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1、http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,第1章 电力电子器件,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,主要内容： 常用电力电子器件的基本结构、工作原理、外特性、主要参数、开关特性、安全工作区。 这些器件的驱动电路和缓冲电路。,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,1.1 功率二极管 1.1.1 功率二极管的结构和工作原理,1. 功率二极管的结构,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,2. 功率二极管的工作原理 由于PN结具有单向导电性，所以二极管是一个正方向单向导电、反方向阻断的电力电子器件。,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术
2、论,1.1.2 功率二极管的特性和主要参数,1. 功率二极管的特性 (1) 功率二极管的伏安特性 二极管具有单向导电能力，二极管正向导电时必须克服一定的门坎电压Uth(又称死区电压)，当外加电压小于门坎电压时，正向电流几乎为零。硅二极管的门坎电压约为0.5V，当外加电压大于Uth后，电流会迅速上升。当外加反向电压时，二极管的反向电流IS是很小的，但是当外加反向电压超过二极管反向击穿电压URO后二极管被电击穿，反向电流迅速增加。,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,功率二极管的伏安特性,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,(2) 功率二极管的开关特性 由于PN结电
3、容的存在，二极管从导通到截止的过渡过程与反向恢复时间trr、最大反向电流值IRM，与二极管PN结结电容的大小、导通时正向电流IFR所对应的存储电荷Q、电路参数以及反向电流di/dt等都有关。普通二极管的trr=210s，快速恢复二极管的trr为几十至几百ns,超快恢复二极管的trr仅几个ns。,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,功率二极管的开关特性,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,2. 功率二极管的主要参数 (1) 反向重复峰值电压URRM 取反向不重复峰值电压URSM的80称为反向重复峰值电压URRM，也被定义为二极管的额定电压URR。显然，URRM小于
4、二极管的反向击穿电压URO。,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,(2) 额定电流IFR 二极管的额定电流IFR被定义为其额定发热所允许的正弦半波电流平均值。其正向导通流过额定电流时的电压降UFR一般为12V。当二极管在规定的环境温度为+40和散热条件下工作时，通过正弦半波电流平均值IFR时，其管芯PN结温升不超过允许值。若正弦电流的最大值为Im，则额定电流为 (1-1),http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,(3) 最大允许的全周期均方根正向电流IFrms 二极管流过半波正弦电流的平均值为IFR时，与其发热等效的全周期均方根正向电流IFrms为 (1-2) 由式
5、(1-1)和(1-2)可得 (1-3),http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,(4) 最大允许非重复浪涌电流IFSM 这是二极管所允许的半周期峰值浪涌电流。该值比二极管的额定电流要大得多。实际上它体现了二极管抗短路冲击电流的能力。 功率二极管属于功率最大的半导体器件，现在其最大额定电压、电流在6kV、6kA以上。二极管的参数是正确选用二极管的依据。,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,1.2 晶闸管,晶闸管(Thyristor)就是硅晶体闸流管，普通晶闸管也称为可控硅SCR,普通晶闸管是一种具有开关作用的大功率半导体器件。目前，晶闸管的容量水平已达8kV6kA。,
6、http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,1.2.1 晶闸管的结构和工作原理,1. 晶闸管的结构 晶闸管是具有四层PNPN结构、三端引出线(A、K、G)的器件。常见晶闸管的外形有两种：螺栓型和平板型。,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,晶闸管的结构和等效电路如图1-4 所示，晶闸管的管芯是P1N1P2N2四层半导体，形成3个PN结J1、J2和J3。,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,2. 晶闸管的工作原理 IGIb2IC2(Ib1)IC1,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,欲使晶闸管导通需具备两个条件： 应在晶闸管的阳极与阴极之间
