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1、CP 、FT 、WATCP是把坏的Die挑出来，可以减少封装和测试的成本。可以更直接的知道Wafer的良率。FT是把坏的chip挑出来；检验封装的良率。现在对于一般的 wafer工艺，很多公司多把 CP给省了；减少成本。CP对整片 Wafer的每个Die来测试而FT则对封装好的Chip来测试。CP Pass才会去封装。然后 FT,确保封装后也 PassWAT是 Wafer Acceptanee Test，对专门的测试图形（test key）的测试，通过电参数来监控各 步工艺是否正常和稳定；CP是wafer level 的 chip probing,是整个 wafer工艺，包括 backgrin
2、ding 和 backmetal（ifneed）， 对一些基本器件参数的测试， 如vt （阈值电压），Rdson（导通电阻），BVdss（源漏击穿电压）， Igss（栅源漏电流），ldss（漏源漏电流）等，一般测试机台的电压和功率不会很高；FT是 packaged chip level 的 Final Test,主要是对于这个 （CP passed IC 或 Device 芯片应用方 面的测试，有些甚至是待机测试；Pass FP还不够，还需要做 process qual 和 product qualCP测试对 Memory来说还有一个非常重要的作用，那就是通过MRA计算出chip level的
3、Repair address，通过 Laser Repair将 CP测试中的 Repairable die 修补回来，这样保证了 yield 和reliability两方面的提升。CP是对wafer进行测试，检查fab厂制造的工艺水平FT是对package进行测试，检查封装厂制造的工艺水平对于测试项来说，有些测试项在 CP时会进行测试，在FT时就不用再次进行测试了，节省了FT测试时间；但是有些测试项必须在FT时才进行测试（不同的设计公司会有不同的要求）一般来说，CP测试的项目比较多，比较全；FT测的项目比较少，但都是关键项目，条件严格。但也有很多公司只做FT不做CP （如果FT和封装yield
4、高的话，CP就失去意义了）。在测试方面，CP比较难的是探针卡的制作，并行测试的干扰问题。FT相对来说简单一点。还有一点，memory测试的CP会更难，因为要做 redundancy analysis，写程序很麻烦。CP在整个制程中算是半成品测试，目的有 2个，1个是监控前道工艺良率，另一个是降低 后道成本（避免封装过多的坏芯片），其能够测试的项比 FT要少些。最简单的一个例子，碰 到大电流测试项 CP肯定是不测的（探针容许的电流有限），这项只能在封装后的FT测。不过许多项CP测试后FT的时候就可以免掉不测了（可以提高效率），所以有时会觉得FT的测试项比CP少很多。应该说 WAT的测试项和CP/
5、FT是不同的。CP不是制造（FAB）测的！ 而CP的项目是从属于 FT的（也就是说 CP测的只会比FT少），项目完全一样的；不同的是 卡的SPEC而已；因为封装都会导致参数漂移，所以CP测试SPEC攵的要比FT更紧以确保最终成品FT良率。还有相当多的 DH把wafer做成几个系列通用的 die，在CP是通过trimming 来定向确定做成其系列中的某一款，这是解决相似电路节省光刻版的最佳方案；所以除非你公司的wafer圭寸装成device是唯一的，且 WAT良率在99%左右，才会盲圭寸的。据我所知盲封的 DH很少很少，风险实在太大，不容易受控。WAT： wafer level的管芯或结构测试C
6、P wafer level的电路测试含功能FT： device level的电路测试含功能CP=chip prob ingFT=Fi nal TestCP 一般是在测试晶圆，封装之前看，封装后都要FT的。不过bump wafer是在装上锡球，probing后就没有FTFT是在封装之后，也叫“终测”。意思是说测试完这道就直接卖去做application。CP用 prober， probe card。FT是 handler， socketCP比较常见的是 room temperature=25 度，FT可能一般就是 75或90度CP没有QA buy-off （质量认证、验收），FT有CP两方面1.
7、 监控工艺，所以呢，觉得 probe实际属于FAB范畴2. 控制成本。Financial fate。我们知道FT封装和测试成本是芯片成本中比较大的一部分，所以把次品在probe中reject掉或者修复，最有利于控制成本FT:终测通常是测试项最多的测试了，有些客户还要求3温测试，成本也最大。至于测试项呢，1. 如果测试时间很长，CP和FT又都可以测，像trim项，加在probe能显著降低时间成本， 当然也要看客户要求。2. 关于大电流测试呢，FT多些，但是我在probe也测过十几安培的功率mosfet，一个PAD上十多个needle。3. 有些PAD会封装到device内部，在FT是看不到的，所以有些测试项只能在CP直接测，像功率管的GATE端漏电流测试IgssCP测试主要是挑坏 die，修补die，然后保证die在基本的spec内，function well 。FT测试主要是package完成后，保证 die在严格的spec内能够function。CP的难点在于，如何在最短的时间内挑出坏die,修补die。FT的难点在于，如何在最短的时间内，保证出厂的Unit能够完成全部的 Function。