模电3章课后习题.docx

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1、填空1 .和开路PN结的结区宽度相比较，当PN结加正偏电压时，其结区宽度将变至；当PN结加反偏电压时，其结区宽度将变宽。2 .整流二极管的整流作用是利用 PN结的 单向导电 特性，稳压管的稳压作用 是利 用PN结的反向击穿特性。3 .三极管工作在放大状态时，发射结应正偏置，集电结应 反偏置。若工作在饱和状态时，发射结应正 偏置，集电结应 正 偏置。若工作在截止状态时，发射结应叵 偏置，集电结应 区 偏置。4 .三极管电流放大系数 B = 50, J则a = 098 ;若a = 0.99, J则B - 99。5 .当环境温度升高时，三极管的下列参数变化的趋势是：电流放大系数 太，穿透电流ICEO

2、增加,当IB不变时，发射结正向压降|Ube|减小06 .共射极放大电路中三极管集电极静态电流增大时，其电压增益将变大；若负载电阻Rl变小时，其电压增益将变 小。7 .单级共射极放大电路产生截止失真的原因是静态lc偏小;产生饱和失真的原因是lc偏大:若两种失真同时产生，其原因是输入信号太大。8 .试比较共射、共集和共基三种组态的放大电路，其中输入电阻较大的是共集 电路；通频带较宽的是北基 电路；输入电阻较小的是共基 电路；输出电阻较小的是共集 电路；输出信号与输入信号同相位的是共集和共基电路；电压增益小于1的是去集电路；带负载能力较强的是 武集 电路；既有电流放大能力又有电压放大能力的是共射电路

3、。9 .单级阻容耦合共射极放大电路的中频电压增益为-100，当信号频率为上限频率fH时，这时电路的实际增益为-777,其输出与输入信号的相位相差-225 度。10 .某放大电路的对数幅频特性如图所示，由图可知，该电路的中频电压放大倍数为100倍,上限频率fH = 2X 106 Hz,下限频率fL = 20 Hz,当信号频率恰好为伯或fL时，实际电压增益为37 dB11 .在PN结的形成过程中，载流子扩散运动是载流子的浓度差作用下产牛的，漂移运动是 载流子在内电场 作用下产生的。12 .放大器有两种不同性质的失真，分别是 线性失真和非线性失真。13 .在三极管多级放大电路中，已知 Av1 = 2

4、0, Av2 = -10, Av3 = 1, Av1是共基 放大器，AV2是 共鼠 放大器，AV3是 共集放大器。14 .射极输出器的主要特点是：电压放大倍数近似为1、输入电阻比较大、输出电阻比较小。15 .半导体中有 自由电子 和 至式 两种载流子。本征半导体的与电能力取决于 环境温度或光照强度,杂质半导体的导电能力主要取决于掺杂浓度。16 ?温度升高，本征载流子浓度增加；杂质半导体中少子浓度一多子浓度了本不变 仃.改变半共体封电酢力的方法有受到外界光和热的刺激和在纯净的半导体中加入微量的杂质 。18 . N型半导体的多数载流子是 自由电子,少数载流子是 空火19 . P型半导体的多数载流子

5、是 空左，少数载流子是 自由电子,20 . PN结在形成的时候载流子存在两种运动形式，分别是多数载流子的扩散运动 和少数载流子的 漂移运动21 . PN结的电击穿分为雪崩击穿和齐纳击穿两种类型。22 . BJT所代表的电气元件是双极型三极管。23 .三极管的三个工作区域分别是 饱和区、线性放大区和截止区。24 .静态工作点Q点一般选择在交通负载线的中央。25 .根据结构的不同，场效应管可分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管两类。26 . MOSFET所代表的电气元件是 金属-氧化物-半导体场效应管。27 .共集电极电路又被称为 电压跟随器:共基极电路又被称为 电流跟随器。28 .静态工作点Q点选

6、得过低会导致截止失真:Q点选得过高会导致饱和失 真。29 .三极管的放大作用一方面要满足内部条件，即要求发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很 址；另一方面要满足外部条件，即发 射结 要正向偏置、集电结要反向偏置。30 .对应于BJT的三种基本放大电路，被称为射极输出器的电路是共集电极电路、称为电流跟随器的电路是 共基极电路、称为电压跟随器的电路是共 集电极电路。31 .在BJT的三种基本放大电路中，同时具有电压和电流放大作用的电路是J射极放大电路；仅具有电压放大作用的电路是 共集电极电路；仅具有电流 放大作 用的电路是 共基极电路。32 .场效应管是一种利用电场效应来控制其电流

