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1、J I A N G S U U N I V E R S I T Y 传感器课程设计说明书霍尔电流传感器设计学院名称： 机 械 工 程 学 院 专业班级： 测控技术与仪器0902 班 学生学号： 3090302033 学生姓名： 张 娅 雯 指导教师姓名： 鲍 丙 豪 2011年 1 月目录1、引言- 2 -2、霍尔效应的应用与发展- 3 -2.1 霍尔效应原理- 3 -2.2 霍尔元件的应用与当前发展状况- 5 -2.3 霍尔效应应用中存在的问题与注意事项- 5 -2.4 研究领域的展望- 6 -2.5 在应用领域方面的展望- 6 -2.5.1 新的霍尔元件结构- 6 -2.5.2 微型化-
2、7 -2.5.3 高灵敏度- 7 -2.5.4 高集成度- 7 -3、霍尔电流传感器的设计- 8 -3.1 设计任务书- 8 -3.2 方案设计-设计原理及思路- 8 -3.2.1 霍尔元件- 11 -3.2.2 芯片CA3140- 13 -3.3 单元电路设计- 14 -3.3.1 放大电路- 14 -3.3.2 不等位电势的消除- 15 -3.3.3 失调电路- 15 -4、实验结果与误差分析- 16 -4.1 实验数据获取与分析- 16 -4.2 误差分析- 18 -5、总结- 18 -参考文献- 20 -致谢- 20 -1、引言传感器技术是利用各种功能材料实现信息检测的一门综合技术学科
3、，是在现今科学领域中实现信息化的基础技术之一。现代测量、控制与自动化技术的飞速发展，特别是电子信息科学的发展，极大地促进了现代传感器技术的发展。同时，我们也看到，传感器在日常生活中的运用越来越广泛，可以说它已成为了测试测量不可或缺的环节。因此，学习、研究并在实践中不断运用传感器技术是具有重大意义的。伴随着城市人口和建设规模的扩大，各种用电设备的增多，用电量越来越大，城市的供电设备经常超负荷运转，用电环境变得越来越恶劣，对电源的“考验”越来越严重。据统计，每天用电设备都要遭受120 次左右各种电源问题的侵扰，电子设备故障的60%来自电源。因此，电源问题的重要性日益凸显出来。原先作为配角，资金投入
4、较少的电源越来越受到厂商和研究人员的重视，电源技术遂发展成为一门崭新的技术。而今，小小的电源设备已经融合了越来越多的新技术。例如开关电源、硬开关、软开关、参数稳压、线性反馈稳压、磁放大器技术、数控调压、PWM、SPWM、电磁兼容等。实际需求直接推动电源技术不断发展和进步，为了自动检测和显示电流，并在过流、过压等危害情况发生时具有自动保护功能和更高级的智能控制，具有传感检测、传感采样、传感保护的电源技术渐成趋势。检测电流或电压的传感器，即霍尔电流传感器便应运而生并在我国开始受到广大电源设计者的青睐。霍尔电流传感器具有如下优点：1. 测量范围广：它可以测量任意波形的电流和电压，如直流、交流、脉冲、
5、三角波形等，甚至对瞬态峰值电流、电压信号也能忠实地进行反映。2. 响应速度快：最快者响应时间只为1us。3. 测量精度高：其测量精度优于1%，该精度适合于对任何波形的测量。普通互感器是感性元件，接入后影响被测信号波形，其一般精度为3%5%，且只适合于50Hz 正弦波形。4. 线性度好：优于0.2% 。5. 动态性能好：响应时间快，可小于1us;普通互感器的响应时间为1020ms。6. 工作频带宽：在0100KHz 频率范围内的信号均可以测量。7. 可靠性高，平均无故障工作时间长：平均无故障时间5 10 小时。 8. 过载能力强、测量范围大：0-几十安培上万安培 。9. 体积小、重量轻、易于安装
