芯片命名规则[一类优选].doc

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1、芯片解密基础知识:IC命名规则IC命名规则是每个芯片解密从业人员应当了解和掌握的IC基础知识，一下详细地列出了IC命名规则，希望对你的芯片解密工作有所帮助。一个完整的IC型号一般都至少必须包含以下四个部分：.前缀（首标）-很多可以推测是哪家公司产品.器件名称-一般可以推断产品的功能（memory可以得知其容量）.温度等级-区分商业级，工业级，军级等.封装-指出产品的封装和管脚数有些IC型号还会有其它内容：.速率-如memory，MCU，DSP，FPGA等产品都有速率区别，如-5，-6之类数字表示.工艺结构-如通用数字IC有COMS和TTL两种，常用字母C，T来表示.是否环保-一般在型号的末尾会

2、有一个字母来表示是否环抱，如Z，R，+等.包装-显示该物料是以何种包装运输的，如tube，T/R，rail，tray等.版本号-显示该产品修改的次数，一般以M为第一版本.该产品的状态举例：EP 2C70 A F324 C 7 ES ：EP-altera公司的产品；2C70-CYCLONE2系列的FPGA；A-特定电气性能；F324-324pin FBGA封装；C-民用级产品；7-速率等级；ES-工程样品MAX 232 A C P E + ：MAX-maxim公司产品；232-接口IC；A-A档；C-民用级；P-塑封两列直插；E-16脚；+表示无铅产品详细的型号解说请到相应公司网站查阅。IC命名

3、和封装常识IC产品的命名规则： 大部分IC产品型号的开头字母，也就是通常所说的前缀都是为生产厂家的前两个或前三个字母，比如：MAXIM公司的以MAX为前缀，AD公司的以AD为前缀，ATMEL公司的以AT为前缀，CY公司的以CY为前缀，像AMD，IDT，LT，DS，HY这些公司的IC产品型号都是以生产厂家的前两个或前三个为前缀。但也有很生产厂家不是这样的，如TI的一般以SN，TMS，TPS，TL，TLC，TLV等字母为前缀；ALTERA（阿尔特拉）、XILINX（赛灵斯或称赛灵克斯）、Lattice（莱迪斯），称为可编程逻辑器件CPLD、FPGA。ALTERA的以EP，EPM，EPF为前缀，它在

4、亚洲国家卖得比较好，XILINX的以XC为前缀，它在欧洲国家卖得比较好，功能相当好。Lattice一般以M4A，LSP，LSIG为前缀，NS的以LM为前缀居多等等，这里就不一一做介绍了。 紧跟前缀后面的几位字母或数字一般表示其系列及功能，每个厂家规则都不一样，这里不做介绐，之后跟的几位字母（一般指的是尾缀）表示温度系数和管脚及封装，一般情况下，C表示民用级，I表示工业级，E表示扩展工业级，A表示航空级，M表示军品级 下面几个介比较具有代表性的生产厂家，简单介绍一下： AMD公司FLASH常识： AM29LV 640 D（1） U（2） 90R WH（3） I（4） 1：表示工艺： B=0.32

5、uM C=0.32uM thin-film D=0.23uM thin-film G=0.16uM thin-film M=MirrorBit 2：表示扇区方式： T=TOP B=BOTTOM H=Unifom highest address L=Unifom lowest address U、BLANK=Unifom 3：表示封装： P=PDIP J=PLCC S=SOP Z=SSOP E/F=TSSOP M/P/W=FPGA 4：温度范围 C=0TO+60 I=-40TO+85 E=-55TO+85 MAXIM MAXIM产品命名信息(专有命名体系) MAXIM推出的专有产品数量在以下相当

6、可观的速度增长.这些器件都按以功能划分的产品类别进行归类。MAXIM目前是在其每种产品的唯一编号前加前缀“MAX”、“MX”“MXD”等。在MAX公司里带C的为商业级，带I的为工业级。现在的DALLAS被MAXIM收购，表以原型号形式出现，这里不做介绍。 三字母后缀： 例如：MAX232CPE C=等级（温度系数范围） P=封装类型（直插） E=管脚数（16脚） 四字母后缀： 例如：MAX1480BCPI B=指标等级或附带功能 C=温度范围 P=封装类型（直插） E=管脚数（28脚） 温度范围： C= 0至60（商业级） I=-20至85（工业级） E=-40至85（扩展工业级） A=-40

