讲,结温的大小取决于工作电流与环境温度。工作电流固定以后,环境温度越高,结温就越高,器件性能的衰减速率就越快。反之,当环境温度确定后,器件的工作电流越大,结温也将越高,器件性能衰减的速率就越快。图 4 指出了一只典型的 InGaAlP 器件在不同的工作电流时,输出光通量的相对值随时刻的衰减曲线。专门明显,当器件的工作电流加大时,器件的光输出特性将衰变得更快。为确保一个 LED 器件的正常工作条件,让器件的结温低

13、于某一个确定的值Tj ,是十分必要的。为此,当环境温度升高时,应适当减小工作电流,直至当环境温度升至临界温度 Tj 时,将工作电流减至零,现在结温将等于环境温度,如图 5 所示。通常有二种缘故促成高温条件下LED 器件输出性能的永久性衰减,一个缘故是材料内缺陷的增殖,众所周知,现代的高亮LED 器件通常都采纳CVD 技术在 GaAs,蓝宝石等异质衬底上外延生长InGaAlP 或 InGaNMO等材料制成,为提升发光效率,外延材料均含有多层结构,由于各外延层之间存在着或多或少的晶格失配,从而在界面上形成大量的诸如位错等结构缺陷,在较高温度时,这些缺陷会快速增殖,繁育,直至侵入发光区,形成大量的非

14、辐射复合中心,严峻降低器件的注入效率与发光效率。另外,在高温条件下,材料内的微缺陷及来自界面与电板的快扩杂质也会引入发光区,形成大量的深能级,同样会加速 LED 器件的性能衰变。高温时, LED 封装环氧的变性,是 LED 性能衰变乃至失效的又一个要紧缘故。通常, LED 用的封装环氧存在着一个重要特性,即当环氧温度超过一个特定温度 Tg=125?C 时,封装环氧的特性将从一种刚性的类玻璃状态转变成一种柔软的似橡胶态状物质。现在材料的膨胀系数急剧增加,形成一个明显的拐点,如图 6 所示。那个拐点所对应的温度即为环氧树脂的玻璃状转换温度,其值通常为 125?C。当器件在此温度邻近或高于此温度变化

15、时,将发生明显的膨胀或收缩,致使芯片电板与引线受到额外的压力,而发生过度疲劳乃至脱落损坏。此外,当环氧处于较高温度时(即使未超过转变温度 Tg),专门是与芯片临近部分的封装环氧会逐步变性,发黄,阻碍封装环氧的透光性能。这是一个潜移默化的过程,随着工作时刻的延长, LED 将逐步失去光泽。明显工作温度越高,这种过程将进行得越快。为解决这一困难,专门在大功率器件的制作过程中,一些先进的封装结构已摒弃了环氧树脂材料而改用一些性能更为稳固的诸如玻璃、 PC 等材料制作透镜;另一个重要方法是让环氧不直截了当接触芯片表面,之间填充一种胶状的,性能稳固的透亮硅胶。实践证明,通过如此改进,器件的性能与稳固度获

16、得了明显改善。3、结温对发光波长的阻碍LED 的发光波长一样可分成峰值波长与主波长二类,前者表示光强最大的波长,而主波长可由 X、 Y 色度坐标决定,反映了人眼所感知的颜色。明显,结温所引致的 LED 发光波长的变化将直截了当造成人眼对 LED 发光颜色的不同感受。关于一个 LED 器件,发光区材料的禁带宽度值直截了当决定了器件发光的波长或颜色。 InGaAlP 与 InGaN 材料属 III-V 族化合物半导体。它们的性质与 GaAs 相仿,当温度升高时,材料的禁带宽度将减小,导致器件发光波长变长,颜色发生红移。通常可将波长随结温的变化表示如下:( T2)=( T1)+T?K(nm/?C)

17、(3)其中:( T2)表示结温 T2 时的波长;( T1)表示结温 T1 时的波长;K 表示波长随温度变化的系数。表 4 指出了 InGaAlP 与 InGaN 器件的主波长与峰值波长 K 值,由表可知,关于 InGaN 有 InGaAlP LED ,峰值波长随温度的变化要大于主波长随温度的变化,其中 InGaAlP LED 尤甚。人眼对不同波长的颜色感知灵敏度是存在着专门大的差异,如图7 所示:在蓝、绿、黄区域,专门小的波长变化就将引致人眼感受上的变化。从而对蓝、绿、黄器件的温升效应提出了更高的要求(。一样来讲,25nm 的波长变化人眼就能够感受到;而对红光波长的变化,人眼的感受就要相对迟钝