6、。由于霍尔电流电压传感器以上的优点，故而可广泛应用与变频调速装置、逆变装置、UPS 电源、逆变焊机、电解电镀、数控机床、微机监测系统、电网监控系统和需要隔离检测电流电压的各个领域中。因此，我们有必要对霍尔电流传感器进行进一步的了解，了解其硬件组成，了解其工作原理，了解其误差来源等。本课程设计过程中，我们将自行制作一个霍尔电流传感器，并用其检测电流。2、霍尔效应的应用与发展2.1 霍尔效应原理1879年霍尔(A.H.Hall)在实验中发现：在均匀强磁场B中放入一块板状金属导体，并与磁场B方向垂直如图1，在金属板中沿与磁场B垂直的方向通以电流I的时候，在金属板上下表面之间会出现横向电势差UH 这种
7、现象称为霍尔效应，电势差UH 称为霍尔电势差。进一步的观察实验还指出，霍尔电势差UH 大小与磁感应强度B和电流强度I的大小都成正比，而与金属板的厚度d成反比。即UH =RHIB/d (V)； 式中RH（m3C-1）仅与导体材料有关，称为霍尔系数。当时虽然发现了霍尔效应现象，但在发现电子以前，人们不知道导体中的载流子是什么，不能从电子运动的角度加以解释霍尔效应的物理现象，现在我们按电子学理论对霍尔效应做了如下的解释：金属中的电流就是自由电子的定向流动，运动中的电子在磁场中要受到洛仑兹力的作用。设电子以定向速度 运动，在磁场B中（ ），电子就要受到力f=e 的作用，沿着f所指的方向漂移，从而使导体
8、上表面积累过多的电子，下表面出现电子不足，从而在导体内产生方向向上的电场。当这电场对电子的作用力eEH 正好与磁场作用力f相平衡时，达到稳定状态。霍尔效应被发现后，人们做了大量的工作，逐渐利用这种物理现象制成霍尔元件。霍尔元件一般采用N型锗（Ge）,锑化铟（InSb）和砷化铟（InA）等半导体材料制成。锑化铟元件的霍尔输出电势较大，但受温度的影响也大；锗元件的输出电势小，受温度影响小，线性度较好。因此，采用砷化铟材料做霍尔元件受到普遍的重视。霍尔器件是一种磁传感器。用它们可以检测磁场及其变化，可在各种与磁场有关的场合中使用。按照霍尔器件的功能可将它们分为: 霍尔线性器件和霍尔开关器件。前者输出
9、模拟量，后者输出数字量。霍尔器件以霍尔效应为其工作基础。 霍尔器件具有许多优点，它们的结构牢固，体积小，重量轻，寿命长，安装方便，功耗小，频率高（可达1MHZ），耐震动，不怕灰尘、油污、水汽及盐雾等的污染或腐蚀。 霍尔线性器件的精度高、线性度好；霍尔开关器件无触点、无磨损、输出波形清晰、无抖动、无回跳、位置重复精度高（可达m级）。取用了各种补偿和保护措施的霍尔器件的工作温度范围宽，可达55150。 按被检测的对象的性质可将它们的应用分为:直接应用和间接应用。前者是直接检测出受检测对象本身的磁场或磁特性，后者是检测受检对象上人为设置的磁场，用这个磁场来作被检测的信息的载体，通过它，将许多非电、非
10、磁的物理量例如力、力矩、压力、应力、位置、位移、速度、加速度、角度、角速度、转数、转速以及工作状态发生变化的时间等，转变成电量来进行检测和控制。2.2 霍尔元件的应用与当前发展状况自从霍尔效应被发现100多年以来,它的应用经历了三个阶段: 第一阶段是从霍尔效应的发现到20世纪40年代前期。最初,由于金属材料中的电子浓度很大,而霍尔效应十分微弱,所以没有引起人们的重视。这段时期也有人利用霍尔效应制成磁场传感器,但实用价值不大,到了1910年有人用金属铋制成霍尔元件,作为磁场传感器。但是,由于当时未找到更合适的材料,研究处于停顿状态。 第二阶段是从20世纪40年代中期半导体技术出现之后,随着半导体
11、材料、制造工艺和技术的应用,出现了各种半导体霍尔元件,特别是锗的采用推动了霍尔元件的发展,相继出现了采用分立霍尔元件制造的各种磁场传感器。 第三阶段是自20世纪60年代开始,随着集成电路技术的发展,出现了将霍尔半导体元件和相关的信号调节电路集成在一起的霍尔传感器。进入20世纪80年代,随着大规模超大规模集成电路和微机械加工技术的进展,霍尔元件从平面向三维方向发展,出现了三端口或四端口固态霍尔传感器,实现了产品的系列化、加工的批量化、体积的微型化。霍尔集成电路出现以后，很快便得到了广泛应用。霍尔集成电路克在以下方面应用：（1）测量载流子浓度（2）测量磁场强度（3）测量电流强度（4）测量微小位移（
