3场效应管放大电路及多级放大电路.ppt

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1、第三章 场效应管放大电路 及多级放大电路,模拟电子技术基础,3.1、结型场效应管(JFET),3.2、金属-氧化物-半导体场效应管 (MOSFET),3.3、场效应管静态工作点的设置方法,3.5、复合管,3.4、场效应管放大电路的动态分析,3.6、多级放大电路,第三章 场效应管及其放大电路,晶体三极管:电流控制电流元件,场效应管:电压控制电流元件,引入场效应管的原因:,晶体管放大电路不能满足ri(M),在晶体管放大电路中,共集放大电路输入电阻最高,所以引入场效应管来提高输入电阻。,序论,结型,绝缘栅型,小输入电压控制大输出电流,ri高,噪声低,热稳定性好,抗辐射能力强,省电等。,场效应管特点:

2、,场效应管分类:,场效应管有三个极:源极(s)、栅极(g)、漏极(d) 。,1.结构和符号,导电沟道,源极,栅极,漏极,符号,一、(JFET)的结构和工作原理,3.1、结型场效应管(JFET),N沟道,符号,P沟道,导电沟道,发射极(e)、基极(b)、集电极(c) 。,a、栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用,沟道最宽,注意:为什么g-s必须加负电压?,UGS(off),2.工作原理,(1)当uGS=0,uDS=0时,PN结很窄,导电沟道最宽。,(2)当|uGS |逐渐增大,PN结加反偏电压,PN结变宽,导电沟 道变窄,沟道电阻变大。,(3)当|uGS|=uGS(off)时,两个PN结闭合,导电

3、沟道消失(沟道被夹断),沟道电阻无穷大。,uGS可以控制导电沟道的宽度,b、漏-源电压对漏极电流的影响,场效应管工作在恒流区的条件是什么?,(1)当uGS=0,uDS0时,使沟道中各点与栅极g间电压不再相 等,所以PN上宽下窄。,PN结上宽下窄,预夹断,(2)uGD=uGS-uDS,随着uDS增大,uGD变小耗尽层变宽,导电沟道变窄,iD随uDS线性增加。,(3)uGD=uGS-uDS,随着uDS继续增大,当uGD=uGS(Off)时,为预夹断。,uGDUGS(off),uGDUGS(off),b、漏-源电压对漏极电流的影响,场效应管工作在恒流区的条件是什么?,(3)uGD=uGS-uDS,随

4、着uDS继续增大,当uGDuGS(Off)时,夹断加深,此时iD不再随uDS增大而增大,uDS的增大几乎全部用来克服沟道电阻,iD仅取决于uGS大小,此时为恒流区。,uGDUGS(off),注意:场效应管工作在恒流区的条件是什么?,此时,通过改变uGS大小来改变iD,所以场效应管为电压控制电流元件,(4)uGSuGS(off),全夹断,iD0,进入夹断区。,综上分析可知,沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电, 所以场效应管也称为单极型三极管。,JFET是电压控制电流器件,iD受uGS控制。,预夹断前iD与uDS呈近似线性关系;预夹断后,iD趋于饱和。,JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的

5、,因 此iG0,输入电阻很高。,1.输出特性曲线,g-s电压控制d-s的等效电阻,预夹断轨迹,uGDUGS(off),可变电阻区,恒 流 区,iD几乎仅决定于uGS,击 穿 区,夹断区(截止区),夹断电压,IDSS,不同型号的管子UGS(off)、IDSS将不同。,低频跨导:,场效应管有三个工作区域:截止区、恒流区、可变电阻区。,二、(JFET)的特性曲线,UGS(off),场效应管工作在恒流区,因而uGSUGS(off)且uGDUGS(off)。,2.转移特性曲线,IDSS为uGS=0,预夹断时的电流。,漏极饱和电流,夹断电压,3.2 金属-氧化物-半导体场效应(MOS)管,MOS管的特点:

6、g与s、g与d间采用si02绝缘层,g与s间电阻 比场效应管大得多,达1010以上。且温度稳定性好,集成化时工艺简单,所以广泛应用于大规模和超大规模集成电路中。,结型场效应管,SiO2绝缘层,耗尽层,高掺杂,(1)增强型管工作原理,1.增强型管,一、(MOS)管的结构和工作原理,当 uGS=0时,无导电沟道,无论外加uds极性如何, id=0.,随uGS增大,反型层(导电沟道)将变厚变长。当反型层将两个N区相接时,形成导电沟道。,衬底,反型层,大到一定值才开启,(1)增强型管工作原理,当 uGS0时,,uGS=UGS(th),iD随uDS的增大而增大,可变电阻区,uGDUGS(th),预夹断,