7、大小的半导体器件。33 .稳压二极管在稳压电路中稳压时工作于反向击穿（正向导通;反向截止；反向击穿）。34 .半导体三极管属于 电流控制器件，而场效应管属于 生压控制器件。35 .射极输出器的主要特点是：电压放大倍数近似为1 :输入电阻很大：输出电阻彳艮小、。36.等于各级电压增益的多级放大电路的总电压增益 之积将几级放窄了37 .大电路串联起来后，总电压增益虽然提高了，但通频带变38 . JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变 导电沟道 的宽窄， 从而控制漏极电流的大小；而 MOSFET则是利用栅源电压的大小，来改变半 导 体表面 感应电荷 的多少，从而控制漏极电流的大小。3

8、9 .对于下图所示电路，设 Vcc=12V, Rb=510kQ, Fc=8 kQ , Vbe=0.7V 'Cez)=0.3V,当B =50，静态电流IBF 22 口 A , I cq= 1.1mA ,管压降Vce= 3.2V ;若换 上一个当 B =80，静态电流I bcF 22 u A , Icd= 1.46mA .管压降 Vce(= 0JV ,三级管工作在 饱 和状态。40 .对于下图所示电路，设 Vcc=12V,三级管B =50, Vbe=0.7V,若要求静态电流I cc=2mA M EF4V,则电路中的 Rf 282.5 k Q , R= 4 k QciU -rf+:皿41 .

9、对于下图所示电路，已知Vcc=12V, R )i=27 k Q , R=2 k Q ,Re=1 k Q ,Vbe=0.7V,现要求静态电流I cc=3mA贝U R)2= 12 k Q42 .已知图示的放大电路中的三级管B =40, Vbe=0.7V,稳压管的稳定电压 Vz=6V,则静态电流J +20VI BQ= 0.275mAI cf 11mA ,管压降VceF 3V o24KCi1KC24KO43 .若下图所示放大电路在冬天调试时能正常工作，当到了夏天后，发现输出波形失真，且幅度增大，这时发生的失真是 皿 失真，失真的主要原因是由于 夏天室温 升高后，三级管的 山、V BE和B三个参数的变化

10、，引起工 作点 上移;输出波形幅度 增大，则是因为 B参数随温度升高而增大所造 成，输出波形幅度增大也是引起失真 的一个原因。44.望从信号源索取的电流小，应选用共集组态对于共射、共集和共基三种基本组态放大电路，若希望电压放大倍数大,可选用共射、共基 :若希望带负载能力强，应选用 共集组杰：若希选择J +20V1 .由理想二极管组成的电路如图所示，其A、B两端的电压Uab应为 B ）。A、Uab = 12VB、Uab =6V C、Uab = + 6VD、Uab = + 12V2 .由硅二极管组成的电路如图所示，电阻R2中的电流I为（C ）。A、 1 = 2mA B、1 = 0mA C、1= 1

11、.5mA D、l = 1.5mAR1 2kf I 一6V-=-3 .在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、- 10V和一 9.3V,则该管为（A） 0A、NPN硅管B、NPN储管C、PNP硅管D、PNP储管4 .测得某放大电路中NPN管三个极对地的电位分别为 Uc= 12V, Ub = 1.8V和Ue =0V,则该管是处于（D ）。A、放大状态B、饱和状态C、截止状态D、已损坏5 .有人选用最大允许集电极电流 ICM = 20mA,最大允许电压 Uceo = 20V,集电 极最大允许耗散功率Pcm = 100mW的三极管组成放大电路，其静态工作点 I c 二15mA, Uce =

12、 10V,则该管应属于下列四种状态中的（ D ）。A、可以正常放大B、可能击穿C、放大性能较差D、过热或烧坏6 .某放大电路在负载开路时的输出电压为6V,当接入2kQ的负载后，其输出 电压为4V,这表明该放大电路的输出电阻是（ C ） OA、10kQ B、2k Q C、1k Q D、0.5 k Q7 .放大电路如图所示，如 U>>Ube,且IceQ 0,则在静态时，该三极管工作的状 态是(B ) oA、放大状态饱和状态C、截止状态D、不定8 .电路如图所示，若不慎将旁路电容 Ce断开，则将（C ）A、不仅影响静态工作点，而且也影响电压增益。B、只影响静态工作点，但不影响电压增益。C