12、5）压力传感器（6）霍尔加速度传感器2.3 霍尔效应应用中存在的问题与注意事项应用霍尔效应制作的传感器对均匀、恒定磁场测量的准确度一般在5%0.5%，高精度的测量准确度可以达到0.05%。但对磁体表面的非均匀磁场的测量就谈不上准确度了。往往是不同的仪表，或同型号的仪表，不同的探头，或同一支探头的不同侧面。去测量同一磁体表面，同一位置（应该说看上去是同一位置）的磁场时，显示的结果大不一样，误差可以超过20%，甚至50%。 在实际应用中，伴随霍尔效应经常存在其他效应。例如实际中载流子迁移速率u服从统计分布规律，速度小的载流子受到的洛伦兹力小于霍尔电场作用力，向霍尔电场作用力方向偏转，速度大的载流子
13、受到磁场作用力大于霍尔电场作用力，向洛伦兹力方向偏转。这样使得一侧告诉载流子较多，相当于温度较高，而另一侧低速载流子较多，相当于温度较低。这种横向温差就是温差电动势VE，这种现象称为爱延豪森效应。这种效应建立需要一定时间，如果采用直流电测量时会因此而给霍尔电压测量带来误差，如果采用交流电，则由于交流变化快使得爱延豪森效应来不及建立，可以减小测量误差。 此外，在使用霍尔元件时还存在不等位电动势引起的误差，这是因为霍尔电极不可能绝对对称焊在霍尔片两侧产生的。由于目前生产工艺水平较高，不等位电动势很小，故一般可以忽略，也可以用一个电位器加以平衡。 2.4 研究领域的展望 自从1879年24岁的研究生
14、霍尔（Edwin H. Hall）在发现霍尔效，随着半导体物理学的迅猛发展，霍尔系数和电导率的测量已经称为研究半导体材料的主要方法之一。通过实验测量半导体材料的霍尔系数和电导率可以判断材料的导电类型、载流子浓度、载流子迁移率等主要参数。若能测得霍尔系数和电导率随温度变化的关系，还可以求出半导体材料的杂质电离能等参数。在霍尔效应发现约100年后，德国物理学家克利青(Klaus von Klitzing)等研究半导体在极低温度和强磁场中发现了量子霍尔效应，它不仅可作为一种新型电阻标准，还可以改进一些基本产量的精确测定，是当代凝聚态物理学和磁学令人惊异的进展之一，克利青为此发现获得1985年诺贝尔物
15、理学奖。其后美籍华裔物理学家崔琦(D. C. Tsui)和施特默在更强磁场下研究量子霍尔效应时发现了分数量子霍尔效应。它的发现使人们对宏观量子现象的认识更深入一步，他们为此发现获得了1998年诺贝尔物理学奖。日本的物理学家日前发现。理论上來说,光学也有等同于霍尔效应的现象发生。而且此理论应该可以利用偏振光加以实验证明。 2.5 在应用领域方面的展望2.5.1 新的霍尔元件结构常规霍尔元件要求磁场垂直于霍尔元件，且在整个霍尔元件上是均匀磁场。而在其他情况，需要根据磁场分布情况，设计各种各样相应的非平面霍尔结构。其中，垂直式霍尔器件是一种最近新发展出来的。这种垂直式霍尔片具有低噪声、低失调和高稳定
16、性的特点。目前根据这种原理国际上开展了许多研究项目。 2.5.2 微型化瑞士联邦技术研究所最新研制的超小型三维霍尔传感器工作面不到300300um，只有六个管脚。这种器件特别适合用于空间窄小的检测环境，例如电动机中的间隙、磁力轴承以及其他象永磁体扫描等需接近测量表面的场合。 2.5.3 高灵敏度有资料显示，有一种高灵敏度霍尔传感器，它基于霍尔传感器原理，并且集成了磁通集中器。产品的主要创新就在于利用了成熟的微电子集成工艺，制造低成本的磁通集中器。其磁通集中器直接集成在已带有成千霍尔敏感单元的硅片上，再将硅片切割成单个的霍尔探针，最后封装成标准的集成电路芯片。这种集成化的磁通集中器的单元成本只占
17、传感器成本的六分之一，传感器的检测灵敏度却可提高五倍以上。 2.5.4 高集成度国外霍尔传感器的发展方向就是采用CMOS技术的高度集成化，同样功能可以集成在非常小的芯片内，如信号预处理的最主要部分已在霍尔器件上完成，其中包括前置放大、失调补偿、温度补偿、电压恒定，并且可以在芯片上集成许多附加功能，如数据存储单元、定时器A/D转换器、总线接口等，所有这些都采用CMOS标准，它们开辟了霍尔器件新的应用领域。目前，铁磁层的集成技术在磁传感器领域开创了新的研究方向，许多研究人员正致力于这方面的研究，进行中的各种课题包括二维和三维霍尔传感器，磁断续器和磁通门等等。 综上所述，由于采用了微电子工艺，硅霍尔
