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1、身边的LED,1,实用精品课件PPT,LED种类,2,实用精品课件PPT,LED构造,3,实用精品课件PPT,认识制造二部,合格品,去胶、清洗、湿法腐蚀,在外延片表面形成指定图形的光刻胶保护膜,薄膜、干刻、熔合,产品光电参数、外观、打线、推力、热膜等测试,研磨,（制造三部）,4,实用精品课件PPT,LED芯片制程简表,实物图,注：以上制程适合部分版型，实际已制程单为准,效果图,5,实用精品课件PPT,为了确保ITO薄膜与外延片的充分接触，在镀膜前需要进行铟球剔除与一系列的清洗作业 （1）ITO蚀刻液去除铟球 （2）511具有极强的氧化性，能够有效去除外延表面的有机杂质与金属离子 （3）稀HCl
2、外延表面去除金属离子,去膜剂,511,稀HCl,冲水甩干,ITO蚀刻液,外延清洗干净与否直接影响到ITO与外延的粘附力！及其关键！,点有铟球的外延片,外延清洗不干净导致缺陷,6,实用精品课件PPT,软烘,曝光,显影,坚膜,匀正胶,365nm紫外光,匀胶台,曝光台,软烤、坚膜,7,实用精品课件PPT,光刻胶的主要成分： Resin : Film material (Polymer) :酚醛树脂，提供光刻胶的粘附性、化 学抗蚀性，当没有溶解抑制剂存在时，线性酚醛树脂会溶解在显影液中的 PAC : Photo Active Compound,光敏化合物，最常见的是重氮萘醌（DNQ），在曝光前，DNQ
3、是 一种强烈的溶解抑制剂，降低树脂的溶解速度。在紫外曝光后，DNQ在光刻胶中化学 分解，成为溶解度增强剂，大幅提高显影液中的溶解度因子至100或者更高。这种曝光反应会在DNQ中产生羧酸，它在显影液中溶解度很高。 Solvent :醋酸溶剂，提高流动性,i-Line PR Photo reaction,in PR/air,ketene,hv,H2O,OH-,Carboxylic Acid,黄光站湿度、温度的重要性,光刻知识：,8,实用精品课件PPT,离子化Cl2+BCl3,ICP刻蚀,通过ICP(感应耦合等离子体)干刻，去除不需要的P-GaN和MQW,露出N-GaN。,9,实用精品课件PPT,去
4、胶、清洗,刻蚀深度测试,去胶后每批抽1片进行刻蚀深度测试，确保已经刻到N-GaN重掺层，刻蚀过深或过浅都会影响到芯片的多项光电参数（Vf1等）。,去膜剂,10,实用精品课件PPT,为了电流更好地扩展到芯片的整个面域，增加发光区，并且不能挡住光的射出，需要蒸镀一层导电且透光的薄膜ITO.,E-beam,ITO靶材,ITO蒸镀机,透光率、面阻测试,ITO为以掺Sn的In2O3材料，属于N型氧化物半导体材料，通常Sn2O3:In2O3=1:9。 监控参数： 面电阻、透光率、膜厚、蚀刻率，整体评价ITO膜质量。 熔合后合格透光率92%,面租值535,膜厚：2400A,11,实用精品课件PPT,匀正胶,
5、软烤,曝光,显影,坚膜,匀胶台,曝光台,软烤、坚膜,12,实用精品课件PPT,ITO蚀刻液,去膜剂,该步的目的是：通过化学腐蚀方法，清除因ICP刻蚀所溅出的ITO残粉， 避免MQW处因ITO残粉粘附而导致漏电或者ESD不良。,Mesa侧壁残留,13,实用精品课件PPT,E-Gun蒸镀出来的ITO薄膜存在晶格缺陷，在N2气保护下进行高温退火处理，可有效修复ITO薄膜中的晶格缺陷，消除内应力，改善膜的透光率与面阻值,ITO熔合炉,Frenkel缺陷,线l缺陷,完整晶格,熔合,14,实用精品课件PPT,前烘,后烘,曝光,显影,1、负胶与正胶相反，被紫外照射的区域，经后烘后交联，不能被显影 2、负胶显
6、影后形成倒八字的图形，有利于Lift-off工艺（如右图） 3、负胶工艺及其重要，直接影响到残金、残胶、掉电极等致命问题！,Cr/Pt/Au,PR,EPI,加厚产品剖面1,加厚产品剖面2,EPI,PR,15,实用精品课件PPT,离子化O2,合理条件的O2 plasma对蒸镀PN前的产品进行清洗，能够有效去除待镀PN处外延表面的有机杂质，从而提高电极与外延间的牢固性，过洗与欠洗都会影响到PN电极的牢固性，该步同样及其重要！,O2 Plasma机,16,实用精品课件PPT,蒸镀速率、功率、转盘速率、腔体温度等条件都会影响到产品的外观与品位。,金属蒸镀机,17,实用精品课件PPT,采用蓝膜粘附剥离，
7、剥离过程中易产生静电，因此操作中配有2台离子风扇与静电手环。,拨金机,超声去胶,18,实用精品课件PPT,离子化SiH4+N2O,2、SiO2膜对LED表面进行保护，避免恶劣环境对LED使用造成影响,PECVD,1、制约传统LED取光效率的主要问题是出射角锥问题， SiO2膜的折射率介于空气与ITO之间，从而调大了临界角（c=arcsin 1/n），这样能有更多的光从LED发光区照射出来（n空气=1、nSiO21.5、nITO 2.0 ）。 根据光学原理增透介质层的折射率和厚度都有最佳值： n最佳=sqrt(n1n2) 太厚的膜不能起到提高亮度的作用，未封装的带有增透膜芯片光提取效率比无增透膜
8、芯片亮度提高很多，但是封装后差距并不大 一般生长SiO2薄膜后，蓝光能提高10%左右，绿光6%左右。,SiO2作用,19,实用精品课件PPT,软烘,曝光,显影,坚膜,匀增粘剂,为了增加光刻胶与SiO2的粘附力，需要旋涂一层增粘剂,20,实用精品课件PPT,BOE,去膜剂,BOE：NH4F与HF的混合物溶液，其中NH4F 溶液起到缓冲液的作用，能够及时通过水解（NH4F + H2O=NH3.H2O + HF）来补充反应掉的HF,稳定浓度,21,实用精品课件PPT,金属熔合增强了金属电极与半导体间的欧姆接触,金属合金炉,22,实用精品课件PPT,检测项目： 1、光电参数是否正常 2、电极的牢固性
9、3、电极与焊球的剪切力 4、SiO2的粘附力 5、全检外观是否存在缺陷,打线、推力测试,热膜测试,23,实用精品课件PPT,检测项目： 1、光电参数是否正常 2、电极的牢固性 3、电极与焊球的剪切力 4、SiO2的粘附力 5、全检外观是否存在缺陷,确保下传产品均为合格品！,24,实用精品课件PPT,LED制程主要步骤模型,综合,化学,黄光,化学,去胶,去胶,综合,25,实用精品课件PPT,认识制造流程卡,只有返工时填写,异常记录列,操作员姓名,26,实用精品课件PPT,产品品种及版型,制备凸PSS,批次片（白色工单）,11B,12D,09A,快速片（黄色工单）,研发片（红色工单）,生长 外延,衬底,（一部）,27,实用精品课件PPT,Thank You,更多精品 敬请关注！,