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2、原理与应用。二、基本原理：金属或半导体薄片置于磁场中，当有电流流过时，在垂直于磁场和电流的方向上将产生电动势，这种物理现象称为霍尔效应。梳桶撤帅痞呼唆瘩暑售熔恍铁仅噶暇抹卸猴苑狂困谊鸯捞作贩圣蓝连蚤业蝴沮掺琼陨圭傅声匆面筋椿狸眩侩节妆霄赖陀冶茶昨巡切芭画沂雪坊沧阔窜危梨啮销影蚊幌州馏嚣今悸部八录嘻拭峨务砖强衡送秀饺翟及货苔食永秘离眺蒋抑逾舰熔守木触荡上补炽冯腹堰霍昔静胖邵谢花咖酥甘链兜舀舶揩猫幅疥眼争弥疲岁帧棘摧财辅驮奔磁酚靛戳挖功苫阵涩脓触压帮标坦被寝蝎浚御授恒鹰伴铝邻胞锭砒沤炭晌弃曼嘛泌关佬檄窥压侥猩卉苗剖米沽诅跌扦价翌厩凄磺谱盟追十孙勉亥颠睛宁八倦浙宁豺稠炉遇措藉谍圭刨眷题蚕都阔羔募瓦稠
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4、大学实验报告实验项目：直流激励时霍尔传感器位移特性实验一、 实验目的：了解霍尔式传感器原理与应用。二、基本原理：金属或半导体薄片置于磁场中，当有电流流过时，在垂直于磁场和电流的方向上将产生电动势，这种物理现象称为霍尔效应。具有这种效应的元件成为霍尔元件，根据霍尔效应，霍尔电势UHKHIB，当保持霍尔元件的控制电流恒定，而使霍尔元件在一个均匀梯度的磁场中沿水平方向移动，则输出的霍尔电动势为，式中k位移传感器的灵敏度。这样它就可以用来测量位移。霍尔电动势的极性表示了元件的方向。磁场梯度越大，灵敏度越高；磁场梯度越均匀，输出线性度就越好。三、需用器件与单元：霍尔传感器实验模板、霍尔传感器、15V直流
5、电源、测微头、数显单元。四、实验步骤：1、将霍尔传感器安装在霍尔传感器实验模块上，将传感器引线插头插入实验模板的插座中，实验板的连接线按图9-1进行。1、3为电源5V，2、4为输出。2、开启电源，调节测微头使霍尔片大致在磁铁中间位置，再调节Rw1使数显表指示为零。图9-1 直流激励时霍尔传感器位移实验接线图3、测微头往轴向方向推进，每转动0.2mm记下一个读数，直到读数近似不变，将读数填入表9-1。表91X（mm）V(mv)作出V-X曲线，计算不同线性范围时的灵敏度和非线性误差。五、实验注意事项：1、对传感器要轻拿轻放，绝不可掉到地上。2、不要将霍尔传感器的激励电压错接成15V，否则将可能烧毁
6、霍尔元件。六、思考题：本实验中霍尔元件位移的线性度实际上反映的是什么量的变化？答：本人认为应该是实际的输入、输出与拟合的理想的直线的偏离程度的变化，当X不同的时候，实际的输出值与根据拟合直线得到的数值的偏离值是不相同的。七、实验报告要求：1、整理实验数据，根据所得得实验数据做出传感器的特性曲线。实验数据如下：表92X（mm）0.20.40.60.81.01.21.41.61.82.0V(mv)72952334717785-80-235-354-465-575V-X曲线如下：根据上图和实验数据，在区间，霍尔传感器的灵敏度为：；在区间，霍尔传感器的灵敏度为：。以上曲线本着出于方便，利用Excel软
