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1、2017 年秋学期盐南中等专业学校15综合（4）班汽修专业汽车电工电子基础第五章单元练习一一、填空1、物质按导电性能分为、。2、半导体中具有和两种载流子，是区别于导体的主要标志。3、PN结的正向偏置接法是：P 区接电源的极、 N区接电源的极；PN结的反向偏置接法是：P 区接电源的极、 N区接电源的极。4、晶体二极管中 PN结的电场方向是由指向的。5、二极管导通后，硅管的管压降约为V，锗管的管压降约为V。6、二极管的核心是具有一个PN结， PN结具有导电性，即加正向电压时 PN结，加反向电压时PN结。7、二极管在选用时常考虑的两个主要参数为8、晶体管是一个由极、极、和极和结、。结两个 PN结构成
2、的电流放大元器件。9、三极管处于饱和状态时，其集电结处于状态；三极管处于截止状态时，其基极电流应为。10、晶体管作开关使用时工作在区和区。二、判断1、本征半导体的导电性能介于导体和绝缘体之间。（）2、在一块纯净半导体掺入微量硼元素形成P 型半导体。（）3、二极管具有单向导电性。（）4、当整流器中二极管两端加上正向电压时，二极管就会导通。（）5、制作二极管利用的是PN结的掺杂特性。（）6、因为N型半导体中的自由电子多于空穴，P 型半导体中的空穴多于自由电子，所以N型半导体带负电，P 型半导体带正电。（）7、硅稳压管当反向击穿电压消失后，仍能恢复单向导电性。（）8、用万用表 R*100 的欧姆挡测
3、量一只半导体二极管，其正反向电阻都呈现出很小的阻值，则这只二极管的PN结已被烧断。（）9、放大区、截止区和饱和区都是晶体管的正常工作区。（）10、晶体管由两个 PN结组成，所以能用两个二极管反向连接起来充当晶体管使用。（）三、选择1、在下列半导体材料中，热敏特性突出的是（）。A、本征半导体B、P 型半导体C、 N 型半导体D、PN结2、PN结加正向电压时（），加反向电压时（）。A、反向截止的工作状态B、正向导通的工作状态C、维持原来的工作状态D、处于不确定的工作状态3、稳压管的工作区是在其伏安特性的（）。A 、正向特性区B 、反向特性区C 、反向击穿区D 、正向导通区4、硅二极管的正向导通电压
4、为（）V。A、0.1 ? 0.3B、0.5C、 0.6 ? 0.7D 、0.35、利用二极管的（），可以把交流电变成直流电。A、非线性B、单向导电性C、钳压性D、热敏性6、二极管的特性之一是（）。A、饱和性B、放大性C、正向截止性D、单向导电性7、可以用来整流的器件为（）A、本征半导体B 、掺杂半导体 C、晶体二极管D 、三极管8、测量二极管主要指测量二极管的好坏用万用表的（）。A、欧姆档B、电流档C 、电压档D、不能测量9、工作电路中 PNP 型三极管各个极的电位关系如下, 符合放大状态的是 （）。A、VB VC VEB、VEVCVBC、V VB VCD、V VB VEEC10、三极管处于（
5、工作在）饱和状态的工作条件是（）。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏，集电结正偏C、发射结正偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏四、名词解释1、PN结2、三极管的特性曲线3、（普通二极管）击穿4、穿透电流（三极管）五、问答（简答）1、简述二极管的正向特性？2、填表：填写下表中三极管的工作状态：发射结正偏反偏正偏集电结正偏反偏反偏工作状态3、判断下列三极管的状态（保留解题过程）六、分析计算1、已知某三极管的电路中I E=6.02mA， I C=6.00mA，试求 I B，。2、已知三极管的 =85，I CBO=2A，当 I B=12A 时，求 I C 为多少？3、已知三极管发射极电流的
6、变化量I E=9mA，集电极电流的变化量I C=8.8mA，试计算基极电流的变化量I B 及电流放大系数。2017 年秋学期盐南中等专业学校15综合（4）班汽修专业汽车电工电子基础第五章单元练习二一、填空1、晶体二极管具有导电性。2、某三极管基极电流为80uA、发射极电流为2mA,则集电极电流为。3、纯净的半导体被称为，目前，用于半导体器件的材料主要有、，其中以和最为常用。4、二极管最显著的特性是：。5、本征半导体是指：半导体。当温度升高时，本征半导体的导电能力会。6、二极管的伏安特性可以简单理解为：导通、截止的特性。7、二极管导通时，正向压降硅管为V，锗管为V。8、二极管的伏安特性是，二极管
