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1、1,客 訴 分 析 程 序 (不良樣品分析步驟 ),2,綱 目 一. 流程圖 二. 分析流程概要 三. 產品架構之基本介紹 四. 產品之固晶銲線規格標準簡介 五. 產品電性規格概述 六. 問題點之簡介與研討 七. 儀器設備之應用 八. 結論 九. Q&A,3,一. 流程圖: 客 戶 樣品提供 規格 外觀 電性 OK Burn-in OK (不良樣品發生處) 確認 檢視 檢測 實 驗 記錄存檔 質詢資訊 NG NG 回 送交第三者 原因不明 溶開Epoxy 原因不明 研磨D.S.C 饋 分 析 分 析 分 析 記錄存檔 記錄存檔 記錄存檔 分 析 報 告 彙 整,4,二. 分析流程概要: 1.
2、客戶(產線)提供不良樣品. 2. 確認樣品材料規格及質詢客戶(不良品發生處), 其使用產品之設定條件 與問題點. 3. 檢視樣品外觀狀況, 並照片紀錄存檔. 4. 檢測樣品電性及於產線F/T機台確認, 並紀錄存檔. 5. 電性測試OK之樣品, 實施Burn-in試驗, 作產品品質驗證. 6. 已確認樣品材料為不良品者, 續作進一步之研討分析. 7. 分析樣品之D.S.C測試, 並記錄存檔. 8. 研磨樣品膠體, 作檢視分析並照片記錄存檔. 9. 溶開樣品之膠體, 做原因問題點確認或研討於外觀無法察覺之問題原因. 10. 廠內無法解析者, 送第三者協助處理.(原素材廠商或它家之分析機構) 11.
3、 分析資料彙整報告. 12. 回饋相關部門單位(客戶).,5,三. 產品架構之基本介紹: 1. 晶片或 IC 2. 金線(鋁線) 3. 銀膠 4. 支架或PCB EPOXY(膠體) 5. EPOXY(膠體) 金球 金線 晶片PAD 晶片或IC 銀膠 Lead Frame(or PCB),6,7,四. 產品之固晶銲線規格標準簡介 1. 現行固晶之規格標準(一般Lamp機型): (參考SOP文件: SOP-1-041-D1 ) a. 晶片傾斜 Z 5 度 - OK b. 晶片破損 正反面晶片破損面積 1/ 5 - OK (不可傷至晶片之P/N介面為原則) 破損,8,c. 銀膠過高或過低 銀膠 晶片
4、四週任何一面銀膠, 不可超過 2/3之晶片高度-OK 晶片須有三面包膠且銀膠 高度需小於1/3晶片高度 - NG d. 固晶位置 晶片須固於支架碗內之中心點OK 晶片 偏移 -NG 晶片固偏 離/ 2 晶片寬度中心線-NG 中心線 中心點,9,2. 現行銲線之規格標準(一般Lamp機型): (參考SOP文件: SOP-1-042-D1 ) a. 第一點銲點位置 銲點金球須在晶片PAD內 - OK 晶片PAD 金球 銲點金球超出晶片PAD外 - NG,10,b. 第一點銲點形狀 金球尺寸 d=1.25mil 金線 d 3 d 4 d 金球 d=1.0mil 3.5 d 5 d 金球厚度 d 0.