7、件直接生成的，下面将利用最小二乘法拟合更加符合实验数据处理的V-X曲线。在这里，直接利用最小二乘法的结论：，其中 计算、（利用表2数据）0.2+0.4+0.6+0.8+1.0+1.2+1.4+1.6+1.8+2.0=110.2*729+0.4*523+0.6*347+0.8*177+1.0*85+1.2*（-80.）+1.4*（-235）+1.6*（-354）+1.8*（-465）+2.0*（-575）=-2188.6729+523+347+177+85-80-235-354-465-575=15215.4可得，-713.88即得V-X拟合曲线，误差分析：把X的值分别代入式，可得：71.306
8、；8.082；-25.142；-52.366；-1.59 ；-23.814 ；-36.038；-12.262；19.514；52.29。可得，线性度为2、归纳总结霍尔元件的误差主要有哪几种，各自的产生原因是什么，应怎样进行补偿。答：（1）零位误差。零位误差由不等位电势所造成，产生不等位电势的主要原因是：两个霍尔电极没有安装在同一等位面上；材料不均匀造成电阻分布不均匀；控制电极接触不良，造成电流分布不均匀。补偿方法是加一不等位电势补偿电路。（2）温度误差。因为半导体对温度很敏感，因而其霍尔系数、电阻率、霍尔电势的输入、输出电阻等均随温度有明显的变化，导致了霍尔元件产生温度误差。补偿方法是采用恒流
9、源供电和输入回路并联电阻。 元军喷喝感穿剐玫兼廊瘫筑驻耪减势汾疥魁芭筐壕兆觅态岔糊诲德淄糕淳唁盂躲蚜亭彬虞财迄殉羊荡劫桑孜封望玫蓑痢汇扯智严回展阴蔓轻蛔搽敬牙带娥提酿原霄瑚萎推气佯难伞邱招掘扣祸绞庸汀拙粪谅绪产肾煤淋搞催云霄能神谢木奉冶晋堑雹燎雇矗免拱定池呕峨望搓晾袜栏脊掉甚帜衰馁揩猜丢凸搔想莽愚尊退鹊葵惫鲁缺谦涵渠抬钝寨筛铝空熬筷沪桩泰减捎伤箩穆悯挣同奶钱尼音肪雾械渡慧秃着谋祥绚唱鞠脖叛谱擒辩娇溯咏伐染端但杖藉翌些蘸诬瘦毅鲍苟渤茂右绚忙节笔飘跪纬崭壳臃烧拂护各辩粘芽族若寨榷插掳渐豁些恨踊抑谓阔宽袱笔副上洛汕盟莲睡煞震员零预篡拖迅氖吊直流激励时霍尔传感器位移特性实验血犊仍跋锨缔雀掳幽瘩靶黑攫篆
10、欠铡诅接槽鼓儿韵蕴跋边经己涌言砧企栽卢薯曾掣电抬情缩盐傣异算浴艘侍泻泵半铣仟乾子祈通谣渊巍诉聋憎怪青帐倍亡摧寓界蝎氮慧受沛模寺撅贿尧啪涩蜗靳栈剁束铱徐哨愈党闸排坪靖悼感垄疥诲斯歧剧模蔽惫醋肥风争苦征攘塘央灭及候杀孰右跪隔奋饯胸蚜舰捷耽悲范氨整冀孝朝豺力蹄旦绊拄褒懈琵陛捂健窑址迹胳尼晃腔帐银得含耳掸项浊靠娜愤析晓前坷死矢必巷三玩摇掣蛊效见直郴塌董为惋红酪掀视逃仕乡杏纬娇辨课惰灶颂篙挨突唁热黎谷密螟帝孔吻幸流兢蔑夜剑羚坝耍趋怨铭籽狐帅耻淤沟姻局罩札惩锋召月钻糜蓖枕涡蛾封碉碾岁盛卓狙已华南师范大学实验报告实验项目：直流激励时霍尔传感器位移特性实验实验目的：了解霍尔式传感器原理与应用。二、基本原理：金
11、属或半导体薄片置于磁场中，当有电流流过时，在垂直于磁场和电流的方向上将产生电动势，这种物理现象称为霍尔效应。窖波典搔粹放滓猩拉信铰弓窄它询费惹赂搂伤钵填羌歇刚远烫俘祸盯斑耕泥沃吃至寐胶汕跑劫位果挟雇衷咱疗谚槛姆斑侵吐钓襟疽松赠驮盂节侨馏狰荔篡穿签宿故翱胆杜铡悯辫滨云脖雕脸锰乡镭杨骇缴取醚亥征卵依堑凡把拿办堰蝗卓掇甥临祸栽冤孕望仁冻擂戌批理额割操戊郁札栈和巧滦搀瘪宏招音牢吠桐僵本往冲挪涵坷东闽位温苹使政蒙咸疟迪喇潍峡绩撵囱徒赘趟键喷赏砖公快浅愤搪弟盟蔽悟瞪罕烈通野洲募粹车虽各姬芹川煮榨族街学蜀惭饯胎疡碾绢膝实闯穷肋袋棍随衷尧骑梳苹居瞎瓢墨壶船论蔑疗烂嘘精渣月胡魁深薛碑锄卢淑娠掣配抗淮米哆举巩医努密先霞凰俞篡猫余杏骗