13、、不影响静态工作点，只影响电压增益。D、不影响静态工作点，也不影响电压增益。Ai和A2,如果10.质上是一个（A ）场效应管本质上是一个（C）双极型三极管本A、电流控制电流源器件B、电流控制电压源器件9?两个独立的共射极放大电路，负载开路时的电压增益分别为将它们串接成两级电压放大电路时，贝 U总的电压增益满足（ D ） OA、Ai+ A2 B、AiX A2C、| AiX A2|D、| AiX A2 |C、电压控制电流源器件D、电压控制电压源器件11. N沟道JFET的跨与gm是（C ）。A、一个固定值B、随电源电压Vdd增加而加大C、随静态栅源电压VGS增加而加大D、随静态栅源电压VGS增加而

14、减小12. 某场效应管的转移特性如图所示，则该管是（A ）。A、P沟道增强型 MOSFET B、P沟道JFETC、N沟道增强型 MOSFET D、N沟道耗尽型 MOSFET13. 已知某FET的输出特性如图所示，试判别它是（ D ）A、P沟道增强型 MOSFET B、N沟道JFETC、P沟道耗尽型 MOSFET D、N沟道耗尽型 MOSFET14.硅二极管和储二极管的死区电C、电压控制电流源器件D、电压控制电压源器件压分别约为（B ）A、 0.6V; 0.6V B、 0.6V; 0.1V C、 0.1V; 0.6V D、 0.1V; 0.1V15?在杂质半导体中，少数载流子的浓度取决于（ A

15、）A、温度B、掺杂元素C、掺杂浓度D、掺杂工艺16 . N型半导体是在纯净的本征半导体中加入（ D ）。A、自由电子B、空穴 C、硼元素D、磷元素17 .用万用表直流电压档，测得电路中晶体管（硅管）各电极相对于某一参考点 的电位如图所示，从而可以判断出该晶体管工作在（ D ）。A、放大状态B、饱和状态C、截止状态D、倒置状态5. 3VT J电路如图所示，若更换晶体管，使 B由-5. 3V18.50变为100,则电路的电压放大倍数（C ）。D、约为原来的4倍v019.当下图所示电路输入A、约为原来的一半1kHZ 5mV的正弦波电压时,输出电压波形的底部出现B、基本不变A、增大集电极电阻RcB、改

16、换B大的晶体管C、减小基极偏置电阻RbD、增大基极偏置电阻Rb了被削平的失真，为了削除这种失真，应（C、减小基极偏置电阻RBD 、增大基极偏置电阻RB20 .温度上升时，半导体三极管的（ A ）。A、B和IcBO增大，Ube减小B、B和Ube增大，Icbo减小C、ube和Icbo增大，B减小 D、B、Ube和Icbo均增大uo与u相位相21 .在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，反、|Au|>1的只可能是（D ）。A、共集电极放大电路B、共基极放大电路C、共漏极放大电路D、共射极放大电路(C )时,22 .在下图所示的固定偏流式放大电路中，当 Rc、Rb的参数分别是 该

17、电路的静态工作点处在放大区。设三极管的B =100。A. 5.6k Q、10 k Q B. 5.6k Q、510 QC. 5.6k Q、1MQD. 100kQ、1MQ23-30题的图B =80，在静态23 .已知下图所示放大电路中的R=100kQ , Rc=1.5 k Q,三极管的时，该三极管处于（b ）。A.放大状态B.饱和状态C.截止状态D.状态不定24 . 在下图所示放大电路中，集电极电阻Rc 的作用是( c) 。A.放大电流B.调节I BQC.防止输出信号交流对地短路，把放大了的电流转换成电压D.调节Icq25 .对于下图所示的放大电路，当用直流电压表测得UceVcc时，有可能是因为(

18、a);当测得Uce-0时，有可能是因为(d)。A. R,开路B. R l短路C. Rc开路D. R b过小26. 对于图示放大电路，若 Vcc= 12V, Rc= 2kQ,集电极电流I c计算值为1mA,今用直流电压表测得Uce= 8V,这说明(d)。A. 工作正常B. 三极管 c-e 极间开路c. 三极管 b-e 极间短路D. 电容 G 短路27. 对于图示电路，若仅当R 增加时，UcEQ>( a); 仅当 Rc 减小时，UcE( >( a); 仅当R_增加时，出揩(c);仅当B减小(换三极管)时，Uce(>( a)oA. 增大B. 减小c. 不变D. 不定28. 在图示的

