1模拟电路(培训资料).ppt

上传人:本田雅阁 文档编号:2133595 上传时间:2019-02-20 格式:PPT 页数:24 大小:4.16MB
返回 下载 相关 举报
1模拟电路(培训资料).ppt_第1页
第1页 / 共24页
1模拟电路(培训资料).ppt_第2页
第2页 / 共24页
1模拟电路(培训资料).ppt_第3页
第3页 / 共24页
亲,该文档总共24页,到这儿已超出免费预览范围,如果喜欢就下载吧!
资源描述

《1模拟电路(培训资料).ppt》由会员分享,可在线阅读,更多相关《1模拟电路(培训资料).ppt(24页珍藏版)》请在三一文库上搜索。

1、电子基础,腿踏实地;异想天开.,兢兢业业,踏踏实实!,学会发现问题,面对问题,了解问题,解决问题。,1、半导体和PN结,根据物体导电能力(电阻率)的不同,来区分导体、绝缘体和半导体; 导 体:电阻率小于104次方,比如金Au、银Ag、铜Cu、铁Fe等 绝缘体:电阻率大于109次方,比如玻璃、橡胶、塑料等 半导体:介于两者之间,比如硅Si、锗Ge、砷化镓GaAs等是良好的导体; (电阻率:是衡量物质导电性能好坏的一个物理量,以字母表示;单位为欧姆*毫米平方/米。R= *L/S) 半导体特性: 1、热敏性 2、光敏性 3、掺杂性,概念: 1、本征半导体、杂质半导体; 2、多数载流子、少数载流子;

2、3、N型半导体(掺杂5价磷P元素)、P型半导体(掺杂3价硼B元素);,PN结形成原理: 浓度差多子扩散掺杂 离子形成空间电荷区内电场 阻止多子扩散,促使少子漂 移动态平衡,所以PN实际是 电荷区,又叫耗尽层 特点: 1、单向导电性 2、光热敏,V/I曲线:导通、击穿、结电容,2、半导体二极管,1、点接触型 PN结面积小,结电容小,适合检波、变频等高频电路,结构:,2、面接触型 PN结面积大,适合工频大电流整流电路;,3、平面型 PN结面积可大可小,用于集成电路制造工艺中,多用于开关和高频整流电路;,伏安曲线:,半导体二极管实物图,特性参数: 1、最大整流电流Rf; 2、反向击穿电压VBR和反向

3、电流Ir/反相饱和电流Is; 3、导通电压Vf,或正向压降。一般硅管0.7V,锗管0.2V; 4、极间电容或最高工作频率;,3、特殊半导体二极管,2、变容二极管 3、光电子器件(光电二极管、发光二极管LED、激光二极管等),1、稳压二极管 A:稳压原理,稳压原理: 利用二极管反向特性实现稳压。稳压状态,二极管工作在反向击穿区,同时说明电击穿是可逆的(齐纳击穿、雪崩击穿),而热击穿是不可逆的。,B:特性参数 1、稳定电压Vz。 2、动态电阻Rz=Vz/Iz 3、最大耗散功率PzmVzIz 4、最大稳定工作电流Izmax和最小稳定 工作电流Izmin 5、稳定电压的温度系数,C:典型应用电路和参数

4、设计 稳压条件:满足下列不等式,并注意功耗不能超过Pzm,需要设计一个6V的稳压电路, 已知:Vi12V,Vz=6V,Imax20mA, Imin2mA问:R=?合适,4、二极管在整流电路中的应用,半波整流电路:,全波整流电路:,桥式整流电路:,5、思考题,练习1: 1、请分析右图的D1,D2导通情况 2、VA输出电压是多少?假设二极管导通管压降为0.7V,练习2: 请分析右图电路的工作原理,假设U1=220V,变压器匝比50:1,Uo?,6、半导体三极管的工作原理,1、实物和内部结构,2、工作条件和电流分配,发射区高掺杂,集电区低掺杂,面积大,基区很薄,最低掺杂。,放大条件: 发射结正偏 集

5、电结反偏,7、三极管的输入输出特性曲线,8、三极管的主要参数,9、三极管电路分析图解法,饱和失真 截止失真,10、三极管小信号等效电路,1、H参数小信号模型 目的:简化分析,使 非线型简化为线性分 析,等效成流控电流 源。 使用范围:小信号。,11、三极管放大电路的主要技术参数,1、放大倍数或放大增益 反映放大电路在输入信号控制下,把 供电电源能量转化为输出信号能量的 能力。 放大倍数:Av=Vo/Vi 放大倍数:Avo=Vo/Vi(负载开路) 放大增益:Av20Lg (Vo/Vi) dB 问:放大0倍 和0dB,那个大? 2、输入电阻 RiVi/Ii 3、输出电阻 RoVt/It Vs0的时

