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1、MOSFET规格书/datasheet该如何理解引言作为一个电子工程师、技术人员，相信大家对 1、VDSDatasheet 上电气参数第一个就是 V(BR)DSS，即 DS 2、ID3、Rds（on）4、Vgs(th)5、Ciss, Coss, C6、Qg, Qgs, Qgd7、SOASOA曲线可以分为4个部分：8、AvalancheEAS：单次雪崩能量，EAR：重复雪崩能量，IAR：重复雪崩电流9、体内10、不同拓扑 MOSFET 的选择针对不同的拓扑，对MOSFET的参数有什么不同的要求呢？怎么选择适合的MOSFET？欢迎大家发表意见，看法1). 反激：反激由于变压器漏感的存在，MOSFE
2、T会存在一定的尖峰，因此反激选择MOSFET时，我们要注意耐压值。通常对于全电压的输入，MOSFET耐压(BVDSS)得选600V以上，一般会选择650V。若是QR反激，为了提高效率，我们会让MOSFET开通时的谷底电压尽量低，这时需要取稍大一些的反射电压，这样MOSFET的耐压值得选更高，通常会选择800V MOSFET。2). PFC、双管正激等硬开关：a) 对于PFC、双管正激等常见硬开关拓扑，MOSFET没有像反激那么高的VDS尖峰，通常MOSFET耐压可以选500V, 600V。b) 硬开关拓扑MOSFET存在较大的开关损耗，为了降低开关损耗，我们可以选择开关更快的MOSFET。而Q
3、g的大小直接影响到MOSFET的开关速度，选择较小Qg的MOSFET有利于减小硬开关拓扑的开关损耗3). LLC谐振、移相全桥等软开关拓扑：LLC、移相全桥等软开关拓扑的软开关是通过谐振，在MOSFET开通前让MOSFET的体二极管提前开通实现的。由于二极管的提前导通，在MOSFET开通时二极管的电流存在一个反向恢复，若反向恢复的时间过长，会导致上下管出现直通，损坏MOSFET。因此在这一类拓扑中，我们需要选择trr，Qrr小，也就是选择带有快恢复特性的体二极管的MOSFET。4). 防反接，Oring MOSFET这类用法的作用是将MOSFET作为开关，正常工作时管子一直导通，工作中不会出现较高的频率开关，因此管子基本上无开关损耗，损耗主要是导通损耗。选择这类MOS时，我们应该主要考虑Rds(on)，而不去关心其他参数。