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1、PCB流程-图形电镀&蚀刻,制程目的 加厚线路及孔内铜厚，使产品达到 客户要求,图形电镀制程目的,图形电镀工艺流程,工艺流程 上板除油水洗微蚀水洗 酸浸镀铜水洗酸浸镀锡水 洗下板退镀水洗上板,图电工序主要工艺参数,流程详解,除油（Acid Clean) 1、流程目的：清洁铜面，去除上工序的 残膜及人手接触后的指印等油性污垢（使 用酸性溶液，以免使干膜受损）。 2、主要成分：Acid Cleaner ACD(ATO) 3、操作温度：28-32 4、处理时间：3-5min,流程详解,微蚀（Micro Etch) 1、流程目的：除去铜面上的氧化物,粗化 铜面，提高镀层结合力。 2、主要成分：过硫酸钠
2、、硫酸 3、操作温度：24-28 4、处理时间：1-2min,流程详解,镀铜预浸（Pre-dip for Cu Plate) 1、流程目的：用稀硫酸除去铜表面的轻微 氧化；维持镀铜缸之酸度，减小镀铜缸成 份的变化。 2、主要成分：硫酸 3、操作温度：室温 4、处理时间：0.5-1min,流程详解,镀铜（Copper Plate) 1、流程目的：在酸性硫酸铜镀液中，铜离 子不断的得电子被还原为金属铜，沉积在 板面及镀铜孔内，直至达到所需的厚度。 2、主要成分：硫酸、硫酸铜、氯离子、 Brightener 125T-2(R&H)、 Carrier 125-2(R&H) 3、操作温度：22-27 4
3、、处理时间：86min,流程详解,镀锡预浸（Pre-dip for Tin Plate) 1、流程目的：用稀硫酸除去铜表面的轻微 氧化；维持镀锡缸之酸度，减小镀锡缸各 主要成分变化。 2、主要成分：硫酸 3、操作温度：室温 4、处理时间：0.5-1min,流程详解,镀锡（Tin Plate) 1、流程目的：在酸性硫酸亚锡镀液中，亚 锡离子不断的得电子被还原为金属锡，沉 积在已经镀铜的板面及孔内，直至达到所 需的厚度。 2、主要成分：硫酸、硫酸亚锡 EC Part A(R&H) EC Part B(R&H) 3、操作温度：18-22 4、处理时间：10min或更长,流程详解,夹具退铜（Rack
4、Strip) 1、去除电镀夹具上的镀铜，方便下一循环 的电镀进行。 2、主要成分：硝酸 3、操作温度：室温 4、处理时间：5-8min,图形电镀设备,待图电的板,图电后的板,蚀刻工序,制程目的 蚀掉非线路铜（底铜和板电层）， 获得成品线路图形，使产品达到导通 的基本功能。,蚀刻工艺流程,工艺流程 退膜水洗蚀刻水洗退锡 水洗烘干,蚀刻工序主要工艺参数,流程详解,退膜 退膜制程所使用的化学药液以NaOH为 主，药液浓度在1-3%左右（重量比），槽 液温度在30-50左右。 之所以采用NaOH作为退膜药液主要是因 为其对已硬化的干膜有较好的溶解性能， 且价格低廉。,流程详解,碱性蚀刻 1、组成： 蚀
5、刻液以氯化铜、氯化铵和氨水配成。 2、蚀刻原理： 在氯化铜溶液中加入氨水，发生络合反 应： CuCL2 + 4NH3 Cu(NH3)4CL2 在蚀刻过程中，板面上的铜被 Cu(NH3)42+络离子氧化，反应如下： Cu(NH3)4CL2 + Cu 2Cu(NH3)2CL2,流程详解,3、蚀刻药水的再生： Cu(NH3)2CL2为Cu+的络离子，不具有蚀 刻能力，在有过量NH3和CL-的情况下，能很 快地被O2所氧化，生成具有蚀刻能力的 Cu(NH3)42+络离子，反应如下： 2Cu(NH3)2CL2+2NH4CL+2NH3+1/2O2 2Cu(NH3)4CL2+H2O,流程详解,退锡 1、药水类型： 硝酸型：放热轻微、沉淀较少、不腐蚀 环氧树脂表面、腐蚀铜基体少、板面光 亮。 2、反应原理： 4HON3 + Pb + OX Pb(NO3) + R R + O2 OX(氧化剂),蚀刻线设备,待蚀刻的板,退膜后的板,蚀刻后的板,退锡后的板,