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1、存储设备存储器特点RAMFlash MemoryROM中文名称(Random Access Memory ) 的全 名为随机存取器FLASH存储器又称闪存ROM ( Read Only Memory )的 全名为只读存储器电源关闭数据是否保留否是是主要分类SRAM (静态随机存储器)和DRAM (动态随机存储器)NOR Flash 和 NAND Flash 型PROM、EPROM、E2PROM速度较快较慢ROM不同ROM 特点、Mask ROMPROMEPROME2PROMFlash ROM写入次数一次性由厂家写入数 据，用户无法修改出厂并未写入数据， 由用户编程一次性写 入数据通过紫外光的照
2、 射，擦掉原先的程 序。芯片可重复写 入通过加电擦出原数 据，通过高压脉冲可 以写入数据。使用方 便但价格较高，而且 写入时间较长，写入 较慢结构简单、控制灵活、编 程可靠、加电擦写快捷的 优点、而且集成度可以做 得很高，它综合了：不会 断电丢失（NVRAM），快 速读取，点可擦写编程（E2PROM）产品实例In tel的28系列、 Winbond 公司的 W27-29系列及AMD 公司的29系列等U 盘(NAND Flash)Flash ROM_存储器 特点、NOR FlashNAND Flash性能比较1、NOR Flash的读速度比 NAND Flash的读速度；2、NAND Flash
3、的写入速度比 NOR Flash快很多；3、 NAND Flash的4ms擦出速度远比NOR Flash的5s快。大多数写入操作需要先进行擦除操作。4、NAND Flash的随机读取能力差，适合大量数据的连续读写。接口差别1、 NOR Flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NAND Flash地址、数据和命令 共用8位总线（Samsung公司某些新的NAND Flash有16位总线），每次读写都要使用复杂的 I/O接口串行地存储数据，8个引脚用来传 送控制、地址和资料信息。2、 NAND Flash读和写操作米用 512B的块，有点像硬盘管理操
4、作。因此基于NAND Flash结构可以取代硬盘或其他设备。容量和成本1、 NAND Flash的单兀尺寸几乎是 NOR Flash的一半，由于生产过程更为简单，NAND Flash结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的 容量，也相应地降低了价格。2、 NOR Flash容量一般较小，通常在 1MB8MB之间。而NAND Flash只是用在8MB以上的产品当中，这也说明了 NOR Flash主要 应用在代码存储介质中， NAND Flash 适用于资料存储。 NAND Flash在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场 所占份额最大。可靠性和耐
5、用 性寿命（耐用性）NAND Flash中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR Flash的读写次数是十万次。典型的NAND Flash块尺寸要比NOR型闪存小8倍。位交换NAND Flash发生的次数要比 NOR Flash多Flash Memory器件都受位交换现象的困扰。块坏处理NAND Flash中坏块是随机分布的。 以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。NANDFlash需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能 进行这项处理，将导致高故障率。易用性可以非常直接地使用 NOR Flash，可以像
6、其他内存那样连接， 并可以在上面直接运行代码。由于需要I/O接口，NAND Flash要复杂得多。各种 NAND 的 存储方法因厂家而异。软件支持不需要任何的软件支持需要驱动程序，也包括内存技术驱动程序(MTD)市场定位用于数据可靠性要求较高的代码存储、通信产品、网络处理等 领域，NOR Flash也被称为代码闪存(Code Flash)。用于对存储容量要求较高的MP3、存储卡、U盘等领域。正是如此，NAND Flash也被称为数据闪存(Data Flash)。RAM不同 SRAM 特点SRAMDRAMDDRAM （基于 SRAM）全称Static RAM，静态随机存储器Dynamic RAM，动态随机存储 器Double Data Rate SDRAM，双倍 速率随机存储器存储速度较快较慢成本较高较低技术双倍预取技术DDRAM技术米用差分方式，DDRAM比SDRAM多一倍的传输速率和内存宽度。