7、至82（航空级） M=-55至125（军品级） 封装类型： ASSOP；BCERQUAD；CTO-200，TQFP；D陶瓷铜顶；EQSOP；F陶瓷SOP，HSBGAJ-陶瓷DIP；KTO-3；LLCC，MMQFP；N窄DIP；NDIP；QPLCC；R窄陶瓷DIP（300mil）;STO-52，TTO5，TO-99，TO-100；UTSSOP，uMAX，SOT；W宽体小外型（300mil）；XSC-60（3P，5P，6P）；Y窄体铜顶；ZTO-92，MQUAD；D裸片；/PR-增强型塑封；/W-晶圆。 管脚数： A8；B10；C12，192；D14；E16；F22，256；G4；H4；I28；J

8、2；K5，68；L40；M6，48；N18；O42；P20；Q2，100；R3，84；S4，80；T6，160；U60；V8（圆形）；W10（圆形）；X36；Y8（圆形）；Z10（圆形）。 注：接口类产品四个字母后缀的第一个字母是E，则表示该器件具备抗静电功能 AD公司的命名规则： 在AD公司里都是以AD开头，尾缀带“N”的为DIP（塑封）；带“R”的为SOP；带“Z”、“D”、“Q”的为陶瓷直插（陶瓷封装），带“H”的为铁帽。例：AD694AR为SOP封装，AD1664JN为直插，AD6520SD，AD6523AQ为陶瓷直插。 AD公司前、后缀说明 ADI公司电路的前缀一般以AD开头，后面跟

9、的字母一般表示功能，然后是3-5位的阿拉伯数字，之后跟的1-2个字母提供如后信息，A：表示第二代品；DI：表示电介质隔离；Z：表示12V电源；L：表示低功耗。再后一个安素养表示温度特性范围对应如下： 后缀代码 温度范围 描述 I,J,K,L,M 0to60 性能依次递增，M最优 A,B,C -40to125 性能依次递增，C 最优 S,T,U -55to125 性能依次递增，U最优电子知识来源： 发布时间：2009-6-2 16:56:51 浏览点击数：51一、 什么叫封装 封装，就是指把硅片上的电路管脚,用导线接引到外部接头处,以便与其它器件连接。封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳。

10、它不仅起着安装、固定、密封、保护芯片及增强电热性能等方面的作用，而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接，从而实现内部芯片与外部电路的连接。因为芯片必须与外界隔离，以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降。另一方面，封装后的芯片也更便于安装和运输。由于封装技术的好坏还直接影响到芯片自身性能的发挥和与之连接的PCB(印制电路板)的设计和制造，因此它是至关重要的。 衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比，这个比值越接近1越好。封装时主要考虑的因素： 1、 芯片面积与封装面积之比为提高封装效率，尽量接近1

11、1； 2、 引脚要尽量短以减少延迟，引脚间的距离尽量远，以保证互不干扰，提高性能； 3、 基于散热的要求，封装越薄越好。 封装主要分为DIP双列直插和SMD贴片封装两种。从结构方面，封装经历了最早期的晶体管TO（如TO-89、TO92）封装发展到了双列直插封装，随后由PHILIP公司开发出了SOP小外型封装，以后逐渐派生出SOJ（J型引脚小外形封装）、TSOP（薄小外形封装）、VSOP（甚小外形封装）、SSOP（缩小型SOP）、TSSOP（薄的缩小型SOP）及SOT（小外形晶体管）、SOIC（小外形集成电路）等。从材料介质方面，包括金属、陶瓷、塑料，目前很多高强度工作条件需求的电路如军工和宇航

