《模电第二章(习题).ppt》由会员分享，可在线阅读，更多相关《模电第二章(习题).ppt（14页珍藏版）》请在三一文库上搜索。
1、（1）在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体，加入 元素可形成P型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价,（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小,判断下列说法是否正确 （1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（ ） （2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ） （3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ）,A,C,A,模电第二章习题,1、杂质半导体中少数载流子浓度（ ）本征半导体浓度。 、大于 、等于 、小于 、在室温附近，温度升高，杂质半导体中（ ）浓度明显增加。 、载流子 、多数载流子
2、 、少数载流子 、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ ），而少数载流子浓度同与（ ）有很大关系。 A、温度 B、掺杂工艺 C、杂质浓度 D、晶体缺陷,4、当PN结外加正向电压时，扩散电流（ ）漂移电流，耗尽层（ ）。当PN结外加反向电压时，扩散电流（ ）漂移电流，耗尽层（ ）。 、大于 、等于 、小于 D、变宽 E、变窄 F、不变 5、用万用表的R100档测某二极管的正向电阻阻值为500,若用万用表的R1K档测同一二极管,则其正向电阻阻值( ) A、增加 、不变 、减小 、不能确定,：二极管：死区电压=0 .5V，正向压降 0.7V(硅二极管) 理想二极管：死区电压=0 ，正向压降=
3、0,二极管半波整流,：二极管的应用,R,RL,ui,uR,uo,. 二极管的应用:桥式整流,9：稳压二极管的应用,稳压二极管技术数据为：稳压值UZW=10V，Izmax=12mA，Izmin=2mA，负载电阻RL=2k，输入电压ui=12V，限流电阻R=200 。若负载电阻变化范围为1.5 k 4 k ，是否还能稳压？,UZW=10V ui=12V R=200 Izmax=12mA Izmin=2mA RL=2k (1.5 k 4 k),iL=uo/RL=UZ/RL=10/2=5（mA） i= （ui - UZ）/R=（12-10）/0.2=10 （mA） iZ = i - iL=10-5=5
4、 （mA） RL=1.5 k , iL=10/1.5=6.7（mA）, iZ =10-6.7=3.3（mA） RL=4 k , iL=10/4=2.5（mA）, iZ =10-2.5=7.5（mA）,10、如图10-1(a)(b)所示，设硅稳压管Dz1、Dz2的稳定电压分别为5V和8V，正向压降均为0.7V，求图中各电路的输出电压Vo。,图题10-1(a) 图题10-1(b),11、 V1=15V，下图示电路输出电压V2的值是 。,12. 设二极管是理想的，分析图中各二极管的导通或截止情况，并求AO两端的电压UAO。,解,分析方法：先将要分析的二极管断开，求VD,VD=(-5V)-(-12V)=7V0 所以二极管导通 VAO=-5V,解,分析方法：如果电路中有两个二极管，则先将不分析的二极管所在的支路断开，再按前面所学的方法分析。,但VD1 VD2 管压降大的管子优先导通, 二极管D2先导通从而导致二极管D1截止 VAO=-3V,VD1=5V0 所以二极管D1导通,VD2=5V-(-3V)=8V0 所以二极管D2导通,13,设二极管是理想的，分析图中各二极管的导通或截止情况。,解,分析方法：先将要分析的二极管断开，求VD,因为VBVA所以D截止.,作业： P60 2.4.3 2.4.10,