18、一些,但也能感受到 15nm 的波长差异。为定量地表明人眼对不同波长颜色的感知程度,有些公司的产品将颜色与波长的关系列出了主波长的颜色仓,如表 5 所示。明显,关于琥珀(黄)颜色,由于人眼最为灵敏,因此颜色仓的波长间隔分得专门细,仅为 2-3nm,但关于红色区域,其间隔扩大到 15nm。这确实是讲,什么缘故对黄色交通信号灯的颜色标定与平均度的要求较高,而红色交通灯的颜色要求相对要低得多。 )4、结温对 LED 正向电压的阻碍正向电压是判定LED 性能的一个重要参量,它的数值取决于半导体材料的特性,芯片尺寸以及器件的成结与电极制作工艺。有关于20mA 的正向电流通常 InGaAlP LED 的正

19、向电压在 1.8V2.2V 之间,而发蓝、绿光的 InGaN LED 的正向电压处在 3.0V3.5V 之间。在小电流近似下, LED 器件的正向压降可由式( 4)表示:Vf= (nKT/q )ln(If/Io )+RsIf (4)式中 Vf 为正向电压, If 为正向电流, Io 为反向饱和电流, q 为电子电荷,K 是玻尔兹曼常数, Rs 是串联电阻, n 是表征 P/N 结完美性的一个参量,处在 1-2 之间。分析式( 4)的右边发觉只是反向饱和电流 Io 与温度紧密有关,Io 值随结温的升高而增大,导致正向电压 Vf 值的下降。实验指出,在输入电流恒定的情形下,关于一个确定的 LED

20、器件,二端的正向压降与温度的关系可由式( 5)表示:VfT=VfTo+K (T-To) ( 5)式中 VfT 与 VFTo 分不表示结温为 T 与 To 时的正向压降, K 是压降随温度变化的系数,关于 InGaAlP 与 InGaN LED ,其 K 值大致可由表 6 所示。有人给出了详细的实验数据,如表 7、表 8 所示。电压随温度的变化是可复原的,但如在高温情形下,由于结区缺陷与杂质的大量增殖与集聚,也将造成额外复合电流的增加,而使正向电压下降。通常,恒流是 LED 工作的较好模式,如在恒压条件下,由于温升效应使正向电压下降与正向电流增加,并形成恶性循环,最终导致器件损坏。D、减小 LE

21、D 温升效应的计策LED 的输入功率是器件热效应的唯独来源,能量的一部分变成了辐射光能,其余部分最终均变成了热,从而抬升了器件的温度。明显,减小LED温升效应的要紧方法,一是设法提升器件的电光转换效率(又称外量子效率),使尽可能多的输入功率转变成光能,另一个重要的途径是设法提升器件的热散失能力,使结温产生的热,通过各种途径散发到周围环境中去。1、 LED 器件的量子效率所谓 LED 器件的量子效率,即是器件的电能转换成光能的能力,通常可将这种电光转换能力定义为外量子效率 ex,它是器件的注入效率 J、内量子效率 i、电子输运效率 f 和出光效率 o 的总和。 ex=J?i?f?o (6)关于

22、InGaAlP 与 InGaN LED 器件中,由于 P-N 结二边的禁带宽度Eg 与掺杂浓度均有一个较大差异,通常J ?1;由于器件发光区等结构,一切外延生长形成,发光区的P-N 结为突变结,电子输运效率也接近于1。此外,鉴于当前 InGaAlP 与 InGaN 的器件结构与生长工艺十分成熟,实践证明,现代技术已足够使内量子效率提升到接近 100的水平。因此, LED 器件的外量子效率要紧取决于出光效率 o,如将管芯看作是一个吸取系数为,体积为 v,被面积为 Ai 的 N 个面所包围的光学腔,那么该管芯的出光效率可表示为: N=AiTi /( 1-Ri )Ai+4 v (7)那个地点, Ti