7、是一种元件。在外加电压取不同值时，就可以使二极管工作在区域。9、硅稳压管当电压消失后，仍能恢复单向导电性。10、N 型半导体也称为半导体，其多数载流子是。11 、锗管的死区电压为0?V,硅管的死区电压为0?V。12、N型半导体在单晶半导体中掺入微量的五价元素（如：磷元素），就会产生大量的，使其导电能力大大增强，这种半导体中数远远大于数，所以又称为型半导体。13、PN结具有单向导电性， 即加正向电压时，加反向电压时。14、二极管按所用材料可分为和两类；按部结构的不同可分为和两种，其中二极管主要用于高频检波、 脉冲数字电路，二极管一般用于整流电路。 （二极管按结构形式不同，可分为和两种；按芯片材料
8、不同，主要有和两种。）15、半导体的三个特点是、和。16、在本征半导体中掺入元素，可形成N 型半导体，其中：为多数载流子。17、三极管的三个电极分别称为极、极、极。18、根据晶体管的工作状态不同，通常可在输出特性曲线上划分三个区域，它们分别是、。19、晶体二极管具有性，其开关特性是指二极管正向偏置时相当于开关，二极管反向偏置时相当于开关。20、晶体三极管的开关特性是指三极管工作于饱和状态时相当于开关，三极管工作于截止状态时相当于开关，而三极管的状态只是数字电路的过渡过程。二、判断1、硅二极管的导通压降大于锗二极管。（）2、三极管只有工作在放大状态，才具有I C= I B。（3、在 P 型半导体
9、中，空穴是多数载流子，所以带正电。（4、在 N 型半导体中，电子是多数载流子, 所以带负电。（5、半导体的导电性能介于导体和绝缘体之间。（）6、只有 PN结才具有单向导电性。（）7、最大反向工作电压是指二极管在工作时所能承受的最大反向电压值，通常取二极管反向击穿电压的一半。（）8、一般二极管运用在正向导通区。（）9、无论是一般二极管还是稳压二极管都需要有用来限流的电阻。（）10、本征半导体在实际中几乎没有运用。（）11、二极管加正向电压截止，加反向电压导通。（）12、在 P型半导体中，空穴是多数载流子。（）13、无论是 P 型半导体，还是N 型半导体，都呈现电中性。（） 无论是型、 N 型半导
10、体都不呈现电中性。（）14、二极管是根据PN结单导电的特性制成的，因此，二极管也具有单向导电性。（）15、一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。（）16、PN结是构成二极管、三极管和集成电路等器件的基础。（）P17、二极管中只有稳压二极管运用于反向偏置状态。（）三、选择1、稳压二极管正常工作时应（）。A、加正向电压，使其工作在导通状态B、加反向电压，使其工作在截止状态C、加反向电压，使其工作在反向击穿区2、三极管的哪两个区半导体类型相同（）。A、基区和发射区B、基区和集电区C、发射区和集电区3、P 型半导体中空穴多余电子，则P 型半导体呈现的电性为（）。A、正电B 、负电C 、电
11、中性D 、不确定4、硅二极管正偏时， 当电压等于 0.5V 时与正偏电压等于0.7V 时二极管呈现的电阻大小是（）。A、完全相同B 、不相同的C 、维持不变的D、无关联性5、用万用表的欧姆档测量二极管的正向电阻，测得的阻值为最小时，用的是（）。A、R10 档 B 、 R100 档 C 、 R1K档 D、 R10K 档6、用万用表的不同欧姆档测量二极管的正向电阻时，会观察到其测得的阻值不同，究其根本原因是（）。A、万用表在不同的欧姆档有不同的阻B 、二极管有非线行的特性C、二极管的质量差D、二极管的参数具有离散性7、锗管的正向电阻为（）欧。A、几百千 ? 几千千B、100? 1KC 、 200K
12、 以上 D 、无定论 A、小于 1K 欧 B 、1? 5K欧 C 、5? 10K欧 D 、10K欧以上8、激光二极管属于（）类激光器。A、半导体类B、 固体类C、 . 气体类D、 液体类9、2AP9为（）普通二极管。A 、N型锗材料 B 、P型锗材料 C 、N型硅材料 D 、P型硅材料10、当电场方向与PN 结电场方向相同时 , 二极管处于（）状态。A、截止B、导通C、稳压D、放大四、名词解释1、本征半导体2、三极管饱和压降3、半导体及其特性4、PN结的单向导电性五、问答（简答）1、简术整流的意义和实现过程。2、简述稳压 二极管的稳压特性。3、简述晶体管的三种工作状态并分别说明工作条件？六、分析计算1、参数如图所示，分别求出各电阻和二极管上的电流和电压。79.310VVD2、当晶体管 UCE=15V时，基极电流 I B=20 A，集电极电流 I C=2mA，这时晶体管的 是多少？如果 I B=25 A，集电极电流 I C=2.6mA， 又是多少？