7、iD几乎仅仅受控于uGS,恒流区,刚出现夹断,uDS的增大几乎全部用来克服夹断区的电阻,(1)增强型管工作原理,转移特性,开启电压,输出特性,在恒流区:,可变电阻区,恒 流 区,夹断区(截止区),(2)增强型管特性曲线,耗尽型MOS管在 uGS0、 uGS 0、 uGS 0时均可导通,且与结型场效应管不同,由于SiO2绝缘层的存在,在uGS0时仍保持g-s间电阻非常大的特点。,加正离子,小到一定值才夹断,uGS=0时就存在导电沟道,2.耗尽型管,(1)耗尽型管工作原理,加正离子,小到一定值才夹断,uGS=0时就存在导电沟道,(1)耗尽型管工作原理,1)当ugs0时,由于二氧化硅绝缘层则ig=0

8、,导电沟 道变宽,在uDS作用下,iD较大,2)当ugs0时,导电沟道变窄,iD变小,当ugs=UGS(0ff时, 出现夹断区,iD=0.,总结:耗尽型MOS管可以在ugs正负电压下工作,而结型管 仅在ugs0时工作,相同点是ig=0,转移特性,夹断电压,输出特性,(2)耗尽型管特性曲线,特点:可以满足iDIDSS, 而结型管只能ID IDSS,场效应管总结:,工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性,场效应管的分类:,1)夹断电压UGS(off):,漏极电流约为零时的uGS值 。,3) 饱和漏极电流IDSS:,uGS=0时对应的漏极电流。,三、场效应管的主要参数,2)开启电压UGS(th):

9、仅适用于增强型,使iD0所需最小的 g、s间电压。,1、直流参数,1) 输出电阻rd:,2、交流参数,2) 低频跨导gm:,或,低频跨导反映了vGS对iD的控制作用。gm 可以在转移特性曲线上求得,单位是mS(毫西门子)。,2) 最大漏源电压:U(BR)DS,3) 最大栅源电压:U(BR)GS,1) 最大漏极电流:IDM,4) 最大漏极功耗PDM:,3、极限参数,为保证场效应管工作在恒流区,在g-s、d-s间加极性合适的电源,3.3 场效应管静态工作点的设置方法,场效应管放大电路:,共源(S)、共漏(d)、共栅(g),共射(e)、共集(c)、共基(b) 。,正常工作条件:VGGUGS(th),

10、VDD作用: 保证d、s间电压大于预夹断电压为负载提供能源,Rd作用:将变化的iD转变为电压UDS,实现电压放大。,静态分析:,公式法:,确定,所以称为自给偏压电路,哪种场效应管能够采用这种电路形式设置Q点?,一、自给偏压电路,1、公式法,由于结型管正常工作时必须ugs0,由图知静态ui=0时Ig=0,即URg=0,Ig,ID,所以,自己产生的,2、图解法,输出回路负载线,输入回路负载线,为什么加Rg3?其数值应大些小些?,哪种场效应管能够采用这种电路形式设置Q点?,二、分压式偏压电路 典型的Q稳定电路,根据iD的表达式或转移特性可求得gm。,与晶体管的h参数等效模型类似:,一、场效应管的交流

11、等效模型,3.4 场效应管放大电路的动态分析,说明: (1)以结型、增强型为例ig=0,所以g、s间断开,但ugs0,(2)小信号工作时,在恒流区 (常数)用受控源等效。,(3)在线性区,若Rd=3k, Rg=5k, gm=2mS, 则,二、基本共源放大电路的动态分析,1、固定偏置电路,(与共射电路比较。),总结:,(2)尽管输入电阻可以达,但Au却仅有10倍级左右。,(1)共源与共射均为反相放大电路。,2、分压式偏置电路,解:(1)画微变等效电路,(2)求各量值,有旁路电容时:,无旁路电容时:,总结:,(2)此电路中C可以用无极性电容。 如果负载小时,C2要用有极性电容,以减小C2上的分压,

12、(1)Rg3作用:进一步提高输入电阻,对直流无影响。,三、基本共漏放大电路的动态分析,输出电阻的分析,若Rs=3k,gm=2mS,则Ro=?,加压求流法:,Ro428,与共集电路类似:,(1)U0与Ui同相。,(2)Au1。,(3)R0较小,可以作为多级放大电路的输出级,复合管的组成:多个管子合理连接等效成一个管子。,不同类型的管子复合后,其类型决定于T1管。,目的:增大,减小前级驱动电流,改变管子的类型。,3.5 复合管,工作中常需要很高达上千倍,若用单管则电路稳定性较差,所以采用复合管。,复合管的组成原则:,(1) 在合适的外加电压下,每只管子的电流都有合适的通路,且均工作在放大区或恒流区

