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1、第五章 微型计算机存储系统结构,主 要 内 容,半导体存储器的分类 随机存取存储器 只读存储器 CPU与存储器的连接 微机中存储系统的结构,半 导 体 存 储 器 的 分 类,随机存取存储器 读写存储器,随 机 存 取 存 储 器,静态RAM（SRAM) 典型的静态RAM芯片 6116（2KB8位）、6264（8KB8位）、62256（32KB8位）、628128（128KB8位）等。 动态RAM（DRAM),随 机 存 取 存 储 器,动态RAM（DRAM) 单管动态存储电路 动态RAM的刷新 为保持电容中的电荷不丢失，必须对动态RAM不断进行读出和再写入,只 读 存 储 器,掩膜式ROM
2、可编程的ROM 可擦除可编程的ROM（EPROM） 闪速存储器（Flash Memory）,CPU 与 存 储 器 的 连 接,存储器地址分配和译码 地址译码器74LS138 74LS138有三条控制线G1， ， ，只有当G1等于1， 等于0， 等于0时，三八译码器才能工作，否则译码器输出全为高电平。输出信号Y0Y7是低电平有效的信号，对应于的任何一种组合输入，其个输出端中只有一个是，其他个输出均为。,CPU 与 存 储 器 的 连 接,存储器容量扩充技术 位扩充 当实际存储芯片每个单元的位数和系统需要内存单元字长不等时采用的方法。 字扩充 当存储芯片上每个存储单元的字长已满足要求，但存储单元
3、的个数不够，需要增加的是存储单元的数量，就称为字扩展。 字位扩充 需要同时进行位扩充和字扩充才能满足系统存储容量需求的方法称为字位扩充。,CPU 与 存 储 器 的 连 接,存储器芯片片选端的处理 线选法 地址的高位直接作为各个芯片的片选信号，在寻址时只有一位有效来使片选信号有效的方法称为线选法。 部分译码法 用部分高位地址进行译码产生片选信号。 完全译码法 全部高位地址译码产生片选信号。,存 储 系 统,IBM PC/XT的存储系统 IBM PC/XT 采用Intel8086/8088微处理器，其地址为20位，寻址范围为1MB，其物理地址范围为00000HFFFFFH。 通常1MB空间分为3
4、个区，即RAM区、保留区和ROM区。 80x86扩展存储器 高端内存区（HMA High Memory Area）。它是1024KB至1088KB之间的64KB内存，称为高端内存区，其地址为100000H10FFEFH或以上,存 储 系 统,扩展内存块（EMBExtended Memory Block）是指lMB以上的内存空间，其地址是从100000H开始，连续不断向上扩展的内存，所以把这种内存称为EMB（Extended Memory Block） 扩充内存（EMS Expanded Memory Specification）扩充内存是利用1MB内存中64KB的内存区，此内存区为连续的4页，每页为16KB的实际页内存，它们映射（Memory Mapping）到EMS卡上广大空间的逻辑页内存，EMS 4.0版本驱动程序其映射的内存区为1MB内任意大小的内存，映射的扩充内存空间为32MB,存 储 系 统,高速缓冲存储器（Cache） 实现方式： 在CPU和存储器之间放置高速缓冲存储器，组成由高速缓冲存储器和主存构成一个“两级”的存储系统。,