《半导体物理学期末复习试题及答案一.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《半导体物理学期末复习试题及答案一.docx（5页珍藏版）》请在三一文库上搜索。
1、一、 选择题1. 与绝缘体相比，半导体的价带电子激发到导带所需要的能量（B）。A. 比绝缘体的大 B.比绝缘体的小 C.和绝缘体的相同2. 受主杂质电离后向半导体提供（B），施主杂质电离后向半导体提供（C），本征激发向半导体提供（A）。A. 电子和空穴 B.空穴 C.电子3. 对于一定的 N 型半导体材料，在温度一定时，减小掺杂浓度，费米能级会（B）。A. 上移 B.下移 C.不变4. 在热平衡状态时， P 型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为常数，它和（B）有关A. 杂质浓度和温度B.温度和禁带宽度C. 杂质浓度和禁带宽度D.杂质类型和温度5. MIS结构发生多子积累时，表面的导电类型与体
2、材料的类型（B）。A.相同B.不同C.无关6. 空穴是 (B)。A. 带正电的质量为正的粒子B.带正电的质量为正的准粒子C. 带正电的质量为负的准粒子D. 带负电的质量为负的准粒子7. 砷化稼的能带结构是（A）能隙结构。A. 直接 B.间接8. 将 Si 掺杂入 GaAs 中，若 Si 取代 Ga 则起（A）杂质作用，若 Si 取代 As 则起（B）杂质作用。A. 施主 B.受主 C.陷阱 D.复合中心9. 在热力学温度零度时， 能量比 EF 小的量子态被电子占据的概率为（D），当温度大于热力学温度零度时， 能量比 EF 小的量子态被电子占据的概率为（A）。A. 大于 1/2B.小于 1/2
3、C.等于 1/2 D.等于 1 E.等于 010. 如图所示的 P 型半导体 MIS 结构的 C-V 特性图中， AB 段代表（A）， CD 段代表（ B）。A. 多子积累 B.多子耗尽C. 少子反型 D.平带状态11. P 型半导体发生强反型的条件（B）。A. VSk0 T lnN AqniB. VS2k0T lnN AqniC. VSk0 T lnN DqniD. VS2k0T lnN Dqni12. 金属和半导体接触分为： （ B）。A. 整流的肖特基接触和整流的欧姆接触B. 整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触C. 非整流的肖特基接触和整流的欧姆接触D. 非整流的肖特基接触和非整流的欧姆
4、接触13. 一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载流子，若光照忽 然 停 止 t后 ， 其 中 非 平 衡 载 流 子 将 衰 减 为 原 来 的（A）。A. 1/e B.1/2 C.0 D.2/e14. 载流子的漂移运动是由（A）引起的，反映扩散运动强弱的物理量是（B）。A. 电场 B.浓度差 C.热运动 D.E.D PF.15. 对掺杂的硅等原子半导体，主要散射机构是： （ B）。A. 声学波散射和光学波散射B.声学波散射和电离杂质散射C. 光学波散射和电离杂质散射D.光学波散射二、 证明题对于某 n 型半导体，试证明其费米能级在其本征半导体的费米能级之上。即EFnEi。三、 计算画图
5、题1. 三 块 半 导 体Si室 温 下 电 子 浓 度 分 布 为 ，n1.01016 cm 3 , n1.01010 cm 3 , n1.0104 cm 3,010203（NC=3*10 19cm-3，NV=1*10 19cm-3，ni=1010cm-3， ln3000 8, ln10006.9）则（1） 、计算三块半导体的空穴浓度（2） 、画出三块半导体的能带图（3） 、计算出三块半导体的费米能级相对与EC或EV的位置（要求 n 型半导体求 ECEF，p 型半导体求 EF Ev）（ 15 分）2. 室温下，本征锗的电阻率为 47cm，试求本征载流子浓度。若锗原子的浓度为4.410 22
6、cm3 ，掺入施主杂质，使每106 个锗原子中有一个杂质原子， 计算室温下电子浓度和空穴浓度 (设杂质全部n电离) 。试求 该掺杂 锗材料的 电阻率 。设3600cm2 /Vs ，p1700cm2 /Vs且认为不随掺杂而变化。若流过样品的电流密度为52.3mA/ cm2 ，求所加的电场强度。3. 画出金属和 N 型半导体接触能带图（ WmWs ，且忽略间隙），并分别写出金属一边的势垒高度和半导体一边的势垒高度表达式。4. 如图所示， 为 P 型半导体 MIS 结构形成的能带图， 画出对应的电荷分布图。（6 分）p5. 光均匀照射在电阻率为 6cm的 n 型 Si 样品上，电子空穴对的产生率为 410 21cm -3s -1，样品寿命为 8s 。试计算光照前后样品的电导率。（ n3600cm2 / Vs ，1700cm2 / Vs）