13、;,(2) 为了实现电流放大,应将第一只管的集电极(漏极)或发射极(源极)电流作为第二只管子的基极电流。,总之,由于晶体管构成的复合管有很高的电流放大系数,所以只需要很小的输入驱动基极电流,便可获得很大的集电极(或发射极)电流。,在合适的外加电压下,每只管子的电流都有合适的通路,才能组成复合管。,讨论一:判断下列各图是否能组成复合管,(),(),(),(),(),(),Ri=? Ro=?,讨论二:求下图的输入电阻和输出电阻,放大电路的选用:,按下列要求组成两级放大电路: Ri12k,Au 的数值3000; Ri 10M,Au的数值300; Ri100200k,Au的数值150; Ri 10M

14、,Au的数值10,Ro100。,共源、共集。,补充:各种放大器件电路性能比较,共射、共射;,共源、共射;,共集、共射;,3.6 多级放大电路,(1)单级放大输出达不到要求的输出量级。,(2)为从信号源输入更多能量,要求输入级Ri; 对负载而言,为了获得更多的能量,要求输出级Ro0,多级放大电路作用:,信号源与放大电路之间、两级放大电路之间、放大器与负载之间的连接方式。,直接耦合、阻容耦合、变压器耦合等,耦合方式:,常用的耦合方式:,多级放大电路引入:,已知rbe=1.2K,=50,求AVO、AV、AVS,解:,分析:分别在不带负载、带负载、考虑信号源内阻时,放大倍 数大大降低。,解决方法:采用

15、多级放大电路。,空载时,考虑信号源内阻时,改进电路:,已知rbe1=rbe3= 1.5K,1=3= 50,求AVO、AV、AVS,既是第一级的集电极电阻,又是第二级的基极电阻,特点:能够放大变化缓慢的信号,便于集成化, Q点相互影响,存在零点漂移现象。,零漂的原因:当输入信号为零时,前级由温度变化所引起的电流、电位的变化会逐级放大。,第二级,第一级,1、直接耦合,输入为零,输出产生变化 的现象称为零点漂移,一、多级放大电路的静态分析,Re,Q1合适吗?,对哪些动态参数产生影响?,用什么元件取代Re既可设置合适的Q点,又可使第二级放大倍数不至于下降太大?,二极管导通电压UD小,动态电阻rd小,静

16、动态均解决,直接耦合特点:,UCE1=UBE2=0.7V,则T1 的Q点太低,已进入饱和区。,解决方法:,接RE:,静态可解决,但动态AV损失大。,接D:,UCEQ1太小加Re(Au2数值)改用D若要UCEQ1大,则改用DZ。,稳压管 伏安特性,限流电阻,rzu /i,小功率管多为几欧至二十几欧。,若要使UCEQ15V,采用什么方式解决?,举例:直接耦合两级放大电路,静态工作点的求解。,特点:Q点相互独立。 不能放大变化缓慢的信号,低频特性差, 不能集成化。,共射电路,共集电路,有零点漂移吗?,利用电容连接信号源与放大电路、放大电路的前后级、放大电路与负载,称为阻容耦合。,2、阻容耦合,1.电

17、压放大倍数,2.输入电阻,3.输出电阻,对电压放大电路的要求:Ri大, Ro小,Au的数值大,最大不失真输出电压大。,二、多级放大电路的动态分析,三、分析举例,两级放大电路如图所示,已知三极管的 场效应管的 ,写出两级放大电路的组态,并求出 输入电阻、输出电阻及电压放大倍数,例1:,解:此为共源-共集放大电路,例2:,解:此为共源-共射放大电路,交流等效电路如图:,零点漂移现象:uI0,uO0的现象。,产生原因:温度变化,直流电源波动,元器件老化。其中晶体管的特性对温度敏感是主要原因,故也称零漂为温漂。,克服温漂的方法:引入直流负反馈,温度补偿。 典型电路:差分放大电路,差分放大电路的作用:克

18、服零点漂移现象。,3.3 差分放大电路,一、简单的差分放大电路,1、抑制零漂的原理,电路结构对称,各元件参数相同。,电路特点:,静态时,ui1 = ui2 = 0,IC1VC1,IC2VC2,当温度升高时,虽然两个管子都产生漂移,但集电极电位的变化是相同的,所以Uo=0,2. 信号输入,所以电路对共模信号无放大作用,即AC=0,ui1 = ui2(大小相等、极性相同),差分电路抑制共模信号能力的大小,反映了它对零点漂移的抑制水平。,(1) 共模输入:,uo = 0,ui1 = ui2(大小相等、极性相反),电路对差模信号有较大的放大能力。,(2) 差模输入:,设ui10,ui20,ui1ic1