12、级别仍有大量的金属封装。封装大致经过了如下发展进程： 结构方面：TODIPPLCCQFPBGA CSP； 材料方面：金属、陶瓷陶瓷、塑料塑料； 引脚形状：长引线直插短引线或无引线贴装球状凸点； 装配方式：通孔插装表面组装直接安装 二、 具体的封装形式 1、 SOP/SOIC封装 SOP是英文Small Outline Package 的缩写，即小外形封装。SOP封装技术由19681969年菲利浦公司开发成功，以后逐渐派生出SOJ（J型引脚小外形封装）、TSOP（薄小外形封装）、VSOP（甚小外形封装）、SSOP（缩小型SOP）、TSSOP（薄的缩小型SOP）及SOT（小外形晶体管）、SOIC（

13、小外形集成电路）等。2、 DIP封装 DIP是英文 Double In-line Package的缩写，即双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。DIP是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。3、 PLCC封装 PLCC是英文Plastic Leaded Chip Carrier的缩写，即塑封J引线芯片封装。PLCC封装方式，外形呈正方形，32脚封装，四周都有管脚，外形尺寸比DIP封装小得多。PLCC封装适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线，具有外形尺寸小、可*性高的优点。4、 TQFP封装 TQFP是英文thin

14、quad flat package的缩写，即薄塑封四角扁平封装。四边扁平封装（TQFP）工艺能有效利用空间，从而降低对印刷电路板空间大小的要求。由于缩小了高度和体积，这种封装工艺非常适合对空间要求较高的应用，如 PCMCIA 卡和网络器件。几乎所有ALTERA的CPLD/FPGA都有 TQFP 封装。5、 PQFP封装 PQFP是英文Plastic Quad Flat Package的缩写，即塑封四角扁平封装。PQFP封装的芯片引脚之间距离很小，管脚很细，一般大规模或超大规模集成电路采用这种封装形式，其引脚数一般都在100以上。6、 TSOP封装 TSOP是英文Thin Small Outli

15、ne Package的缩写，即薄型小尺寸封装。TSOP内存封装技术的一个典型特征就是在封装芯片的周围做出引脚， TSOP适合用SMT技术（表面安装技术）在PCB（印制电路板）上安装布线。TSOP封装外形尺寸时，寄生参数(电流大幅度变化时，引起输出电压扰动) 减小，适合高频应用，操作比较方便，可*性也比较高。7、 BGA封装 BGA是英文Ball Grid Array Package的缩写，即球栅阵列封装。20世纪90年代随着技术的进步，芯片集成度不断提高，I/O引脚数急剧增加，功耗也随之增大，对集成电路封装的要求也更加严格。为了满足发展的需要，BGA封装开始被应用于生产。采用BGA技术封装的内

16、存，可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高两到三倍，BGA与TSOP相比，具有更小的体积，更好的散热性能和电性能。BGA封装技术使每平方英寸的存储量有了很大提升，采用BGA封装技术的内存产品在相同容量下，体积只有TSOP封装的三分之一；另外，与传统TSOP封装方式相比，BGA封装方式有更加快速和有效的散热途径。BGA封装的I/O端子以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在封装下面，BGA技术的优点是I/O引脚数虽然增加了，但引脚间距并没有减小反而增加了，从而提高了组装成品率；虽然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷芯片法焊接，从而可以改善它的电热性能；厚度和重量都较以前的封装技术有所减少；寄生参数减小

17、，信号传输延迟小，使用频率大大提高；组装可用共面焊接，可*性高。说到BGA封装就不能不提Kingmax公司的专利TinyBGA技术，TinyBGA英文全称为Tiny Ball Grid Array（小型球栅阵列封装），属于是BGA封装技术的一个分支。是Kingmax公司于1998年8月开发成功的，其芯片面积与封装面积之比不小于1:1.14，可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高23倍，与TSOP封装产品相比，其具有更小的体积、更好的散热性能和电性能。采用TinyBGA封装技术的内存产品在相同容量情况下体积只有TSOP封装的1/3。TSOP封装内存的引脚是由芯片四周引出的，而TinyBGA则是

18、由芯片中心方向引出。这种方式有效地缩短了信号的传导距离，信号传输线的长度仅是传统的TSOP技术的1/4，因此信号的衰减也随之减少。这样不仅大幅提升了芯片的抗干扰、抗噪性能，而且提高了电性能。采用TinyBGA封装芯片可抗高达300MHz的外频，而采用传统TSOP封装技术最高只可抗150MHz的外频。TinyBGA封装的内存其厚度也更薄（封装高度小于0.8mm），从金属基板到散热体的有效散热路径仅有0.36mm。因此，TinyBGA内存拥有更高的热传导效率，非常适用于长时间运行的系统，稳定性极佳。三、 国际部分品牌产品的封装命名规则资料 1、 MAXIM 更多资料请参考 www.maxim- M