18、传感器能很好的适用于许多工业应用。近期硅霍尔传感器的研究进展开辟了许多新的应用，例如单芯片三维高精度磁探头，无触点角位置测量，微电机的精确控制，微型电流传感器和磁断续器，以及今后将被开发的其他崭新应用。此外，为了提高电压灵敏度和横向温度灵敏度、减少失调电压,还将出现新的测量原理与方法,例如等离子霍尔效应及其传感器。 随这人类科技的进步，人们对自然认识的逐步加深，将创造出更辉煌的业绩。 3、霍尔电流传感器的设计3.1 设计任务书采用集成霍尔传感器制作电流传感器，具体要求如下：用集成的霍尔传感器制作用带空气隙的环形磁芯电流传感器。磁场由绕在磁芯上的电流线圈产生，该磁场被磁芯聚集后作用在霍尔元件上，
19、霍尔元件将磁场变电压。要制作电路消除零场的电压，再进行放大，用数字电压表显示被测值。3.2 方案设计-设计原理及思路设计了一种零磁通型霍尔电流传感器，可广泛应用于交流变频驱动、焊接电源、开关电源、不间断电源等领域。该零磁通型霍尔电流传感器通过砷化镓霍尔元件检测由通电电流产生的磁场，继而有效地检测被测电流。由于霍尔元件产生的霍尔电势很微弱，而且还存在较大的失调电压，因此对霍尔电压的放大和对不等位电势的补偿是该设计的两个主要需要解决的问题。系统设计框架系统分为3 个部分：1）霍尔元件的供电电路，由电压基准（电流基准）芯片为霍尔片提供工作电流；2）霍尔元件及磁，将感应片感应的磁场（该磁场由通电电流产
20、生）转化为霍尔电压；3）放大电路，将微弱的霍尔电压进行放大；其系统总流程图如图1 所示。霍尔元件放大电路基准电压（恒压源）图1绕在铁芯上的线圈在通电流时在铁芯中产生磁场，通上电流的集成霍尔元件在磁场的作用下，产生霍尔电动势，将产生的微小的霍尔电动势接入放大电路中，然后用数字电压表检测。通过数字读出数字电压报表的读数即可知道被测电流小。 上式中：Hg 表示空隙中的磁场强度 r Hm表示铁芯中的磁场强度 N表示线圈匝数 Sg表示磁芯两级所对的空隙的截面积 Sm表示铁芯的截面积 Bg表示空隙中的磁感应强度 Bm表示铁芯中的磁感应强度由上述公式得： 原理图、实物图和电路图如下所示：图 霍尔电流传感器原
21、理图 图 霍尔电流传感器实物图图3 霍尔电流传感器电路图3.2.1 霍尔元件集成霍尔元件3053输出电压与外加磁场强度呈线性关系，如图所示，可见，在B1B2的磁感应强度范围内有较好的线性度，磁感应强度超出此范围时则呈现饱和状态。 图 磁场与输出电动势的关系霍尔元件是将磁场转换为电信号的线性磁敏元件，霍尔输出电压 式中，S为乘积灵敏度，mV(mTmA)；Ic为工作电流，mA；B为磁感应强度，mT。本设计中，将霍尔元件放进开有气隙的集磁环的气隙里，并将霍尔元件和集磁环固定，这样可以感应出更大、更稳定的霍尔电势。式(1)中，当S与Ic一定，则Vh与B有直接线性关系。通电导体周围必然产生磁场，根据安培
22、定律，电流与磁场的关系式BdI=0I0得： 式中，0为真空磁导率，。 根据安培回路定律，可得到这种磁路形式的电流与磁场的关系 由式(6)可知，根据霍尔元件的乘积灵敏度S，工作电流Ic，真空磁导率0，被测电流I0，缠绕匝数N1，气隙长度l2，便可计算出霍尔电压Vh。而且可知，气隙长度l2越小，霍尔电压Vh越大，所以气隙应以刚好卡住霍尔元件为宜。铁芯结构 内径：20mm 外径：32mm厚度：10mm3.2.2 芯片CA3140由磁敏霍尔元件将集磁环收集到的磁场转换为弱电信号，输出一般为几毫伏的电压，需对其进行放大。这里采用CA3140 放大器，它通过改变电阻而改变放大倍数CA3140高输入阻抗运算