7、加上正向电压。 应在晶闸管的门极与阴极之间也加上正向电压和电流。 (2) 晶闸管一旦导通，门极即失去控制作用，故晶闸管为半控型器件。 (3) 为使晶闸管关断，必须使其阳极电流减小到一定数值以下，这只有用使阳极电压减小到零或反向的方法来实现。,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,1.2.2 晶闸管的特性和主要参数,1. 晶闸管的特性 (1) 晶闸管的伏安特性 晶闸管的伏安特性是晶闸管阳极与阴极间电压UAK和晶闸管阳极电流IA之间的关系特性。,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,晶闸管的伏安特性,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,(2) 晶闸管的门
8、极伏安特性 由于实际产品的门极伏安特性分散性很大，常以一条典型的极限高阻门极伏安特性和一条极限低阻门极伏安特性之间的区域来代表所有器件的伏安特性，由门极正向峰值电流IFGM允许的瞬时最大功率PGM和正向峰值电压UFGM划定的区域称为门极伏安特性区域。PG为门极允许的最大平均功率。其中,0ABC0为不可靠触发区,ADEFGCBA为可靠触发区,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,晶闸管的门极伏安特性,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,(3) 晶闸管的开关特性 第一段延迟时间td，阳极电流上升到10所需时间，也对应着从(1+2)1到等于1的过程，此时J2结仍为反偏，
9、晶闸管的电流不大。 第二段上升时间tr，阳极电流由0.1上升到0.9所需时间，这时靠近门极的局部区域已经导通，相应的J2结已由反偏转为正偏，电流迅速增加。 通常定义器件的开通时间ton为延迟时间td与上升时间tr之和。即 ton=td+tr (1-4),http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,电源电压反向后，从正向电流降为零起到能重新施加正向电压为止定义为器件的电路换向关断时间toff。反向阻断恢复时间trr与正向阻断恢复时间tgr之和。 toff=trr+tgr,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,晶闸管的开关特性,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术
10、论,2. 晶闸管的主要参数 (1) 额定电压 断态重复峰值电压UDRM和反向重复峰值电压URRM中较小的那个数值标作器件型号上的额定电压。通常选用晶闸管时，电压选择应取(23)倍的安全裕量。 (2) 额定电流IT(AV) 在环境温度为+40和规定冷却条件下，器件在电阻性负载的单相工频正弦半波电路中,管子全导通(导通角 170)，在稳定的额定结温时所允许的最大通态平均电流。,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,晶闸管流过正弦半波电流波形如图所示,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,它的通态平均电流IT(AV)和正弦电流最大值Im之间的关系表示为： (1-6) 正弦
11、半波电流的有效值为： (1-7) (1-8) 式中 Kf为波形系数,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,流过晶闸管的电流波形不同，其波形系数也不同，实际应用中，应根据电流有效值相同的原则进行换算，通常选用晶闸管时，电流选择应取(1.52)倍的安全裕量。,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,(3) 维持电流IH 在室温和门极断路时，晶闸管已经处于通态后，从较大的通态电流降至维持通态所必须的最小阳极电流。 (4) 擎住电流IL 晶闸管从断态转换到通态时移去触发信号之后，要器件维持通态所需要的最小阳极电流。对于同一个晶闸管来说，通常擎住电流IL约为维持电流IH的(24
12、)倍。,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,(5) 门极触发电流IGT 在室温且阳极电压为6V直流电压时，使晶闸管从阻断到完全开通所必需的最小门极直流电流。 (6) 门极触发电压UGT 对应于门极触发电流时的门极触发电压。触发电路给门极的电压和电流应适当地大于所规定的UGT和IGT上限，但不应超过其峰值IGFM 和 UGFM。,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,(7) 断态电压临界上升率du/ dt 在额定结温和门极断路条件下，不导致器件从断态转入通态的最大电压上升率。过大的断态电压上升率会使晶闸管误导通。 (8) 通态电流临界上升率di / dt 在规定条件
13、下，由门极触发晶闸管使其导通时，晶闸管能够承受而不导致损坏的通态电流的最大上升率。在晶闸管开通时，如果电流上升过快，会使门极电流密度过大，从而造成局部过热而使晶闸管损坏。,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,例1-1 两个不同的电流波形(阴影斜线部分)如图所示，分别流经晶闸管，若各波形的最大值Im=100A,试计算各波形下晶闸管的电流平均值IT(AV)1、IT(AV)2，电流有效值I1、I2,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,解：如图所示的平均值和有效值可计算如下：,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,1.2.3 晶闸管的门极驱动电路和缓冲电路
