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1、IGBT耗散功率计算不管是正常负荷依旧超负荷，IGBT安全工作必须确保结温 L 不超讨丁汨闵。一关于IGBT及损耗IGBT模块由IGBT本部和续流二极管FWD组成，各自发生的 损耗的合计为IGBT模块整体损耗；同时，IGBT的损耗又分为通 态（稳态）损耗和交换（开关）损耗。通态损耗可通过稳态输出特性计算;交换损耗可通过交换损耗-集电极电流特性来计算。IGBT （本部）耗散功率计算1、通态功耗的计算IGBT通态平均功耗是通态损耗近似是粘讥已）Ic一-集电极电流Dy占空比PWM应用时，近似通态损耗 氏銚= Vce（蓟t） x lx Dt2、开关损耗计算开关损耗精确计算：测量开关过程中的波形，对其进
2、行积分（积分时刻是开通时刻或关断时刻）P$w(on) t Jon(:it) - *e(闕(t) dti卩赵-tjfijt) %EO【)(t)d )t开通损耗:关断损耗:也巴曲的积分面积是以焦耳为单位的开关能量总的开关损耗是开通与关断过程所损耗能量之和，平均开关损耗是单位脉冲开关损耗与开关频率相乘后得到:sw = fPWM X lEON + EOFp实际上-集电极电流特性曲线来估算大多数IGBT都会提供交换损耗与集电极电流特性曲线，如下图:swrtcfianQ losses IGE3T匸=* (Io).= r (lc)VtSE = 15 V FCtif = 0,91 d 尺 J.皆=1,2 a.
3、 Vce = i eoo V. Twj T 2S*C. Cge = 220 nFIo AJ依据IGBT实际流过的电流值，查曲线得到 和，即可计算平均开关损耗:=Gwm xeon3、 IGBT本部总损耗是通态损耗和开关损耗之和三IGBT（FWD-二极管部）功率损耗PpWD = Vf X 】D 四VVVF变频器中IGBT模块的功耗计算 在SPW碉制的变频器中，IGBT的电流值及占空比经常变换，使 得功耗计算专门困难。以下是估算公式:1每一个IGBT的平均通态损耗fl D2每一个IGBT的平均开关损耗En 十 off!3每一个桥臂IGBT的总功耗4反并联续流二极管的通态平均功耗5每一个IGBT总功耗
4、Plotid _ Pjgbl + PpWD计算举例条件:IGBT： eupec 公司型号：FZ1200R33KF2C 开关频率20kHz;功率因素0.8 ;SPW变频器，400Kva,320kW。占空比D=50%工作电流IC=600A峰值电流Icp=600* _查IGBT手册一=900口VCE(sat)=2 5V以下是计算：则每一个IGBT通态损耗:厂105=600 X 3 X 2（廿硏 X 锄=355w每一个IGBT开关损耗:SW=齐(En + Eff)x 5wm =玄 1415926。 + 加。)x = 12095W续流二极管损耗:cos 日)=600 x、2 x 2,53tt /卩80.53 X TT=40WIGBT模块总损耗:P = 6 审(355 + 12095 + 44) = 12494 x 6 = 74964W再加上整流损耗，操纵系统损耗，此计算表明变频器总损耗在80kW左右。效率80/400=0.2 1- 0.2=80%变频器效率80%计算结果显示变频器效率极低，此计确实是否合适或者讲是否合 理，再查查相关资料，做进一步证实。以上计确实是按照20kHz为基础的，频率低效率会高 在此处键入公式。