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1、3.2 TTL逻辑门,3.2.1 BJT的开关特性,3.2.2 基本BJT反相器的动态特性,3.2.3 TTL反相器的基本电路,3.2.4 TTL逻辑门电路,3.2.5 集电极开路门和三态门,3.2.6 BiMOS门电路,3.2 TTL逻辑门,3.2.1 BJT的开关特性,iB0，iC0，vOVCEVCC，c、e极之间近似于开路,vI=0V时:,iB0，iC0，vOVCE0.2V，c、e极之间近似于短路,vI=5V时:,iCICS,很小，约为数百欧，相当于开关闭合,可变,很大，约为数百千欧，相当于开关断开,c、e间等效内阻,VCES 0.20.3 V,VCEVCCiCRc,VCEO VCC,管
2、压降,且不随iB增加而增加,ic iB,iC 0,集电极电流,发射结和集电结均为正偏,发射结正偏，集电结反偏,发射结和集电结均为反偏,偏置情况,工作特点,iB ,iB0,条件,饱 和,放 大,截 止,工作状态,BJT的开关条件,0 iB ,2. BJT的开关时间,从截止到导通 开通时间ton(=td+tr),从导通到截止 关闭时间toff(= ts+tf),BJT饱和与截止两种状态的相 互转换需要一定的时间才能完成。,CL的充、放电过程均需经历一定 的时间，必然会增加输出电压O波 形的上升时间和下降时间，导致基 本的BJT反相器的开关速度不高。,3.2.2基本BJT反相器的动态性能,若带电容负
3、载,故需设计有较快开关速度的实用型TTL门电路。,输出级 T3、D、T4和Rc4构成推拉式的输出级。用于提高开关速度和带负载能力。,中间级T2和电阻Rc2、Re2组成，从T2的集电结和发射极同时输出两个相位相反的信号，作为T3和T4输出级的驱动信号；,输入级,中间级,输出级,3.2.3 TTL反相器的基本电路,1. 电路组成,输入级T1和电阻Rb1组成。用于提高电路的开关速度,2. TTL反相器的工作原理（逻辑关系、性能改善）,（1）当输入为低电平（I = 0.2 V）,T1 深度饱和,T2 、 T3截止，T4 、D导通,（2）当输入为高电平（I = 3.6 V）,T2、T3饱和导通,T1:倒
4、置的放大状态。,T4和D截止。,使输出为低电平. vO=vC3=VCES3=0.2V,逻辑真值表,（3 ）采用输入级以提高工作速度,当TTL反相器I由3.6V变0.2V的瞬间,T2、T3管的状态变化滞后于T1管，仍处于导通状态。,T1管Je正偏、Jc反偏， T1工作在放大状态。,T1管射极电流（1+1 ） iB1很快地从T2的基区抽走多余的存储电荷,从而加速了输出由低电平到高电平的转换。,（4）采用推拉式输出级以提高开关速度和带负载能力,当O=0.2V时,当输出为低电平时，T4截止，T3饱和导通，其饱和电流全部用来驱动负载,a)带负载能力,当O=3.6V时,O由低到高电平跳变的瞬间，CL充电，
5、其时间常数很小使输出波形上升沿陡直。而当O由高变低后， CL很快放电，输出波形的下降沿也很好。,T3截止，T4组成的电压跟随器的输出电阻很小，输出高电平稳定，带负载能力也较强。,输出端接负载电容CL时，,b)输出级对提高开关速度的作用,1. TTL与非门电路,多发射极BJT,3.2.4 TTL逻辑门电路,TTL与非门电路的工作原理,任一输入端为低电平时:,TTL与非门各级工作状态,当全部输入端为高电平时：,输出低电平,输出高电平,2. TTL或非门,若A、B中有一个为高电平:,若A、B均为低电平:,T2A和T2B均将截止， T3截止。 T4和D饱和， 输出为高电平。,T2A或T2B将饱和， T
6、3饱和，T4截止， 输出为低电平。,逻辑表达式,vOH,vOL,输出为低电平的逻辑门输出级的损坏,3.2.5 集电极开路门和三态门电路,1.集电极开路门电路,a） 集电极开路与非门电路,b） 使用时的外电路连接,C） 逻辑功能,OC门输出端连接实现线与,2. 三态与非门(TSL ),当CS= 3.6V时,三态与非门真值表,当CS= 0.2V时,特点:功耗低、速度快、驱动力强,3.2.6 BiCMOS门电路,I为高电平:,MN、M1和T2导通，MP、M2和T1 截止，输出O为低电平。,工作原理:,M1的导通, 迅速拉走T1的基区存储电荷; M2截止, MN的输出电流全部作为T2管的驱动电流, M1 、 M2加快输出状态的转换,I为低电平:,MP、M2和T1导通，MN、M1和T2 截止，输出O为高电平。,T2基区的存储电荷通过M2而消散。,M1 、 M2加快输出状态的转换电路的开关速度可得到改善,M1截止，MP的输出 电流全部作为T1的驱动电流。,