14、,1. 晶闸管的门极驱动电路 (1) 晶闸管对触发电路的基本要求 晶闸管对触发电路的基本要求是： 触发信号可以是交流、直流或脉冲，为了减小门极的损耗，触发信号常采用脉冲形式。 触发脉冲应有足够的功率。触发电压和触发电流应大于晶闸管的门极触发电压和门极触发电流。,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论, 触发脉冲应有足够的宽度和陡度。触发脉冲的宽度一般应保证晶闸管阳极电流在脉冲消失前能达到擎住电流，使晶闸管导通，这是最小的允许宽度。一般触发脉冲前沿陡度大于10V/s或800mA/s。 触发脉冲的移相范围应能满足变换器的要求。例如，三相半波整流电路，在电阻性负载时，要求移相范围为150
15、；而三相桥式全控整流电路，电阻负载时移相范围为120。,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,(2) 触发电路的型式 触发电路可分为模拟式和数字式两种，阻容移相桥、单结晶体管触发电路、锯齿波移相电路和正弦波移相电路均属于模拟式触发电路；而用数字逻辑电路乃至于微处理器控制的移相电路则属于数字式触发电路。,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,晶闸管的缓冲电路 常采用在晶闸管的阴阳极并联RC缓冲器，用来防止晶闸管两端过大的du/dt造成晶闸管的误触发，其中电阻R也能减小晶闸管开通时电容C的放电电流。,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,(2) 晶闸管的保
16、护 晶闸管在使用时，因电路中电感的存在而导致换相过程产生Ldi/dt,又因容性的存在或设备自身运行中出现短路、过载等故障，所以其过电压、过电流保护显得尤为重要。,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,1.2.4 晶闸管的派生器件,1. 快速晶闸管 快速晶闸管的关断时间50s，常在较高频率(400HZ)的整流、逆变和变频等电路中使用，它的基本结构和伏安特性与普通晶闸管相同。目前国内已能提供最大平均电流1200A、最高断态电压1500 V的快速晶闸管系列，关断时间与电压有关，约为25s50s 。,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,2. 双向晶闸管 双向晶闸管不论从结
17、构还是从特性方面来说，都可以看成是一对反向并联的普通晶闸管。在主电极的正、反两个方向均可用交流或直流电流触发导通。,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,双向晶闸管在第和第象限有对称的伏安特性。,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,3. 逆导晶闸管 逆导晶闸管是将晶闸管和整流管制作在同一管芯上的集成元件。,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,由于逆导晶闸管等效于反并联的普通晶闸管和整流管，因此在使用时，使器件的数目减少、装置体积缩小、重量减轻、价格降低和配线简单，特别是消除了整流管的配线电感，使晶
18、闸管承受的反向偏置时间增加。,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,4. 光控晶闸管 光控晶闸管(Light Activated Thyristor)是利用一定波长的光照信号控制的开关器件。其结构也是由P1N1P2N2四层构成。,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,光控晶闸管的伏安特性 光控晶闸管的参数与普通晶闸管类同，只是触发参数特殊，与光功率和光谱范围有关。,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,1.3 可关断晶闸管,可关断晶闸管GTO(Gate Turn-Off Thyristor)，可用门极信号控制其关断。 目前，GTO的容量水平达6000A
19、/6000V，频率为1kHZ。,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,1.3.1 可关断晶闸管的结构和工作原理,1. 可关断晶闸管的结构 GTO的内部包含着数百个共阳极的小GTO元，它们的门极和阴极分别并联在一起，这是为了便于实现门极控制关断所采取的特殊设计。,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,可关断晶闸管的结构、等效电路和符号,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,2. 可关断晶闸管的工作原理 (1) 开通过程 GTO也可等效成两个晶体管P1N1P2和N1P2N2互连，GTO与晶闸管最大区别就是导通后回路增益1+2数值不同。晶闸管的回路增益1+2
