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1、电性能参数及影响因素介绍摘要：一、电参数介绍1、各个参数之间的关系A.在所有参数中,只有电压和电流是测量值，其他参数均是计算值。为在I-V曲线上找一点,使改点的电压乘以电流所得最大，该点对应的电压就是最大功 一、电参数介绍HAE=1000 W/mRev2DiodeCharacteristicA'scImppFF： i短路电流开路电压填充因子 卓联皑皿大 连睛诙幫I L - 井联电iajM低电盟率D低談反效媒差和惋佃少于如* fife背面如嗽果畫烷和睹电竞门啊匸大坷耐挣殴丿/ /走程中確片被荷舉低.并联电HRsh+探甘谢电齟大商F363TOhm - CharacteristiPmpV V
2、 VP测量1、各个参数之间的关系A. 在所有参数中，只有电压和电流是测量值，其他参数均是计算值。为在I-V曲线上找一点，使改点的电压乘以电流所得最大，该点对应的电压 就是最大功率点电压Umpp该点对应得电流就是最大功率点电流 Impp为在光强为1000W/M2和500W/M2F所得最大功率点的电压差与电流差的比 值，只是一个计算值，所以有时候会出现负值的情况为暗电流曲线下接近电流为0时曲线的斜率为电压为-10V时的反向电流为电压为-12V时的反向电流和Rsh决定FF和Irevl、Irev2有对应的关系I.计算公式：=Pmpp/S （硅片面积）=Umpp*Impp= Uoc*lsc*FF=（Um
3、pp*Impp / （ Uoc*Isc）二、转换效率的影响因素三、测试外部参数影响1/f A低1I、十 rf温度升高正常测试温度为25±2C,随着温度的升高，开路电压急剧降低，短路电流 略微增大，整体转换效率降低正常光强为1000土 50W/M2随着光强的降低，开路电压略微降低，短路电流 急剧下降，整体转换效率降低四、串阻Rs组成测试中的串联电阻主要由以下几个方面组成：1. 材料体电阻（可以认为电阻率为 p的均匀掺杂半导体）2. 正面电极金属栅线体电阻3. 正面扩散层电阻4. 背面电极金属层电阻5. 正背面金属半导体接触电阻6外部因素影响，如探针和片子的接触等烧结的关键就是欧姆接触电
4、阻，也就是金属浆料与半导体材料接触处的电阻。可以这样考虑，上述项电阻属于固定电阻，也就是基本电阻；5则是变量电阻烧结效果的好坏直接影响Rs的最终值；6属于外部测试因素，也会导致 Rs变化五、Rs影响因素六、并阻Rsh组成A. 测试中并联电阻Rsh主要主要是由暗电流曲线推算出，主要由边缘漏电和 体内漏电决定B. 边缘漏电主要由以下几个方面决定：C. 边缘刻蚀不彻底D. 硅片边缘污染E. 边缘过刻F.F. 体内漏电主要几个方面决定G. 方阻和烧结的不匹配导致的烧穿H. 由于铝粉的沾污导致的烧穿I. 片源本身金属杂质含量过高导致的体内漏电J. 工艺过程中的其他污染，如工作台板污染、网带污染、炉管污染
5、、DI水质不合格等七、Rsh影响因素蛙<1也冏r -j八、Uoc影响因素开路电丿玉低材料本体<>王艺因盘un喷虽枚盖步子零命低I >九、Isc影响因素十、网印区工艺过程常见问题处理A. 一、翘曲：. 硅片太薄 - 控制原始硅片厚度. 印刷铝浆太厚 - 控制铝浆重量. 烧结温度过高 - 调整烧结炉 4、5、6、7 区温度. 烧结炉冷却区冷却效果不好 - 查看风扇状况、进出水温度压力等F.二、铝包：. 烧结温度太高 - 调整烧结炉 4、5、6、7 区温度. 印刷铝浆太薄 - 印刷铝浆重量加重. 使用前浆料搅拌不充分 - 搅拌时间必须达到规定时间. 铝浆印刷后烘干时间不够 - 增加烘干时间或提高烘干温度. 烧结排风太小 - 增大烧结炉排风 . 烧结炉冷却区冷却效果不好 - 查看风扇状况、进出水温度压力等M.三、虚印: . 印刷压力太小 - 增大印刷压力.印刷板间距太大 - 减小板间距.印刷刮刀条不平 - 更换刮刀条. 工作台板不平，磨损严重 - 更换工作台板.网印机导轨不平 - 重新调整导轨A. 四、粗线:. 网版使用次数太多，张力不够 - 更换网版. 网版参数不合格 - 核对该批网版参数，更换网版. 浆料太稀，浆料搅拌时间太长 - 严格执行浆料搅拌时间规定. 网印机参数不合适 - 调整网印机参数