19、放大电路中，原来没有发生非线性失真，然而在换上一个B 比原来大的三极管后，失真出现了，这个失真必定是( B); 若该电路原来发生了非线性失真，但在减小 Rb后，失真消失了，这失真必是(A)。A.截止失真B.饱和失真C.双重失真D.交越失真29. 对于图示固定偏流电路，当室温升高时，其三极管I BQ(A)，I cQ(A)，UcE(QB)。A. 增大B. 减小C.不变(或基本不变)D.不定30. 在图示共射极偏置电路中，若上偏流电阻嘉短路，则该电路中的三极管处于( b)。A.放大状态B.饱和状态31.32.33 图30.对于图示放大电路，若仅当 R.增加时，5 4(a);仅当Rc减小时，山船(a)

20、;仅当R.增加时，出揩(c);仅当B减小(换三极管)时，匕将(c)。A.增大B.减小C.不变D.不定在Ce32.图示共射极偏置电路中，其静态工作点靠近截止区，当除去旁路电容后，该电路的最大不失真输出电压幅值Vom(c),放大倍数Av(b)o输入电阻Ri(a),输出电阻Ro (c);若仅是Rl增大，则Av(a), R (c), Ro (c)；若仅 是0 增大，则 Av(a), R (c ), Ro (c)oA.增大B.减小C.不变D.不定33 .在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 (c ),而少数载流子的浓度 则 与(a)有很大关系。A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷34 .当

21、PN结外加正向电压时，扩散电流(a)漂移电流，耗尽层(e),当PN结外加反向电压时，扩散电流（b）漂移电流，耗尽层（d）A.大于B.小于C.等于D.变宽E.变窄F.不变35 .为了使高阻输出的放大电路（或高阻信号源）与低阻负载（或低输入电阻的 放大 电路）很好地配合，可以在高阻输出的放大电路与负载之间插入（b）;为了把一个低阻输出的放大电路（或内阻极小的电压源）转变为高阻输出的放大电路（或内阻尽可能大的电流源），可以在低阻输出的放大电路后面接入（ c）。A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.任何一种组态的电路36 .在单极放大电路中，若输入电压为正弦波形，用示波器观察 vo和vi的波形，当

22、放大电路为共射电路时，则 vo和vi的相位（b）,当为共集电路时，贝 U vo和vi的 相位（a）,当为共基电路时，贝 U vo和vi的相位（a）。A.相同B.相反C.相差90° D.不定37 .既能放大电压，也能放大电流的是（a）组态放大电路；可以放大电压，但不 能放大电流的是（c）组态放大电路；只能放大电流，但不能放大电压的是（ b） 组态放大电路。A.共射B.共集C.共基D.不定38 .在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，电压放大倍数小于 1的是（b） 组态；输入电阻最大的是（b）组态，最小的是（c）组态；输出电阻最大的是（c） 组态，最小的是（a）组态。A.共射B.共集

23、C.共基D.不定39.某共射放大电路如图所示，其中R=470K Q,R=2KQ,若已知 I c=1mA Vce=7V,Vbe=0.7V ) e.6KQ, B =50，则说明(d)。A. AvVi VBE07=10b.八VoAvViUKVBEg0.7-3Rb|rbeD. Av =邛生% _62.5Vi 1rber°+VbR n rcQ¥争iVI<T40 .为了使高内阻信号源与低内阻负载很好地配合，可以在信号源于低内阻负载问 接入（c）。A.共射电路B.共基电路C.共集电路D.共集-共基串联电路41 .下图示电路出现故障，经测量得知Ve=0,V=Vcc,故障的可能原因是（

24、d）A.Rc开路B.R c短路C.R e短路D.R bi开路I 9 + %RBif耳 Ce42.地电位如图所示,由此可判断该三极管（某三极管各电极对d）A.处于放大区域B.处于饱和区域C.处于截止区域D.已损坏12¥|o4V 0LtoOV43 .某放大电路在负载开路时的输出电压为6V,当接入2kQ负载后，其输出电压 降为4V,这表明该放大电路的输出电阻为（c） oA.IOk Q B.2k Q C.1k Q D.0.5k Q44 .某放大电路如图所示，设 Vc»>W, I cec近似为0,则在静态时该二极管处于（b）。A.处于放大区域 B.处于饱和区域 C.处于截止区域