20、常为1.15左右，而GTO的1+2非常接近1。因而GTO处于临界饱和状态。这为门极负脉冲关断阳极电流提供有利条件。,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,(2) 关断过程 当GTO已处于导通状态时，对门极加负的关断脉冲，形成IG，相当于将IC1的电流抽出，使晶体管N1P2N2的基极电流减小，使IC2和IK随之减小，IC2减小又使IA和IC1减小，这是一个正反馈过程。当IC2和IC1的减小使1+21时，等效晶体管N1P2N2和P1N1P2退出饱和，GTO不满足维持导通条件，阳极电流下降到零而关断。,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,GTO关断时，随着阳极电流的下降
21、，阳极电压逐步上升，因而关断时的瞬时功耗较大，在电感负载条件下，阳极电流与阳极电压有可能同时出现最大值，此时的瞬时关断功耗尤为突出。 由于GTO处于临界饱和状态，用抽走阳极电流的方法破坏临界饱和状态，能使器件关断。而晶闸管导通之后，处于深度饱和状态，用抽走阳极电流的方法不能使其关断。,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,1.3.2 可关断晶闸管的特性和主要参数,(1) GTO的阳极伏安特性,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,(2) GTO的开通特性 开通时间ton由延迟时间td和上升时间tr组成,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,(3) GT
22、O的关断特性 GTO的关断过程有三个不同的时间，即存储时间ts、下降时间tf及尾部时间tt。 存储时间ts ：对应着从关断过程开始，到阳极电流开始下降到90%IA为止的一段时间间隔。 下降时间tf ：对应着阳极电流迅速下降，阳极电压不断上升和门极反电压开始建立的过程。 尾部时间tt ：则是指从阳极电流降到极小值时开始，直到最终达到维持电流为止的时间。,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,GTO的关断特性,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,GTO关断时间的大部分功率损耗出现在尾部时间，在相同的关断条件下，不同型号GTO相应的尾部电流起始值和尾部电流的持续时间均不
23、同。在存储时间内，过大的门极反向关断电流上升率会使尾部时间加长。此外，过高的du/dt会使GTO因瞬时功耗过大而在尾部时间内损坏管子。因此必须设计适当的缓冲电路。,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,2. 可关断晶闸管的主要参数 GTO有许多参数与晶闸管相同，这里只介绍一些与晶闸管不同的参数。 (1) 最大可关断阳极电流IATO 电流过大时1+2稍大于1的条件可能被破坏，使器件饱和程度加深，导致门极关断失败。 (2) 关断增益off GTO的关断增益off为最大可关断阳极电流IATO与门极负电流最大值IgM之比off通常只有5左右。,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子
24、技术论,1.3.3 可关断晶闸管的安全工作区,GTO安全工作区是指在门极加负脉冲关断信号时，GTO能够可靠关断的阳极电流与阳极电压的轨迹。既然是在一定条件下确定的安全运行范围，如条件改变，比如门极驱动电路或缓冲电路参数改变之后，安全工作区也随之改变，实际实用中应加以注意。,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,GTO的安全工作区,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,1.3.4 门极驱动电路和缓冲电路,1. 可关断晶闸管的门极驱动电路 影响GTO导通的主要因素有：阳极电压、阳极电流、温度和门极触发信号等。阳极电压高，GTO导通容易，阳极电流较大时易于维持大面积饱和导
25、通，温度低时，要加大门极驱动信号才能得到与室温时相同的导通效果。,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,(1) 对门极触发信号的要求 因为GTO工作在临界饱和状态，所以门极触发信号要足够大， 脉冲前沿(正、负脉冲)越陡越有利，而后沿平缓些好。正脉冲后沿太陡会产生负尖峰脉冲；负脉冲后沿太陡会产生正尖峰脉冲，会使刚刚关断的GTO的耐压和阳极承受的du/dt降低。 为了实现强触发，门极正脉冲电流一般为额定触发电流(直流)的(35)倍。,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,(2) 门极触发方式 GTO门极触发方式通常有下面三种： 直流触发 在GTO被触发导通期间，门极一直
26、加有直流触发信号。 连续脉冲触发 在GTO被触发导通期间，门极上仍加有连续触发脉冲，所以也称脉冲列触发。 单脉冲触发 即常用的脉冲触发，GTO导通之后，门极触发脉冲即结束。,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,采用直流触发或脉冲列触发方式GTO的正向管压降较小。采用单脉冲触发时，如果阳极电流较小，则管压降较大，用单脉冲触发，应提高脉冲的前沿陡度，增大脉冲幅度和宽度，才能使GTO的大部分或全部达饱和导通状态。,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,(3) 门极关断控制 恒压源关断控制 恒压源关断控制电路如图1-23所示，晶体管V1控制GTO触发导通；V2控制GTO关