19、uc1,ui2ic2uc2,差模信号 是有用信号,共模信号 需要抑制,(3) 比较输入:,ui1 、ui2 大小和极性是任意的。,可分解成: ui1 =uic + (1/2) uid,可分解为一对共模信号叠加一对差模信号,ui2 =uic - (1/2) uid,差分放大电路中的一般概念,差模信号,共模信号,差模电压增益,共模电压增益,用差模信号和共模 信号表示输入信号,二、长尾式差分放大电路,RE:稳定静态工作点,限制每个管子的漂移。,EE:用于补偿RE上的压降,以获得合适的工作点。,原因:,(1)完全对称的理想差分放大电路并不存在,单靠对称性抑制零漂是有限度的。,(2)电路中每个管子的零漂

20、仍存在,若用单管输出,漂移仍存在,RE:共模负反馈电阻,作用:近一步抑制零漂,IC1IE1,IC2IE2,IC1,IC2,RE对共模信号有强烈的抑制作用,但对差模信号无影响,2、静态分析,静态时输出电压为零。,静态时由于UC1=UC2,3、动态分析,一对大小相等方向相反的信号,一管电流增加、一管电流减小,a、输入信号为差模信号,差模输出电压不为零。,一对大小相等方向相同的信号,两管电流同时增加,b、输入信号为共模信号,共模输出电压为零。,干扰信号和温漂以共模形式出现, 可以被抑制,所以不出现在输出中。,3、动态分析,三、差分放大电路主要技术指标计算,1.双端输入、双端输出,1)差模输入,?,差

21、模放大倍数,2)共模输入,共模放大倍数AC=0.,共模抑制比KCMR:综合考察差分放大电路放大差模信 号的能力和抑制共模信号的能力。,在实际应用时,信号源需要有“ 接地”点,以避免干扰;或负载需要有“ 接地”点,以安全工作。,根据信号源和负载的接地情况,差分放大电路有四种接法:双端输入-双端输出、双端输入-单端输出、单端输入-双端输出、单端输入-单端输出。,或,电路对称理想时,双端输出的KCMR为无穷大。,差分放大电路主要技术指标计算,2.双端输入、单端输出,1)差模输入,输入回路没变,输出回路改变。,若RL接T2管,则,?,2)双入单出-共模输入,又由,很大,Ric为T1与T2并联后电阻:,

22、(1)T2的Rc可以短路吗? (2)什么情况下Ad为“”? (3)双端输出时的Ad是单端输出时的2倍吗?,3)双入单出分析,输入差模信号的同时总是伴随着共模信号输入:,3.单端输入、双端输出,分析方法与双入双出一致, 结果也一致。,4.单端输入、单端输出,静态时的值,问题讨论: (1)UOQ产生的原因? (2)如何减小共模输出电压?,输出方式:Q点、Ad、 Ac、 KCMR、Ro均与之有关。,输入方式:电路的性能指标与输入方式无关,因此输入电阻不变,但是输入信号的分量不同。单端输入时必有共模信号分量和差模信号分量输入。,四种接法比较(条件:电路参数对称),为什么要采用电流源?,Re 越大,共模

23、负反馈越强,单端输出时的Ac越小,KCMR越大,差分放大电路的性能越好。 为使静态电流不变,Re 越大,VEE也要增大,以至于Re太大不合理。 需要寻找既能合理偏置静态电流,又能在交流时等效无穷大的Re。,解决方法:用电流源替代Re!,四、具有恒流源的差分放大电路,等效电阻为无穷大,近似为 恒流源,静态时:,若UBEQ3变化忽略不计,则IC3基本不受温度影响,且无动态信号作用于T3,所以IC3基本为恒流。,所以I1I2,交流分析时用电流源的交流等效电阻Ro取代原来的Re。,等效电阻,提高了单端输出的共模抑制比。,近似为 恒流源,动态时:,五、具有调零电阻的差分放大电路,1) RW取值应大些?还

24、是小些? 2) RW对动态参数的影响? 3) 若RW滑动端在中点,写出Ad、Ri、Ro表达式。,调零电阻,实际电路中,由于难以做到参数理想对称,常用一个阻值很小的电阻调节,使ui1=ui2=0时u0=0.,六、场效应管差分放大电路,负载RL开路时:,带负载RL时:,与三极管差分放大电路一样也有四种输入输出方式,分析方法类似,请自己学习。,(4)当输出接一12k负载时的电压增益.,电路参数如图所示,已知三极管的参数,求:,差分放大电路举例 1,解:,(1) 静态,(2) 电压增益,(4),(3),因为差分放大器射极采用恒流源,所以共模信号近似为零。,差分放大电路举例 2,电路参数如图所示,已知结型场效应管参数gm=2mS,三极管参数rce=200k, =100,试求场效应管漏极静态电流ID2以及电路的各交流参数。,解:T1、T2为场效应管组成的差分放大器,源极采用恒流源,T3、T4组成比例电流源。,(1) 静态,源极等效电阻,(2) 交流参数,七、差分放大电路的传输特性,线性区,

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