23、放大器,是美国无线电公司研制开发的一种BiMOS高电压的运算放大器在一片集成芯片上，该CA3140A和CA3140 BiMOS运算放大器功能保护MOSFET的栅极（PMOS上）中的晶体管输入电路提供非常高的输入阻抗，极低输入电流和高速性能。操作电源电压从4V至36V（无论单或双电源),它结合了压电PMOS晶体管工艺和高电压双授晶体管的优点。(互补对称金属氧化物半导体)卓越性能的运放。 图 芯片CA3140引脚分布图 引脚功能表: 引脚号 功能 引脚号 功能 1 OFFSET NULL 偏置(调零端) 5 OFFSET NULL 偏置(调零端)， 2 INV. INPUT 反向输入端 6 OUT
24、PUT输出 3 NON-INV INPUT 同向输入端 7 V+ 电源+4 V- 电源- 8 STROBE 选通端 3.3 单元电路设计3.3.1 放大电路 由磁敏霍尔元件将集磁环收集到的磁场转换为弱电信号，输出一般为几毫伏的电压，需对其进行放大。这里采用CA3140型仪器放大器，它通过改变电阻而改变放大倍数。CA3140的2、6引脚之间通过跨接1只100k的电阻来调整放大倍数。CA3140的引脚7、4分别接+12V、-12V的工作电压。其引脚3接至10k的电阻，构成放大十倍的放大关系，引脚2接可调电阻器后接地，可调电阻可用来平衡电路。3.3.2 不等位电势的消除由于霍尔元件的其中两只引脚被认
25、为的链接起来，从而造成了较大的不等位电势，我们需要消除它。通过测量，本实验所采用的霍尔元件的不等位电势为3.1V。通过可调节电阻和电阻的组合链接，从5V的恒定电压源上取出3.1V的电压。通过链接四个等值电阻和CA3140运放，构成减法器。正出入端接霍尔元件输出电压Ui，负输入端接入调节好的3.1V电压，这样得到的输出便是Ui-3.1，从而消除了不等位电势对实验结果测量的影响。3.3.3 失调电路如果运放两个两个输入端上的电压均为0V，则输出端的电压也应该为0V。但事实上，输出端总有一些电压，该电压称为失调电压。如果将输出端的失调电压除以电路的噪声增益，得到的结果称为输入失调电压。失调电压被等效
26、成一个与运放反相输入端串联的电压源，必须对放大电路的两个输入端施加差分电压，以产生0V输出。失调电路如图所示。 图 CA3140 失调电路4、实验结果与误差分析4.1 实验数据获取与分析用制作完成的霍尔电流传感器接至电流源上，改变电流的大小，读出数字电压表上的数据，记录在表格内。并且用MATLAB进行绘图和直线拟合，求出线性度。表1 输入电流与输出电压的数据记录电流/mA电压/V电流/mA电压/V-4-13.6-3.5-13.62-3.5-13.6-3.44-13.62-3-12.08-3-12.15-2.5-10.15-2.5-10.22-2-8.18-2-8.22-1.5-6.2-1.5-
27、6.21-1-4.15-1-4.2-0.5-2.15-0.5-2.17-0.02-0.0601-0.02-0.079400.025300.0190.020.03140.020.02310.512.060.52.140.984.0414.111.56.081.56.1528.0728.092.59.962.511.01311.26311.383.511.263.511.38图 MATLAB中对实验中获取的数据进行描点与直线拟合（第一组数据）图 MATLAB中对实验中获取的数据进行描点与直线拟合（第二组数据）由MATLAB拟合直线可知该霍尔电流传感器的灵敏度约为 3.8。4.2 误差分析首先是集成
28、霍尔元件本身有一定的不稳定性。霍尔电流传感器常用于交直流电流测试，更多的用于变频测试、测量环境。使用时，为了避免干扰及达到传感器应用的精度，需注意：1、穿心导体问题，穿心导体应充满孔径，根据霍尔电流传感器的孔径，可选择铜排、铜棒等。2、传感器附近，不宜有强磁场。包括变压器及流过大电流导体等，因此，在三相测试中，相间传感器不宜安装太近。3、变频测试环境下，电磁干扰较大，尽量选择二次输出为电流信号的传感器，且电流信号近可能大，如200mA、500mA等。然后是运放受到前后电路的影响，电路的电阻并没有配至平衡。最后还有给运放提供工作电压的电压源并不是提供数值相等的电压，导致运放工作缺乏一定的稳定性。
