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1、装片工序简介,Prepared By:李晓鹏 Date: 2016.04.19,目录,一:半导体产业链及封测流程介绍 介绍封测及装片在半导体产业链的位置 二: 装片介绍 装片人员介绍 装片机台介绍 装片物料介绍 装片方法介绍 装片环境介绍 测量系统介绍 三: 装片工艺趋势及挑战 介绍IC封装的roadmap 介绍装片困难点及发展趋势 四:特殊封装工艺 锡膏/共晶/铅锡丝及FC工艺,2,半导体产业链介绍,Assy&test流程介绍,3,装片介绍,装片解释: 又称DA(Die Attach)或DB(Die Bond)，目的为将磨划切割好的芯片固定在框架上以便后续工序作业，是封装的一个重要流程，影响
2、整个芯片封装。 装片作用： a. 使芯片和封装体之间产生牢靠的物理性连接 b. 在芯片或封装体之间产生传导性或绝缘性的连接 c. 提供热量的传导及对内部应力的缓冲吸收 3. 装片因素图示：,4,装片因素-人,输入,输出,设备操作,机台正常运行/参数输 入正确,作业方法,作业环境,测量方法,原物料准备,正确的无不良的物料,针对不可控因素人，通过规范标准等方法管控,人,管控方法,MES/物料handling指导书,PM check list/改机查检表/ 参数查检表,SPEC/WI/OCAP,规范的作业方法,SPEC,SOP/PFMEA,规范的作业环境,测量数据准确无偏差,5,装片因素-机,标准装
3、片生产设备图示,装片设备种类,6,装片因素-机,标准装片设备关键能力,7,装片因素-机,标准装片设备作业原理,Pick,Dispenser,8,装片因素-机,烘烤设备图示,烘烤设备关键能力,9,装片因素-机,烘烤设备原理,为了使胶固化，需要对装片后的产品进行高温烘烤，固化后胶质凝固，芯片与基板结合更加牢固。,胶固化条件，依不同胶的特性，存在不同的烘烤条件。,烘烤控制的参数： 升温速率 烘烤温度 恒温时间 氮气流量,挥发,10,量测设备,装片因素-机,11,量测设备检测项目及检出异常处理措施,装片因素-机,12,存储设备,装片因素-机,13,装片因素-料,14,直接材料-框架图示,装片因素-料,
4、LF,Substrate,15,直接材料-框架特性,装片因素-料,16,装片因素-料,粘着剂的工艺流程,点胶,17,装片因素-料,直接材料-粘着剂特性,18,直接材料-芯片图示及芯片结构,装片因素-料,19,直接材料-芯片特性,装片因素-料,Si芯片工作原理图,GaAs芯片工作原理图,20,间接材料-顶针,装片因素-料,多顶针排布，顶针共面性,单顶针排布,技术指标：,长度,直径,顶针顶部球径,角度,21,间接材料-顶针选用rule,装片因素-料,22,间接材料-吸嘴,装片因素-料,橡胶吸嘴,电木吸嘴,塑料吸嘴,钨钢吸嘴,技术指标：吸嘴孔径、吸嘴外围尺寸、吸嘴材质（耐高温、吸嘴硬度）,23,间接
5、材料-吸嘴选用rule,装片因素-料,24,间接材料-点胶头,装片因素-料,25,间接材料点胶头选用rule,装片因素-料,26,装片因素-法,系统管理方法,27,装片因素-法,规范管制,输入,输出,机台正常运行/参数输 入正确,正确的无不良的物料,规范的作业方法,规范的作业环境,测量数据准确无偏差,设备操作,作业方法,作业环境,测量方法,原物料准备,人员,按照标准作业,28,装片因素-环境,29,装片因素-测,测量系统的能力-3个重要指数,测量系统,30,装片工艺趋势及挑战,IC封装roadmap,31,装片工艺趋势及挑战,IC的封装形式,1. 按封装外型可分为： SOT 、QFN 、SOIC、TSSOP、QFP、BGA、CSP/WLSP等； 2. 封装形式和工艺的发展趋势: 封装效率：芯片面积/封装面积，尽量接近1:1； 封装厚度：封装体厚度越来越薄小，且功能越来越强，需集成多颗芯片； 引脚数：引脚数越多，越高级，但是工艺难度也相应增加；,封装形式和工艺逐步高级和复杂,32,装片特殊工艺,锡膏/共晶/铅锡丝,33,装片特殊工艺,FC,34,35,Innovations for Value,