19、AXIM前缀是“MAX”。DALLAS则是以“DS”开头。 MAX或MAX 说明： （1、后缀CSA、CWA 其中C表示普通级，S表示表贴，W表示宽体表贴。 （2、后缀CWI表示宽体表贴，EEWI宽体工业级表贴，后缀MJA或883为军级。 （3、CPA、BCPI、BCPP、CPP、CCPP、CPE、CPD、ACPA后缀均为普通双列直插。 举例MAX202CPE、CPE普通ECPE普通带抗静电保护 MAX202EEPE 工业级抗静电保护（45-85）,说明E指抗静电保护MAXIM数字排列分类 1字头 模拟器 2字头 滤波器 3字头 多路开关 4字头 放大器 5字头 数模转换器 6字头 电压基准

20、7字头 电压转换 8字头 复位器 9字头 比较器 DALLAS命名规则 例如DS1210N.S. DS1225Y-100IND N=工业级 S=表贴宽体 MCG=DIP封 Z=表贴宽体 MNG=DIP工业级 IND=工业级 QCG=PLCC封 Q=QFP2、 ADI 更多资料查看 AD产品以“AD”、“ADV”居多，也有“OP”或者“REF”、“AMP”、“SMP”、“SSM”、“TMP”、“TMS”等开头的。 后缀的说明： （1、后缀中J表示民品（0-70），N表示普通塑封，后缀中带R表示表贴。 （2、后缀中带D或Q的表示陶封，工业级（45-85）。后缀中H表示圆帽。 （3、后缀中SD或88

21、3属军品。 例如：JN DIP封装 JR表贴 JD DIP陶封3、 BB 更多资料查看 BB产品命名规则： 前缀ADS模拟器件 后缀U表贴 P是DIP封装 带B表示工业级 前缀INA、XTR、PGA等表示高精度运放 后缀U表贴 P代表DIP PA表示高精度4、 INTEL 更多资料查看 INTEL产品命名规则： N80C196系列都是单片机 前缀：N=PLCC封装 T=工业级 S=TQFP封装 P=DIP封装 KC20主频 KB主频 MC代表84引角 举例：TE28F640J3A-120 闪存 TE=TSOP DA=SSOP E=TSOP5、 ISSI 更多资料查看 以“IS”开头 比如：IS

22、61C IS61LV 4表示DRAM 6表示SRAM 9表示EEPROM 封装： PL=PLCC PQ=PQFP T=TSOP TQ=TQFP6、 LINEAR 更多资料查看www.linear- 以产品名称为前缀 LTC1051CS CS表示表贴 LTC1051CN8 CN表示DIP封装8脚7、 IDT 更多资料查看 IDT的产品一般都是IDT开头的 后缀的说明： （1、后缀中TP属窄体DIP （2、后缀中P属宽体DIP （3、后缀中J属PLCC 比如：IDT7134SA55P 是DIP封装 IDT7132SA55J 是PLCC IDT7206L25TP 是DIP8、 NS 更多资料查看 N

23、S的产品部分以LM 、LF开头的 LM324N 3字头代表民品 带N圆帽 LM224N 2字头代表工业级 带N塑封J陶封LM124J 1字头代表军品 带J陶封9、 HYNIX 更多资料查看 封装： DP代表DIP封装 DG代表SOP封装 DT代表TSOP封装。电容知识小结来源： 发布时间：2009-6-2 16:56:01 浏览点击数：53电容 dinrng 1. capacitance；electric capacity：电容是表征电容器容纳电荷的本领的物理量，非导电体的下述性质:当非导电体的两个相对表面保持某一电位差时（如在电容器中），由于电荷移动的结果，能量便贮存在该非导电体之中 2.