23、 与 Ri 分不是 Ai 的透过率与反射率。关于一个实际的LED 管芯,运算表明,芯片表面专门小的透过率是 LED 器件出光效率变得专门小的要紧缘故。其起因是由于芯片表面二侧物质所存在的较大的折射率差异,如图 8 所示,当芯片内的光沿方面 1 射向表面并沿方向 2 射入空气,按照折射定律:n1Sin1= n2Sin2 (8)通常芯片材料的折射率 n13.6,空气的折射率 n2=1。可算得界面处发生全反射( 2=90?)的临界角 1=0=16.2?,也确实是讲,从芯片内部射向表面的光束,只有 4能够射出表面, 其余的光能大部分反射回芯片材料内部而被(衬底)吸取。四: LED 护栏灯的防水咨询题我

24、们做了五年 LED 护栏灯具 ,最为头痛的确实是 LED 护栏灯的防水 ,所有的售后服务也差不多上要么进水 ,要么有水蒸气进入 ,而导致灯具损坏 !是不是 PC 材料管在户外安装就没方法防水防水蒸气呢 ? 诚请行家共同探讨 .1 可能是没密封好 .应找来产生水蒸气的灯管检测漏气情形 .(放入水中 ) 适当增压 ,就象给自行车带检查漏气一样 .找出漏处改进密封 .如果不漏也有了水气 ,讲明密封时到里面去了水蒸气 .因此应在空气专门干藻的环境中进行密封 .为测出密封处是否漏气 ,可从中间剪成两段 ,分不测量2 PC 是可不能进水的 ,我认为一个是堵头那要采纳三道防水,超声波及热容胶与防水圈 ,线路

25、板要全玻纤PCB,全部打胶 ,用洗板水清结线路板时要保持干静与洗板水全部蒸发,以免日后残留密封后 ,点亮蒸发产动气压 ,把堵盖逼出缝隙导致进水3 传统 LED 护栏管的经典结构,这种结构除了天生的防水缺陷外,还有以下难以克服的缺点:、外观难看:连接电线外露,接头无法隐藏,阻碍美观,灯亮时接头发光暗区明显,整体有断续感,在高标准的装饰性场所显得不伦不类。可靠性差:I. 外露电线受日晒容易老化,低温开裂导致漏电、短路等故障,经常显现接头漏水烧毁或者信号传输不良 ,阻碍整体寿命 ;II. 电线进灯具的过孔经常是内部负气压吸水通道;III. 灯体工艺缝隙防水密封手工涂胶,一致性差,质量难以操纵。IV.

26、 连接线长,接头电阻高,连接压降大,难以串联更多;成本高:I.材料成本高:接头线注塑工艺复杂,耗费电线;II. 人工成本高:接头线、堵头与管体组装工序多,密封工艺复杂,周期长,人工费用大。4 防水关键是气压平稳,就算你的LED 护栏灯密封的再好,就算丢到水里里面没有咨询题,不代表安装在户外刮风下雨没有咨询题,在空气中工作会产生负气压,会吸进水汽,会产生水蒸气。关键不是密封,是护栏灯内部跟不处对气压要平稳,解决方法确实是“通气”,排气是一劳永逸的方法,通气方法有专门多五:从九个方面选择LED 光源2008-11-01 18:463、波长波长一致的 LED,颜色一致,如要求颜色一致,则价格高。没有

27、 LED分光分色仪的生产商专门难生产色彩纯正的产品。4、漏电电流 LED 是单向导电的发光体,如果有反向电流,则称为漏电,漏电电流大的LED,寿命短,价格低。5、发光角度用途不同的 LED其发光角度不一样。专门的发光角度,价格较高。如全漫射角,价格较高。6、寿命不同品质的关键是寿命,寿命由光衰决定。光衰小、寿命长,寿命长,价格高。7、晶片 LED 的发光体为晶片,不同的晶片,价格差异专门大。日本、美国的晶片较贵,一样台湾及国产的晶片价格低于日、美。8、晶片大小晶片的大小以边长表示,大晶片 LED的品质比小晶片的要好。价格同晶片大小成正比。由于 LED是新产品,中国国家标准滞后,但国家提供产品合