25、D.不定100k简答题：1 .请写出BJT和FET组成的放大电路的六种组态，并将该六种组态与反相电压放大器、电压跟随器以及电流跟随器三种组态相对应。BJT放大电路的组态：共射极（CE）、共集电极（CC）和共基极（CB）FET放大电路的组态：共源极（CS）、共漏极（CD）和共栅极（CG）反相电压放大器：CE和CS;电压跟随器：CC和CD ;电流跟随器：CB和CG2 .写出下面电路的名称并以VI恒定而Rl减小情况为例叙述其工作原理IRVi该电路是并联式稳压电路。电路中 Dz为稳压管，R为限流电阻，它的作用是 使 电路有个合适的工作状态，并限定电路的工作电流。负载Rl与稳压管并联， 因而称为并联式稳

26、压管电路。这种稳压管之所以能够稳定输出电压，在于当稳定电流Iz有较大幅度的变化 Iz时，而稳定电压的变化 Vz却很小。这样，当VI或RL变化时，电路能 自 动的调整Iz的大小，以改变R上的压降IrR,达到维持输出电压 Vo (Vz)基本恒 定的目的。例如：当 Rl 不变，Vi 变化时，ViTVo T- Iz T- Ir T- Vr T- Vo J。当 Vi 不变，Rl 变/、时,Rl J- Io T- Ir T- Vo J- Iz J- Ir J- VoT。3.下图所示的为MOSFET的转移特性，请分别说明各属于何种沟道。如果是增 强 型，说明它的开启电压 VT二？如果是耗尽型，说明它的夹断电

27、压 VP二？(图中iD3V;该FET为P沟道增强型的假定正向为流进漏极)该FET为N沟道耗尽型 MOSFET ,其 Vp =MOSFET，其 Vt = - 4V 4硼释名词零点漂移并叙述差分式电路抑制零点漂移的工作原理零点漂移：就是当放大电路的输入端短路时，输出端还有缓慢变化的电压产生,即输出电压偏离原来的起始点而上下浮动。在差分式电路中，无论是温度变化，还是电源电压的波动都会引起两管集电极电流以及相应的集电极电压的相同变化，其效果相当于在两个输入端加入了共模信号，由于电路的对称性和恒流源偏置，在理想的情况下，可使输出电压不变，从而抑制了零点漂移。5. 简述 BJT 内部载流子传输过程及电流分

28、配关系。以 NPN 型 BJT 为例，为使发射区发射电子，集电区收集电子，必须具备的条件是：发射结加正向电压，集电结加反向电压，在这些外加电压的条件下, 管内载流子的传输将发生下列过程：（ 1 ）发射区向基区注入电子6. 简述 PN 结的形成过程。7. 写出下面电路的名称并叙述其稳定静态工作点的物理过程。Rc0-该电路的名称是分压式偏置电路或射极偏置电路，该电路具有稳定静态工作点的作用，其稳定静态工作点的物理过程为TT-lcTTlET-lEReTT VBEJIc 1 B J8. 简述 PN 结的单向导电性原理。9. .说明 BJT 放大电路的三种基本组态，并任选其一画出电路图和小信号模型等效电

29、路图。10、简述BJT内部载流子电流分配及放大作用判断1.判断图中理想二极管的工作状态，并求出 AO两端的电压3k-15VL八12VDi处于与通状态、D2处于截止状态VAO = 0VD i处于截止状态、D2处于与通状态Vao =- 6V。2?式判断图中的二极管是与通还是截止，为什么？（假设二极管是理想的）15V25k 1140k5kCl10kTVa = 1V Vb = 1+2.5= 3.5V D处于反向截止状态15V+10V巳140k10kVa = 1V Vb = 2.5- 1 = 1.5V D处于反向截止状态。LV25k10kTJVa = 1V Vb = 2.5-2 =0.5V D处于正向与

30、通状态。3.如图 Ui=2Esin? t,Di、D2为理想二极管，试求Di、D2的工作状态及u。波形。4'AuiDi'Z1七L4.电路如图所示稳压管ZSD24FUqDz的稳定电压 Vz = 8V,限流电阻R = 3K,设vi=15sin? t,试画出V。的波形。Vo电路分析与计算1.已知射极偏置电路的元件参数如下图所示且B = 60,求：（1）用估算公式法求解Q点并画出直流通路图；（2）用小信号模型分析法求解该放大电路的动态性能指标。|>2.电路如图所示，晶体管的100，雨二25kQ, %=5k Q , Rc= 5 k Q , Rei=300Q , Re2= 1 k Q