29、5、总结一周的课程设计结束了，在这次的课程设计中不仅检验了我所学习的知识，也培养了我如何去把握一件事情，如何去做一件事情，又如何完成一件事情。在设计过程中，与同学分工设计，和同学们相互探讨，相互学习，相互监督。学会了合作，学会了运筹帷幄，学会了宽容，学会了理解，也学会了做人与处世。课程设计是我们专业课程知识综合应用的实践训练，着是我们迈向社会，从事职业工作前一个必不少的过程”千里之行始于足下”，通过这次课程设计，我深深体会到这句千古名言的真正含义我今天认真的进行课程设计，学会脚踏实地迈开这一步，就是为明天能稳健地在社会大潮中奔跑打下坚实的基础通过这次传感器设计，本人在多方面都有所提高。通过这次
30、传感器设计，综合运用本专业所学课程的理论和生产实际知识进行一次传感器设计工作的实际训练从而培养和提高学生独立工作能力，巩固与扩充了传感器设计等课程所学的内容，掌握传感器设计的方法和步骤，掌握传感器设计的基本的技能懂得了怎样分析元器件的作用性能，怎样确定设计方案，了解了传感器的基本结构，提高了计算能力，绘图能力，熟悉了规范和标准，同时各科相关的课程都有了全面的复习，独立思考的能力也有了提高。在这次设计过程中，体现出自己单独设计传感器的能力以及综合运用知识的能力，体会了学以致用、突出自己劳动成果的喜悦心情，从中发现自己平时学习的不足和薄弱环节，从而加以弥补。实验过程中，也对团队精神的进行了考察，在
31、和同学们的合作当中，自己更加深刻地体会到了一个团队相互帮助相互共同努力地重要性，让我意识到什么是团队精神，什么是互利共赢。让我们在合作起来更加默契，在成功后一起体会喜悦的心情。果然是团结就是力量，只有互相之间默契融洽的配合才能换来最终完美的结果。在此感谢我们的鲍丙豪老师.，老师严谨细致、一丝不苟的作风一直是我工作、学习中的榜样；老师循循善诱的教导和不拘一格的思路给予我无尽的启迪；这次模具设计的每个实验细节和每个数据，都离不开老师您的细心指导。而您开朗的个性和宽容的态度，帮助我能够很顺利的完成了这次课程设计。同时感谢对我帮助过的同学们，谢谢你们对我的帮助和支持，让我感受到同学的友谊。 此次设计也
32、让我明白了思路即出路，有什么不懂不明白的地方要及时请教或上网查询，只要认真钻研，动脑思考，动手实践，就没有弄不懂的知识，收获颇丰。由于本人的设计能力有限，在设计过程中难免出现错误，恳请老师们多多指教,我十分乐意接受你们的批评与指正，本人将万分感谢。赞同参考文献1 卢文科，朱长纯，方建安.霍尔元件与电子检测应用电路M，中国电力出版社，20052 刘畅生，寇宝明，钟龙.霍尔传感器实用手册M，中国电力出版社，20093 贾伯年，俞朴，宋爱国.传感器技术M，东南大学出版社，20074 常建生.检测与转换技术.北京：机械工业出版社，19815 秦世才，王朝英.集成运算放大器原理，天津：天津科学技术出版社
33、，19786 卢文科，朱长纯，方建安.霍尔元件与电子检测应用电路.北京：中国电子出版社，2005致谢本论文是在鲍丙豪老师的亲切关怀和悉心指导下完成的，他严肃的科学态度，严谨的治学精神，精益求精的工作作风，深深地感染和激励着我。鲍老师不仅在学业上给我以精心指导，同时还在思想、生活上给我以无微不至的关怀。每次遇到难题，我们在自己找不到解决办法时就向鲍老师寻求帮助，而鲍老师每次不管忙或闲，总会和我们一起分析问题，然后一起商量解决问题的办法。鲍老师在我们选择设计课题、前期资料查询、方案确定等各个环节中都给予了悉心的指导。在此谨向鲍老师致以诚挚的谢意和崇高的敬意。我还要感谢在一起愉快的度过霍尔电流传感器设计小组的同学们，正是由于大家的互相帮助、支持和鼓励，我们才能克服一个一个的困难和疑惑，直至课程设计的顺利完成。 最后，再次对关心、帮助我的老师和同学表示衷心地感谢！- 21 -