27、断。关断电源E2须小于GTO的门极反向电压UGRM之值，否则会引起GTO产生雪崩电流。,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,变压源关断控制 变压源关断控制如图1-24所示，晶体管V通过电容C供给GTO触发脉冲信号，GTO导通时，电容C充电。当关断信号加到可控硅SCR使其导通，电容C经SCR放电，为GTO门阴极提供一个负脉冲电压，从而关断GTO。,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,脉冲变压器关断控制电路 当需要把门极控制电路与主回路隔离时，可采用脉冲变压器提供控制信号。脉冲变压器关断控制电路如图1-25所示。,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,
28、2. 可关断晶闸管的缓冲电路 电力电子器件开通时流过很大的电流，阻断时承受很高的电压；尤其在开关转换的瞬间，电路中各种储能元件的能量释放会导致器件经受很大的冲击，有可能超过器件的安全工作区而导致损坏。附加各种缓冲电路，目的不仅是降低浪涌电压、du/dt和di/dt,还希望能减少器件的开关损耗、避免器件损坏和抑制电磁干扰，提高电路的可靠性。,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,(1) 缓冲电路 吸收过电压的有效方法是在器件两端并联一个吸收过电压的阻容电路。 如果吸收电路元器件的参数选择不当，或连线过长造成分布电感LS过大等，也可能产生严重的过电压。,http:/ 电子发烧友 ht
29、tp:/ 电子技术论,(2) 缓冲电路元件的选择 应选取较小的RS，RS的阻值一般应选取1020 。RS不应选用线绕式的，而应是涂膜工艺制作的无感电阻。 要求二极管VDS能快速开通、反向恢复时间trr短和反向恢复电荷Qr尽量小。 吸收电路中的CS也应当是无感元件，以尽可能减小吸收电路的杂散分布电感LS。,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,1.4 双极型功率晶体管,双极型功率晶体管BJT的容量水平已达1.8kVlkA，频率为20kHz。,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,1.4.1 双极型功率晶体管 的结构和工作原理,1. 双极型功率晶体管的结构,http:/
30、 电子发烧友 http:/ 电子技术论,2. 双极型功率晶体管的工作原理 以NPN型双极型功率晶体管为例，若外电路电源使UBC0,则发射结的PN结处于正偏状态。此时晶体管内部的电流分布为： (1) 由于UBC0,发射结处于正偏状态，P区的多数载流子空穴不断地向N区扩散形成空穴电流IPE,N区的多数载流子电子不断地向P区扩散形成电子电流INE。,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,单个BJT电流增益较低，驱动时需要较大的驱动电流，由于单级高压晶体管的电流增益仅为10左右，为了提高电流增益，常采用达林顿结构，如每级有10倍的增益，则3级达林顿结构的电流增益可达1000左右。,htt
31、p:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,1.4.2 双极型功率晶体管的特性和主要参数,双极型功率晶体管的特性 (1) BJT的输出特性 BJT的输出特性是指在一定的基极电流IB下，管子的集射极之间的电压UCE同集电极电流IC的关系特性。晶体管有放大、饱和与截止三种工作状态。,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,BJT的输出特性,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,(2) BJT的开关特性 晶体管有线性和开关两种工作方式。当只需要导通和关断作用时采用开关工作方式。BJT主要应用于开关工作方式。 开关响应特性 在开关工作方式下，用一定的正向基极电流IB1去驱动
32、BJT导通，而用另一反向基极电流IB2迫使BJT关断，由于BJT不是理想开关，故在开关过程中总存在着一定的延时和存储时间。,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,BJT的开关响应特性,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,延迟时间td：加入IB1以后一段时间里，iC仍保持为截止状态时的很小电流直到iC上升到0.1I CS。 上升时间tr：iC不断上升，直到iC=ICS，BJT进入饱和状态。tr指iC从0.1ICS上升到0.9ICS所需要的时间。 BJT的开通时间ton：延迟时间td和上升时间tr之和。即 ton=td+tr (1-9),http:/ 电子发烧友 ht