24、capacitor；condenser：电容器的俗称 编辑本段概述 定义： 电容是表征电容器容纳电荷的本领的物理量。我们把电容器的两极板间的电势差增加1伏所需的电量，叫做电容器的电容。 电容的符号是C。 在国际单位制里，电容的单位是法拉，简称法，符号是F,常用的电容单位有毫法(mF)、微法(F)、纳法(nF)和皮法(pF)(皮法又称微微法)等，换算关系是： 1法拉(F)= 1000毫法(mF)1000000微法(F) 1微法(F)= 1000纳法(nF)= 1000000皮法(pF)。 相关公式： 一个电容器，如果带1库的电量时两级间的电势差是1伏，这个电容器的电容就是1法，即：C=Q/U 但

25、电容的大小不是由Q或U决定的，即：C=S/4kd 。其中，是一个常数，S为电容极板的正对面积，d为电容极板的距离， k则是静电力常量。常见的平行板电容器,电容为C=S/d.（为极板间介质的介电常数，S为极板面积，d为极板间的距离。） 电容器的电势能计算公式：E=CU2/2=QU/2 多电容器并联计算公式：C=C1+C2+C3+Cn 多电容器串联计算公式：1/C=1/C1+1/C2+1/Cn 编辑本段电容器的型号命名方法 第一部分 | 第二部分 | 第三部分 | 第四部分 名称 | 材料 | 特征 | 序号 电容器 | 符号 | 意义 | 符号 | 意义 | 符号 C 高频瓷 T 铁电 T 低频

26、瓷 W 微调 I 玻璃 J 金属化 符号 Y 釉云母 X 小型 C Z 纸介 D 电压 用字母或数字 J 金属化 M 密封 L 纸涤纶 Y 高压 D 铝电解 C 穿心式 A 钽电解 S 独石 编辑本段电容功能分类介绍 名称：聚酯（涤纶）电容（CL） 符号： 电容量：40p-4 额定电压：63-630V 主要特点：小体积，大容量，耐热耐湿，稳定性差 应用：对稳定性和损耗要求不高的低频电路 名称：聚苯乙烯电容（CB） 符号： 电容量：10p-1 额定电压：100V-30KV 主要特点：稳定，低损耗，体积较大 应用：对稳定性和损耗要求较高的电路 名称：聚丙烯电容（CBB） 符号： 电容量：1000p

27、-10 额定电压：63-2000V 主要特点：性能与聚苯相似但体积小，稳定性略差 应用：代替大部分聚苯或云母电容，用于要求较高的电路 名称：云母电容（CY） 符号： 电容量：10p-0.1 额定电压：100V-7kV 主要特点：高稳定性，高可靠性，温度系数小 应用：高频振荡，脉冲等要求较高的电路 名称：高频瓷介电容（CC） 符号： 电容量：1-6800p 额定电压：63-500V 主要特点：高频损耗小，稳定性好 应用：高频电路 名称：低频瓷介电容（CT） 符号： 电容量：10p-4.7 额定电压：50V-100V 主要特点：体积小，价廉，损耗大，稳定性差 应用：要求不高的低频电路 名称：玻璃釉

28、电容（CI） 符号： 电容量：10p-0.1 额定电压：63-400V 主要特点：稳定性较好，损耗小，耐高温（200度） 应用：脉冲、耦合、旁路等电路 名称：铝电解电容 符号： 电容量：0.47-10000 额定电压：6.3-450V 主要特点：体积小，容量大，损耗大，漏电大 应用：电源滤波，低频耦合，去耦，旁路等 名称：钽电解电容（CA）铌电解电容（CN） 符号： 电容量：0.1-1000 额定电压：6.3-125V 主要特点：损耗、漏电小于铝电解电容 应用：在要求高的电路中代替铝电解电容 名称：空气介质可变电容器 符号： 可变电容量：100-1500p 主要特点：损耗小，效率高；可根据要求

29、制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式等 应用：电子仪器，广播电视设备等 名称：薄膜介质可变电容器 符号： 可变电容量：15-550p 主要特点：体积小，重量轻；损耗比空气介质的大 应用：通讯，广播接收机等 名称：薄膜介质微调电容器 符号： 可变电容量：1-29p 主要特点：损耗较大，体积小 应用：收录机，电子仪器等电路作电路补偿 名称：陶瓷介质微调电容器 符号： 可变电容量：0.3-22p 主要特点：损耗较小，体积较小 应用：精密调谐的高频振荡回路 名称：独石电容 容量范围：0.5PF-1F 耐压：二倍额定电压。 应用范围：广泛应用于电子精密仪器。各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路

