PSPICE第06讲——TimeDomain(Transient)电感、电容及其响应.doc

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1、集成电路设计CAD(OrCAD/PSpice)贵州大学电子科学与信息技术学院王代强电感、电容及其响应INDUCTORS, CAPACITORS, ANDRESPONSE1电容回忆一下电容的特性:q(f) = Cu dqdrd(Cw )drdu=CdtC31 nw =站= u(/°) + 丄c c儿在Pspice中的符号为C简单的电容电路(含电压源)需要的元件R571C11 m VSIN, R, C, GN D/0参数设置如右图所示VOFF = 0、VAMPL= 10FREQ = 10V3分析类型:Time Domain (Transient)。设置如下页所示:从0到1秒,最大步长 为

2、 0.001sSimulation Settings - abcknalysis type:.1|Include Files |Libraries Stimulus Opti oriw Data. CoilectGeneral Analys1sime DomaiiL (Transi*Opti onsRun toStart saving ila/tasecondsseconds®General SettingsrMonte Carlo/Worst Cas I IPai-anietric SweepI Temper ature (Sweep)OSave Bias Point Load.

3、Bias PointTraiLSi eht opti qilw也aximum 毗明 (0.001secondsSkip the initial trans i ent bi as point calcul:确定取消.tput File Options.应用®帮助gsCHEMATICl-abc - PSpice A/D Basics - lecO5-SCHEMATICl-abc.dat (activ.File Edit View Simulation Trace Plot Tools Window Help 蛊Insert*结果分析 Trace TAdd TraceDelete All

4、 TracesCtrl+DeleteUndelete TracesCtrl+UtbcAdd Tracesn Simulation Output Variables» AnalogP Digital& Voltages» Currents厂 Power厂 Nojs&(V2/Hz)厂 Alias Names厂 Subcircuit Nodes7 variables listedFull ListFunctions or MacrosI An-alog Operators and Function?IoABS() ARCTAN(J AT AN()AVG( AVGX

5、( JCOS()D()DB()ENVM必 JEMVMIN( JEXPOG()IMG()L0G(L0G10()M()MAX()如左图所示,选择I(C1)就可以查看电容器上的电流了Irace Expression: | QK |3耸1 | fjelp | SCHEMATICl-abc - PSpice A/D Basics - lecO5-SCHEMATIC1 -abc.dat (active)-|nl2dJgJ凶詢 File Edit View Simulation Trace Plot Tools Window Help 艦W |& H 3船庵)念|口空I SCHEMATICI-abc

6、|> | JI怨2甑Qlom匾械目a鬲即s 本專啄国畸:茂仙瓏哭 SCHEMATICl-abc - PSpice A/D Basics - lecO5-SCHEMATIC1 -abc.dat (active)-|nl2d SCHEMATICl-abc - PSpice A/D Basics - lecO5-SCHEMATIC1 -abc.dat (active)-|nl2dD:ED A abcdle CO5-SCHEMATIC1-ab c.±1X3Tim step 二 323. Time 二 1±L2J1 f; Analysis A Watch/i Devices/S

7、imulation running.* Frofile: SCHEMATICl-bcvRe ad i. ng and che cki ng: circuitCircuit read in and checksd? no errorsCd-cnlating bias point for Trsient Analysis Bias point calculated.Transient AiidysisTransient AiiJysis finished一niiiiiiiiiu z>我们还可以在同个平面上画上其它变量 的图形。步骤为:1. Trace ->Add Trace (或INS

8、ERT)2. 选择变量,点击OK如果觉得图形比例不好,可以通过计算 调整。ICO% iiiiiiiii /图为电压V2 和电容两端 的电流画在 同一个图形 中C111 = 1I2 = 5TD1 = 0.1TC1 = 0.2TD2 = 0.5TC2 = 0.1 0%简单的电容电路(含电流源)需要的元件 IEXP, R, C, GND/O参数设置如右图所示分析类型:TimeDomain (Transient)设置:从0到1秒,最大步长为0.001s结果考察Cl上的电流I(C1)40niACl上的电压V(C1:1)Tillit: W(C1), W(I3), W(R5)功率比较Tiiiie功率为负,则

9、表 示产生功率,功 率为正,表示消 耗功率士电感让我们回忆一下电感的特性:L110uH屮=L心=L dr dt1吨)站= g)+ 畑站sL Jzod 屮 d(Li) di u(t)=dt1i =L在pspice中符号为L需要的元件 VPULSE, R, L,GND/O参数设置如右图所示分析类型:TimeDomain (Transient)设置:从0到1秒,最大步长为0.001sR6L2L_rr>r_21k10uH八4IoV1 = 1V2 = 5TD = 0.1TR = 0.05TF = 0.1PW = 0.2PER = 0.5V1 =1V2 =5TD =0.1TR =0.05TF =0.

10、1PW =0.2PER=0.5VPULSV4VI: VCV4:+J初始电压 脉冲电压V2:TD:延迟TF:下降时间TR:上升时间PW:脉冲宽度PER:周期TimeValue0VITDVITD+TRV2TD+TR+PWV2TD+TR+PW+TFVITD+PERVITD+PER+TRV2结果查看 L2上的电流I(L2)5 OklA L2上的电压V(L2)口 V(L2: 1)OsD2s DJCLZi o DJ(R6) UW4)0.4s0.6s0. 8s1.0sTime W(L2), W(R6), W(V4) W(L2),8. OkiW电感器的樓型L3把一个电感线圈 看成是一个电感 元件而用图(a)表

11、 示的话,则准确 性较差。电感线圈不仅贮藏 能量,还要消耗能 量,消耗的部分是 由于线圈导线的电 阻引起的,可以用 一个电阻串联来表 示,如图(b)。2C(b)(c)但是,线圈匝与匝之 间还有电容存在,当 电压变化很快时,电 容的作用就不能忽略 To这时,我们可以 在电路中并联一个电 容。如图(c)。电容器的模型电容器可以用电容元 件作为模型,其准确 性要比用电感元件作 电感线圈的模型要好。 如图(a)所示。(a)但有些电容消耗的 能量不脂忽视,这 时,就可以并联一 个电阻(电导)。如 图(b)所示。电流将产生磁场, 这时,我们可以在 电路中串联一个电 感。如图(C)。关于元件参数的问题若大家对某些元件的参数有不清楚的地 方,可以参考软件提供的参考手册: pspcref.pdf

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