6、候 还有温度特性和频率特性 比如温漂、零漂、带宽、频响等,传递效率问题: 真正到达负载上的电压=Vs(Ri/(RsRi)Avo (RL/(RoRL) 所以,Ri越大越好,Ro越小越好,同时可以看出,RL的变化是影响整个电路最终的放大效果的,12、三极管放大电路分析小信号等效电路法,H参数小信号模型分析 最后结论:,问: 请推算以上结论是怎么得到的?,13、放大电路工作点稳定问题,温度增加,会造成Ic上升,导致工作点漂移, 造成放大参数不稳定。,稳定原理: T 升高Ic 增大 Ie 增大 Ve增大,Vb基本不变Vbe 减小 Ib减小Ic减小,Re取值越大,稳定能力越强 B点电位基本不变条件:I1

7、Ib ,一般510倍,此时Vb约等于Rb2/(Rb1Rb2)*Vcc,14、三组态性能比较,15、多级放大器,多级放大器级间耦合: 1、直接耦合 优点:频带宽,适合集成电路工艺 缺点:工作点关联 2、阻容耦合 优点:工作点不关联,设计简单 缺点:低频特性差 3、变压器耦合 优点:阻抗匹配容易 缺点:体积大,低频特性差,缓冲和隔离: 为什么加这样一级? 该级的电压放大倍数一般多少?,16、放大器的频率响应,幅频特性:描述放大幅度与信号频率之间的关系 相频特性:描述信号相位与信号频率之间的关系,上限频率:高频端下降3dB的频率点 下限频率:低频端下降3dB的频率点 带宽:高端低端 增益带宽积:增益

8、带宽 ,三极管是常数 导致频率失真和相位失真的物理原因: 内部:结电容、连线电感电容等 外部:偏置中的电容、电感等,包括耦合用的等等。,幅频特性波特图,17、一阶RC滤波器的幅频特性,1、一阶低通RC滤波器的幅频特性:,2、一阶高通RC滤波器的幅频特性:,最大倍数0dB,fH是3dB点(是多少倍?),相位关系:输出滞后输入,最大90度,18、思考题,1、如何用万用表判断三极管的类型和极性?,2、假设Vcc6V, T硅管的放大倍数100, 问Rt,Rc取值多少合适?,19、场效应管,JFET:结型场效应管,(?) MOSFET:金属氧化物半导体场效应管,俗称MOS管(Metal Ox Semic

9、onducter Field Efiici Transistor?),问:符号中的 箭头是指什么?,20、结型场效应管,一:JFET:结型场效应管,特性参数: 1、夹断电压Vp; 2、饱和漏极电流IDSS; 3、低频跨导gm,Vgs对Id的控制作用, 在转移曲线上可以求得; 4、输出电阻Rd; 5、直流输入电阻Rgs,10M以上; 6、最大漏源电压VBRds; 7、最大栅源电压VBRgs; 8、最大漏极功率PDM;,二:JFET特点: 1、一种载流子参与导电,是单极性管; 2、V gs反偏,输入电阻很大; 3、压控制电流源,开关速度高; 4、预夹断前Vds与Id近似线性关系,预夹断后,Id饱和

10、,进入恒流区域;,三:JFET简单应用:,21、直流稳压电源,7.1 直流稳压电源的基本组成 7.2 整流电路 7.3 滤波电路 7.4 稳压电路,滤波电路的基本形式,串联型直流稳压电路,(1) 启动电路 (2) 基准电压电路 (3) 取样比较放大电路和调整电路,整流电路,2278L型为输出电压固定的三端集成稳压器原理图,梦自己想梦的做自己想做的,认真 敬业 勤奋 创造,脉冲调宽式开关型稳压电路示意图,根据开关稳压电源的控制方式不同,可分为脉冲宽度调制型(即开关工作频率不变,控制导通脉冲的宽度)、脉冲频率调制型(即开关导通时间不变,控制开关的工作频率)和混合调制型(即脉冲宽度和开关工作频率均变化)。以上3种类型的开关稳压器中,脉冲宽度调制型用得较多,典型产品有CW3420/CW3520、CW295和X63等。,

展开阅读全文
相关资源
猜你喜欢
相关搜索

当前位置:首页 > 其他


经营许可证编号:宁ICP备18001539号-1