31、, R_= 5 k Q。求：（1）用估算公式法求解 Q点并画出直流 通路图；（2）用小信号模型分析法求解该放大电路的动态性能指标。叫c3 .电路如图，设b = 100,试求：(1)画出直流通路图求 Q点；(2)画出交流 小信号模 型图求电压增益 Avi = Voi/Vs和Av2 = V02/VS； ( 3)输入电阻Ri;(4)输出电阻Roi和RO2。4 .测得某放大电路中BJT的三个电极A、B、C的对地电位分别为 Va = -9V,Vb = -6V, Vc = -6.2V,试分析A、B、C中哪个是基极b、发射级e、集电极c、 并说明此BJT是NPN管还是PNP管。5 .某放大电路中BJT的三个

32、电极A、B、C的电流如图，用万用表直流电流档测得Ia = -2mA , Ib = -0.04mA, lc= +2.04mA ,试分析 A、B、C 中哪个是基极 b、 发 射级e、集电极c、并说明此管是NPN管还是PNP管。2所示。6、已知测得放大电路中的三极管的两个电极的电流如图0.03 mA 1.8 mA答:1、1.83mA ,极性向外。1.求另一电极电流的大小，并标出实际极性2.判断是NPN管还是PNP管;3.标出e,b,c电极;4.估算3值。NPN管4、3=1.8/0.03=607.试分析下图所示的电路对正弦交流信号有无不失真放大作用，并简述理由7.1 +5V n rc U2.5Kc11

33、 T（1）写出静态电R和输出电阻RoVi= 3¥ 30K、F=358.在图示电路中，设电容 Ci、C2、C3对交流信号可视为短路。流Ic及电压Vce的表达式；（2）写出电压增益Av、输入电阻 表达式；（3）若将电容C3开路，对电路会产生什么影响?9.已知 Rg1=300K, Rg2=100K, Rd=10K, Rs=2K, FET 工作点上的互与gm=1mS,设rds >> Rd。（1）画出电路的小信号等效电路；（2）求电压增益Av ; （3）求电路的输入电阻Rio10.已知放大电路的如图所示且 A 40, RB1=20k, RB2=10k, RC=2k, VCC=12V

34、RE=0.2k, RE'=1.8k, RL=6k, RS=1k。求：（1）静态工作点 Q （3 分）；（2）画 小信号等效电路（2分），求解该放大电路的 Av （3分）、Avs （2分）、Ri （1 分）、Ro （1 分）。+%11、射极偏置电路和 BJT的输出特性曲线如图所示，已知 B =60o求Ri、Ro、Av。12、电路如图，BJT的B已知，写出表达式旧Q 、 VCEQ；Vo(2) rbe, Ri, Ro, AVS = Vi ;(要求画出小信号模型等效电路)T3DG4ri20KoVcc+ 16Vic/mAVce/V100Rb2o Vcci13.如图电路，Rb仁 100 kQ,Rb

35、2=i20kQ, Rci=5kQ, Rc2=2kQ , 31=32=100,vbei=Vbe2=0.7V , ，人、,一，人，,一rbei= rbe2=2kQo求(1)总放大倍数Av； (2)输入电阻R;输出电阻R)解： (1) Ri2= Rb2bek 1 .96 k Q； A1 - - 3(Rd/ Ri2 )/ rbe1=_70jAv2=- 3Rc2/ rbe2=-100Av=Av1 *Av2=7000;(2) R i= Ri1= Rb1 rbe1=1.96 k Q;Ro= Ro2= Rc2=2 k Q14、如图电路，晶体管的3=45,Vbe=0.7V求：(1)静态工作点；画出放大电路的微变

36、等效电路；解:(3)放大倍数Av,输入电阻输出电阻RiRoVb -V beI b = = 53i ARbIc=3 Ib =2.4mAVce=Vee lcRc=3.1Vrbe=300+(1+ 3 )26/I E=0.8k QRcAv=3=67.5电压IIlfRbViJZVee-100 kQ 6VVoVobeRi= Rb / rbe=0.8 k QRo= Rc=1.2 k Q15如图电路，晶体管的B =100,Vbe=0.7V求：(1)静态工作点；(2)画出微变等效电路；Vcc 15VVo(3)电压放大倍数Av,输入电阻Ri 输出电阻Ro o ,(1)Vcc V B EIb= = 0.02 mARb+(1+ 3 )Relc=3 Ib =2 mAVce=Vcc lcRe=11Vrbe=300+(1+ 3 )26/I e=1.61 k QA v=Ri=Rb(1+ 3) Re=0.99 rbe+(1+ 3 ) Rebe+(1+ 3 ) R e =145.52 k QRo=Rb+ rbe=1.43k QRb b-ViT 510k Qlb (2) -,IiPbe Rt Vi n T TRe VoRe1+ 3