28、格测试。具有国际安全认证(如 GS、 CE、UL 等)及国家产品质量合格证的 LED灯饰价格要高,因为这些产品在安全设计上是可靠的。消费者注意的是要认真鉴不证书的真伪,现在有国际安全认证及国家产品合格证的厂家并不多。六: LED 价格差异分析2008-09-27 09:36LED 由显示到照明与灯饰还不到短短两年时刻,厂、商、传媒一起上,LED灯饰在尚无公认品牌的情形下,价格战提早打响。外观、结构、功能几乎一样的产品,价格差异却有 2-3 倍,专门多用户一时被弄昏头脑,不知价差从何而来,选用何种价位的产品。下面就这些差异向读者作浅显讲明。一、 LED 发光二极管及晶片目前生产 LED 与 LE

29、D 灯饰的厂家还为数许多,不同厂家选用不同品质的LED 是造成 LED 灯饰价钞票不同的重要缘故之一。以一般红色小功率LED 为例,一样用途的一般红色 LED 价钞票在 0.03-0.08 元之间,而适合生产LED 灯饰的红色 LED 价钞票在0.12-0.36 之间,更高品质的超过3.2 元/只,一样不生产 LED 发光管的 LED 灯饰厂家都专门难区不,况且消费者。因此,选用自己生产LED 发光二极管或拥有完善的LED 检测 设备的 LED 灯饰厂的产品更有保证。下面列明LED 性能的差不多面。1 亮度LED 的亮度不同,价格不同。用于LED 灯具的 LED 应符合雷射等级类标准。2 抗静

30、电能力抗静电能力强的LED ,寿命长,因而价格高。 通常抗静电大于700V 的LED才能用于LED灯饰。3 波长波长一致的 LED ,颜色一致,如要求颜色一致,则价格高。没有LED 分光分色仪的生产商专门难生产色彩纯正的产品。4 漏电电流LED 是单向导电的发光体,如果有反向电流,则称为漏电,漏电电流大的 LED,寿命短,价格低。5 发光角度用途不同的 LED 其发光角度不一样。专门的发光角度,价格较高。如全漫射角,价格较高。6 寿命不同品质的关键是寿命, 寿命由光衰决定。 光衰小、寿命长,寿命长,价格高。7 晶片LED 的发光体为晶片,不同的晶片,价格差异专门大。美国、日本的晶片较贵,一样台

31、湾及国产的晶片价格低于日、美。8 晶片大小晶片的大小以边长表示,大晶片LED 的品质比小晶片的要好。价格同晶片大小成正比。9 胶体一般的 LED 的胶体一样为环氧树脂,加有抗紫外线及防火剂的LED 价格较贵,高品质的户外 LED 灯饰应抗紫外线及防火。二、 LED 灯饰的设计可靠性不同,价格不同每一种产品都会有不同的设计,不同的设计适用于不同的用途,LED 灯饰的可靠性设计方面包含:电气安全、防火安全、适用环境安全、机械安全、健康安全、安全使用时刻等因素。从电气安全角度看,应符合有关的国际、国家标准。由于LED 是新产品,中国国家标准滞后,但国家提供产品合格测试。具有国际安全认证(如GS、 C

32、E、 UL 等)及国家产品质量合格证的 LED 灯饰价格要高,因为这些产品在安全设计上是可靠的。消费者注意的是要认真鉴不证书的真伪,现在有国际安全认证及国家产品合格证的厂家并不多。从健康方面,采纳无毒材料设计的产品价格要高,专门是室内LED 灯饰灯具,千万不贪廉价选用有异味的LED 灯饰,目前仅少数几家LED 厂家是用无毒材料生产,辨不的方法能够直截了当用鼻子分不,有臭味的产品比无臭味的价格更低专门多。类似铅、汞、镉等毒素需专业人员分析。从适用环境安全看 ,有可靠的防尘防潮设计 ,材料防火、防紫外线、防低温开裂的产品的价格高。从安全使用时刻看, 一样消费者要分不优劣是较困难的,设计的可靠性、 元器件选用优劣与否,都与价格有专门大关系。工程用灯具,千万不选择价格低、品质劣的产品。例如选用电线不同,价格都有差异。部分厂家采纳拆机旧电子元件,回收再生塑料、再生金属材料生产LED 灯饰,这些劣质LED 灯饰价格比正常的LED 灯饰价格廉价 50%以上。LED 灯饰市场还存在部分非法之徒,欺诈供应商,骗取供应商材料生产成品,以不正常低价出售成品换取现金。也有少数LED 灯饰厂家以不切实际的承诺欺诈经销商及用户,然后用持续更换商号或负责人的伎俩来推卸责任。经销商及消费者要防备贪廉价而受骗。

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