5、5 d t 1.5 d t,11,c. 第二點銲點形狀 d 銲點寬度 3 d w 4 d 銲點形狀須對稱 (即單邊不得少於1/2 d) w d. 線弧高度 T=晶片高度, H=線弧高度 H 1T H 2T (240um以下晶片高度 3T ) T,12,e. 第二點銲點位置 X 銲線區域 Y Y X=Y 0.05 mm X f. 線弧形狀 NG OK NG,13,五. 產品電性規格概述 (參考 SOP-3-023-D1),14,15,16,17,六. 問題點之簡介與研討 1 . 產品問題點之簡介: a. A點(第一銲點)鬆銲或拔銲墊 f. 晶片或IC破損 b. B點球頸斷裂 g. 銀膠過高或過低
6、(少) c. C金線斷裂 h. 銀膠與晶片間剝離 d. D點斷裂(第二銲點) i. 銀膠與支架(or PCB)間剝離 e. E點(第二銲點)鬆銲或拔鍍層 j. 膠體Epoxy 破裂 B C 金線 A 金球 EPOXY(膠體) 晶片或IC 銀膠 D E Lead Frame(or PCB),18,2. 產品問題點之研討: a. 外觀檢視膠體Epoxy破裂 : (1) 客戶使用不當, 有外力(外應力) 破壞產品. (2) 膠體Epoxy烘烤不完全, 內應力產生破裂. 可使用D.S.C 分析: W/g NG OK Temperature (),19,b. 研磨膠體(透明Epoxy)及溶開膠體檢視分析
7、 : (1) A點(第一銲點)鬆銲或拔銲墊 : *. 晶片(或 IC)之PAD有污染(鬆銲) 溶開EPOXY拔金球, PAD有壓痕, 若PAD無壓痕及金球下扁平(金球圓). 應為AB銲線參數設定不當. PAD有壓痕, 但拉力不足. 應為PAD有污染 *. AB銲線參數設定不當(拔墊或暗崩) PAD 拔墊或暗崩,20,21,(2) B點球頸斷裂 : *. AB銲線參數設定不當, 線弧低沉(塌線), 球頸之金線結構破壞受損. *. 磁嘴(鋼嘴)受損堵塞, 於AB拉線弧時拉扯斷裂 . 金線結構破壞 B點扯斷 晶片PAD (3) C金線斷裂 : *. 異常外力拉扯(塌線),22,23,(4) D點斷裂
8、(第二銲點) : *. AB銲線參數設定不當 D點斷裂 D點斷裂 *. 磁嘴(鋼嘴)受損 *. 線弧過高, 導致D點扯斷 (5) E點(第二銲點)鬆銲或拔鍍層 : *. AB銲線參數設定不當 *. 支架(PCB)受污染 *. 支架(PCB)之鍍層不良,24,25,(6) 晶片或IC破損 : *. 原晶片素材不良, 晶片橫向破裂 *. 膠體內應力造成 橫向破裂 *. AM固晶頂針力量過大. AB銲線參數設定不當 晶片縱向破裂,26,27,28,(7) 銀膠過高 : *. AM固晶參數設定不當 *. 成份不勻(內有氣泡) (8) 銀膠與晶片間剝離 : *. 銀膠過期,儲存不當或成份不勻-鬆動或龜裂
9、 *. 銀膠烘烤未乾或過久-鬆動或龜裂 (9) 銀膠與支架(or PCB)間剝離 : *. 銀膠過期,儲存不當或成份不勻-鬆動或龜裂 *. 銀膠烘烤未乾或過久-鬆動或龜裂 *. 支架(PCB)受污染-溶開EPOXY後, 其支架(PCB)上未有殘留銀 膠痕跡.,29,七. 儀器設備之應用 1. Vf/IR之測試機台 : a. 基本電性檢測 Vf變化, 當If=10uA, 10mA, 20mA, 100mA 時, *. A點(第一銲點)鬆銲或拔銲墊 *. E點(第二銲點)鬆銲或拔鍍層 *. 晶片或IC破損 *. 銀膠與晶片間剝離 *. 銀膠與支架(or PCB)間剝離 b. 電性有IR狀況時, *
10、. 銀膠過高 *. 晶片或IC破損,30,2. Curve Tracer 電性曲線之測試機台 : a. 電性曲線異常(一) : Vf閃動變化 正常 If Vf *. A點(第一銲點)鬆銲或拔銲墊 *. E點(第二銲點)鬆銲或拔鍍層 *. 晶片或IC破損 *. 銀膠與晶片間剝離 *. 銀膠與支架(or PCB)間剝離,31,b. 電性曲線異常(二) : 曲線回折 *. 晶片有閘流體狀況 If 閘流體導通之Vf Vf c. 電性曲線異常(三) : If 曲線異常 Vf 銀膠過高, 有IR狀況. 晶片或IC受損, 有IR狀況.,32,3. Epoxy 膠體D.S.C 分析儀 : a. 異常之B點球頸斷裂, C金線斷裂, D點斷裂(第二銲點) b. 膠體Epoxy破裂, 膠體烘烤不完全. c. 配膠比例疏失異常, 膠體有大應力. 4. 其它設備儀器應用 : *. S370, S380做亮度(功率)測試 *. PR650波長測試機, 角度測試機 *. 頻率Pulse測試儀. *. 烤箱, 冰櫃, 環測機等. *. CCD(IR)顯微鏡,33,八. 結論 : 大膽假設, 小心求證. 信心有恆, 餘刃有解.,