30、。 独石电容的特点：电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定，耐高温耐湿性好等。 最大的缺点是温度系数很高，做振荡器的稳漂让人受不了，我们做的一个555振荡器，电容刚好在7805旁边，开机后，用示波器看频率，眼看着就慢慢变化，后来换成涤纶电容就好多了。 就温漂而言：独石为正温糸数+130左右，CBB为负温系数-230，用适当比例并联使用，可使温漂降到很小。 就价格而言：钽、铌电容最贵，独石、CBB较便宜，瓷片最低，但有种高频零温漂黑点瓷片稍贵，云母电容Q值较高，也稍贵。 里面说独石又叫多层瓷介电容，分两种类型，1型性能挺好，但容量小，一般小于0。2U，另一种叫II型，容量大，但性能一般。 编辑本

31、段电容的应用 很多电子产品中，电容器都是必不可少的电子元器件，它在电子设备中充当整流器的平滑滤波、电源和退耦、交流信号的旁路、交直流电路的交流耦合等。由于电容器的类型和结构种类比较多，因此，使用者不仅需要了解各类电容器的性能指标和一般特性，而且还必须了解在给定用途下各种元件的优缺点、机械或环境的限制条件等。下文介绍电容器的主要参数及应用，可供读者选择电容器种类时用。 1、标称电容量(CR)：电容器产品标出的电容量值。 云母和陶瓷介质电容器的电容量较低(大约在5000pF以下)；纸、塑料和一些陶瓷介质形式的电容量居中(大约在0005F10F)；通常电解电容器的容量较大。这是一个粗略的分类法。 2

32、、类别温度范围：电容器设计所确定的能连续工作的环境温度范围，该范围取决于它相应类别的温度极限值，如上限类别温度、下限类别温度、额定温度(可以连续施加额定电压的最高环境温度)等。 3、额定电压(UR)：在下限类别温度和额定温度之间的任一温度下，可以连续施加在电容器上的最大直流电压或最大交流电压的有效值或脉冲电压的峰值。 电容器应用在高压场合时，必须注意电晕的影响。电晕是由于在介质/电极层之间存在空隙而产生的，它除了可以产生损坏设备的寄生信号外，还会导致电容器介质击穿。在交流或脉动条件下，电晕特别容易发生。对于所有的电容器，在使用中应保证直流电压与交流峰值电压之和不的超过直流电压额定值。 4、损耗

33、角正切(tg)：在规定频率的正弦电压下，电容器的损耗功率除以电容器的无功功率。 这里需要解释一下，在实际应用中，电容器并不是一个纯电容，其内部还有等效电阻，它的简化等效电路如下图所示。图中C为电容器的实际电容量，Rs是电容器的串联等效电阻，Rp是介质的绝缘电阻，Ro是介质的吸收等效电阻。对于电子设备来说，要求Rs愈小愈好，也就是说要求损耗功率小，其与电容的功率的夹角要小。 这个关系用下式来表达： tg=Rs/Xc=2fcRs 因此，在应用当中应注意选择这个参数，避免自身发热过大，以减少设备的失效性。 5、电容器的温度特性：通常是以20基准温度的电容量与有关温度的电容量的百分比表示。 补充： 1

34、、电容在电路中一般用“C”加数字表示（如C13表示编号为13的电容）。电容是由两片金属膜紧靠，中间用绝缘材料隔开而组成的元件。电容的特性主要是隔直流通交流。 电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关。 容抗XC=1/2f c (f表示交流信号的频率，C表示电容容量)电话机中常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容等。 2、识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉（F）表示，其它单位还有：毫法（mF）、微法（F）/mju:/、纳法（nF）、皮