33、tp:/ 电子技术论,当基极电流突然从正向IB1变为反向IB2时，BJT的集电极电流iC并不立即减小，仍保持ICS，而要经过一段时间才下降。 存储时间ts：把基极电流从正向IB1变为反向IB2时到iC下降到0.9ICS所需的时间。 下降时间tf：iC继续下降，iC从0.9ICS下降到0.1ICS所需的时间。 此后，iC继续下降，一直到接近反向饱和电流为止，这时BJT完全恢复到截止状态。 BJT的关断时间toff：存储时间ts和下降时间tf之和，即 toff=ts+tf (1-10),http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,td存在原因 基极驱动信号到来之前，发射结和集电结都处于反偏
34、状态，它们的空间电荷区较宽。当Ui到来时，虽然基极电流立即上升到IB1，但发射结仍然处于反偏状态。IB1提供空穴，填充发射结空间电荷区，抵消部分静电荷，使空间电荷区变窄，发射结反偏变小。只有发射结接近正向偏置时，iC才开始上升，在这段时间内有IB1而几乎无iC，由于发射结和集电结势垒电容效应，只有势垒电容充电到一定程度，BJT才开始导通，所以存在延迟时间td。,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,tr存在原因 发射结进入正偏，此后，正偏不断增大，iC不断上升，BJT接近或进入饱和区。IB1一方面继续给发射结和集电结势垒电容充电，另一方面使基区的电荷积累增加，并且还补充基区复合所
35、消耗的载流子，这就存在着上升时间tr。,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,tf存在原因 当Ui变为负值，基极电流变为IB2，但iC不立即变小，而是当基区的电荷减少一定程度，IC才开始下降，所以存在存储时间ts。当发射结由正偏变为反偏，集电结和发射结电荷区变宽，iC下降较快，这就有下降时间tf。,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,BJT的开关时间对它的应用有较大的影响，选用BJT时，应注意其开关频率。应使输入脉冲持续时间大于BJT开关时间。 改善措施 为了使BJT快速导通，缩短开通时间ton，驱动电流必须具有一定幅值，前沿较陡的正向驱动电流，可加速BJT的导通
36、；为加速BJT关断，缩短关断时间toff，驱动电流必须具有一定幅值的反向驱动电流，过冲的负向驱动电流，可缩短关断时间。,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,驱动电流的理想波形,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,2. 双极型功率晶体管的主要参数 (1) BJT的电流放大倍数值：定义为晶体管的集电极电流变化率和基极电流变化率之比。 (2) BJT的反向电流：BJT的反向电流会消耗一部分电源能量，会影响管子的稳定性。常希望反向电流尽可能小。有ICBO、ICEO和IEBO。 (3) BJT的反向击穿电压：BJT的反向击穿电压决定管子承受外加电压的上限。有U(BR)EB
37、O、U(BR)CBO、U(BR)CEO (4) BJT的极限参数：集电极允许流过的最大电流ICM，集电极最大允许耗散功率PCM,最大允许结温TJM和击穿电压。,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,1.4.3 双极型功率晶体管的安全工作区,正向偏置安全工作区 BJT的正向偏置安全工作区是由最大集电极电流ICM、集电极最大允许耗散功率PCM、二次击穿耐量有关的PSB和集射极最大电压U(BR)CEO所组成的区域。,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,2. 反向偏置安全工作区 为了使晶体管截止而不被击穿，电压与电流的工作点必须选在反向安全工作区之内。反向偏置基极电流不同
38、时，反向安全工作区宽窄也不同，若反向偏置基极电流增加时，反向安全工作区变窄。,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,3. 双极型功率晶体管的二次击穿 (1) PN结的反向击穿 PN结的反向击穿，可分为三种类型：热电击穿、隧道击穿和雪崩击穿。 热电击穿 当外加反向电压升高时，较大的反向电流引起热损耗，导致器件的结温升高，促使本征载流子浓度明显增加，使反向电流增长更快。形成强烈的正反馈，最后导致PN结击穿。 隧道击穿(齐纳击穿) 如果PN结势垒区的电场很强，穿过禁带的电子很多，反向电流增长很快，从而引起了PN结击穿。,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,雪崩击穿 在反
39、向高电压下，PN结势垒区的电场很强，载流子在强电场中得到大的动能，从而成为“热”载流子，“热”载流子与晶格原子相碰撞，使晶格原子价带内的电子被激发到导带，形成电子-空穴对。不断地发生碰撞，不断地产生第二、三、四代电子-空穴对，使载流子成倍增加，从而引起了PN结击穿。大功率电力电子器件中，雪崩击穿是常见击穿现象。,http:/ 电子发烧友 http:/ 电子技术论,(2) 二次击穿的过程和特点 晶体管二次击穿特性如图所示，分别代表BJT发射极为正偏压、零偏压和负偏压时的二次击穿特性，现在以零偏压为例分析二次击穿现象的发生过程，当电压UCE增大到达D点时，集电极发生雪崩效应，晶体管的电流上升到B点，经过一短暂的时间后，电压将会突然减小到E点。同时电流急骤增大。如果