35、法（pF）。其中：1法拉=1000毫法（mF），1毫法=1000微法（F），1微法=1000纳法(nF)，1纳法=1000皮法(pF) 容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10 F/16V 容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示 字母表示法：1m=1000 F 1P2=1.2PF 1n=1000PF 数字表示法：三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数宇，第三位数宇表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pF。 如：102表示标称容量为1000pF。 221表示标称容量为220pF。 224表示标称容量为22x10(4)pF。 在这种表示法中

36、有一个特殊情况，就是当第三位数字用9表示时，是用有效数宇乘上10-1来表示容量大小。 如:229表示标称容量为22x(10-1)pF=2.2pF。 允许误差 1% 2% 5% 10% 15% 20% 如：一瓷片电容为104J表示容量为0.1 F、误差为5%。 6使用寿命：电容器的使用寿命随温度的增加而减小。主要原因是温度加速化学反应而使介质随时间退化。 7绝缘电阻：由于温升引起电子活动增加，因此温度升高将使绝缘电阻降低。 电容器包括固定电容器和可变电容器两大类，其中固定电容器又可根据所使用的介质材料分为云母电容器、陶瓷电容器、纸/塑料薄膜电容器、电解电容器和玻璃釉电容器等；可变电容器也可以是玻

37、璃、空气或陶瓷介质结构。以下附表列出了常见电容器的字母符号。 电容分类： 1、电解电容 2、固态电容 3、陶瓷电容 4、钽电解电容 5、云母电容 6、玻璃釉电容 7、聚苯乙烯电容 8、玻璃膜电容 9、合金电解电容 10、绦纶电容 11、聚丙烯电容 12、泥电解 13、有极性有机薄膜电容 14、铝电解电容 编辑本段电容一般的选用 低频中使用的范围较宽，如可以使用高频特性比较差的；但是在高频电路中就有了很大的限制了，一旦选择不当会影响电路的整体工作状态； 一般的电源里用的有电解电容、和瓷片电容、但是在高频中就要使用云母等价格较贵的电容，就不可以使用绦纶的电容，和电解的电容，因为它们在高频情况下会形

38、成电感，以致影响电路的工作精度。 编辑本段电容器标称电容值 E24 E12 E6 E24 E12 E6 1.0 1.0 1.0 3.3 3.3 3.3 1.1 3.6 1.2 1.2 3.9 3.9 1.3 4.3 1.5 1.5 1.5 4.7 4.7 4.7 1.6 5.1 1.8 1.8 5.6 5.6 2.0 6.2 2.2 2.2 2.2 6.8 6.8 6.8 2.4 7.5 2.7 2.7 8.2 8.2 3.0 9.1 注：用表中数值再乘以10n来表示电容器标称电容量，n为正或负整数。 主要参数的意义：标称容量以及允许偏差：目前我国采用的固定式标称容量系列是：E24，E12,E

39、6系列。他们分别使用的允许偏差是+-5% +-10% +-20%。 编辑本段电容器主要特性参数 1、标称电容量和允许偏差 标称电容量是标志在电容器上的电容量。 电容器实际电容量与标称电容量的偏差称误差，在允许的偏差范围称精度。 精度等级与允许误差对应关系：00（01）-1%、0（02）-2%、-5%、-10%、-20%、 -（+20%-10%）、-（+50%-20%）、-（+50%-30%） 一般电容器常用、级，电解电容器用、级，根据用途选取。 2、额定电压 在最低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的最高直流电压有效值，一般直接标注在电容器外壳上，如果工作电压超过电容器的耐压，电容器击穿

40、，造成不可修复的永久损坏。 3、绝缘电阻 直流电压加在电容上，并产生漏电电流，两者之比称为绝缘电阻. 当电容较小时，主要取决于电容的表面状态，容量0.1uf时，主要取决于介质的性能，绝缘电阻越大越好。 电容的时间常数：为恰当的评价大容量电容的绝缘情况而引入了时间常数，他等于电容的绝缘电阻与容量的乘积。 4、损耗 电容在电场作用下，在单位时间内因发热所消耗的能量叫做损耗。各类电容都规定了其在某频率范围内的损耗允许值，电容的损耗主要由介质损耗，电导损耗和电容所有金属部分的电阻所引起的。 在直流电场的作用下，电容器的损耗以漏导损耗的形式存在，一般较小，在交变电场的作用下，电容的损耗不仅与漏导有关，而

41、且与周期性的极化建立过程有关。 5、频率特性 随着频率的上升，一般电容器的电容量呈现下降的规律光电耦合器（简称光耦）是开关电源电路中常用的器件。光电耦合器分为两种：一种为非线性光耦，另一种为线性光耦。常用的4N系列光耦属于非线性光耦常用的线性光耦是PC817AC系列。非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的，这类光耦适合于弄开关信号的传输，不适合于传输模拟量。线性光耦的电流传输手特性曲线接进直线，并且小信号时性能较好，能以线性特性进行隔离控制。开关电源中常用的光耦是线性光耦。如果使用非线性光耦，有可能使振荡波形变坏，严重时出现寄生振荡，使数千赫的振荡频率被数十到数百赫的低频振荡依次为号调制。由此

42、产生的后果是对彩电，彩显，VCD，DCD等等，将在图像画面上产生干扰。同时电源带负载能力下降。在彩电，显示器等开关电源维修中如果光耦损坏，一定要用线性光耦代换。常用的4脚线性光耦有PC817A-C。PC111 TLP521等常用的六脚线性光耦有：TLP632 TLP532 PC614 PC714 PS2031等。常用的4N25 4N26 4N35 4N36是不适合用于开关电源中的，因为这4种光耦均属于非线性光耦。以下是目前市场上常见的高速光藕型号：100K bit/S:6N138、6N139、PS87031M bit/S:6N135、6N136、CNW135、CNW136、PS8601、PS8

43、602、PS8701、PS9613、PS9713、CNW4502、HCPL-2503、HCPL-4502、HCPL-2530（双路）、HCPL-2531（双路）10M bit/S:6N137、PS9614、PS9714、PS9611、PS9715、HCPL-2601、HCPL-2611、HCPL-2630（双路）、HCPL2631（双路）光耦合器的增益被称为晶体管输出器件的电流传输比 (CTR)，其定义是光电晶体管集电极电流与LED正向电流的比率(ICE/IF)。光电晶体管集电极电流与VCE有关，即集电极和发射极之间的电压。可控硅型光耦还有一种光耦是可控硅型光耦。例如：moc3063、IL42

44、0；它们的主要指标是负载能力；例如：moc3063的负载能力是100mA；IL420是300mA；光耦的部分型号芯片解密基础知识:IC命名规则日期：10-03-12 来源：原创 作者：admin 热度：5 IC命名规则是每个芯片解密从业人员应当了解和掌握的IC基础知识，一下详细地列出了IC命名规则，希望对你的芯片解密工作有所帮助。一个完整的IC型号一般都至少必须包含以下四个部分：.前缀（首标）-很多可以推测是哪家公司产品.器件名称-一般可以推断产品的功能（memory可以得知其容量）.温度等级-区分商业级，工业级，军级等.封装-指出产品的封装和管脚数有些IC型号还会有其它内容：.速率-如mem

45、ory，MCU，DSP，FPGA等产品都有速率区别，如-5，-6之类数字表示.工艺结构-如通用数字IC有COMS和TTL两种，常用字母C，T来表示.是否环保-一般在型号的末尾会有一个字母来表示是否环抱，如Z，R，+等.包装-显示该物料是以何种包装运输的，如tube，T/R，rail，tray等.版本号-显示该产品修改的次数，一般以M为第一版本.该产品的状态举例：EP 2C70 A F324 C 7 ES ：EP-altera公司的产品；2C70-CYCLONE2系列的FPGA；A-特定电气性能；F324-324pin FBGA封装；C-民用级产品；7-速率等级；ES-工程样品MAX 232 A C P E + ：MAX-maxim公司产品；232-接口IC；A-A档；C-民用级；P-塑封两列直插；E-16脚；+表示无铅产品Maxim产品命名规则绝大多数Maxim产品采用公司专有的命名系统，包括基础型号和后续的3个或4个字母尾缀，有时还带有其它标识符号。例如:NamingConvention.gif (2 KB)2007-8-16 19:18(A)是基础型号 (B)是3字母或4字母尾缀 器件具有4个尾缀字母时，第一个尾标代表产品的等级(精