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1、8.1 半导体的基本知识,8.1.1 半导体的导电特征,8.1.2 N型半导体和P型半导体,8.1.1 半导体的导电特征,半导体 ,导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。,本征半导体 ,纯净的半导体。如硅、锗单晶体。,载流子 ,自由运动的带电粒子。,共价键 ,相邻原子共有价电子所形成的束缚。,硅(锗)的原子结构,简化 模型,硅(锗)的共价键结构,自 由 电 子,(束缚电子),空穴可在共 价键内移动,本征激发：,复 合：,自由电子和空穴在运动中相遇重新结合成对消失的过程。,漂 移：,自由电子和空穴在电场作用下的定向运动。,在室温或光照下价电子获得足够能量摆脱共价键的束缚成为自由电子，并在共价键中留
2、下一个空位(空穴)的过程。,两种载流子,电子(自由电子),空穴,两种载流子的运动,自由电子(在共价键以外)的运动,空穴(在共价键以内)的运动,半导体的导电特征,I,IP,IN,I = IP + IN,电子和空穴两种载流子参与导电,在外电场的作用下，自由电子逆着电场方向定向运动形成电子电流IN 。空穴顺着电场方向移动，形成空穴电流IP 。,结论:,1. 本征半导体中电子空穴成对出现, 且数量少；,2. 半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电；,3. 本征半导体导电能力弱，并与温度、光照等外 界条件有关。,8.1.2 N型半导体和P型半导体,本征半导体中由于载流子数量极少，导电能力很弱。如果有控制
3、、有选择地掺入微量的有用杂质（某种元素），将使其导电能力大大增强，成为具有特定导电性能的杂质半导体。,一、N 型半导体,在硅或锗的晶体中掺入五价元 素磷。,N 型,磷原子,自由电子,电子为多数载流子,空穴为少数载流子,载流子数 电子数,多数载流子,少数载流子,N 型半导体的简化图示,P 型,硼原子,空穴,空穴 多子,电子 少子,载流子数 空穴数,二、P 型半导体,在硅或锗的晶体中掺入三价元 素硼。,P型半导体的简化图示,多数载流子,少数载流子,8.1.3 PN结的形成,一、载流子的浓度差引起多子的扩散,二、 复合使交界面形成空间电荷区,(耗尽层),空间电荷区特点:,无载流子、,阻止扩散进行、,
4、利于少子的漂移。,三、 扩散和漂移达到动态平衡,扩散电流 等于漂移电流，,总电流 I = 0。,内电场,扩散运动：,漂移运动：,由浓度差引起的载流子运动。,载流子在电场力作用下引起的运动。,一、加正向电压(正向偏置)导通,内电场,外电场,外电场使多子向 PN 结移动, 中和部分离子使空间电荷区变窄。,扩散运动加强形成正向电流 I 。,I = I多子 I少子 I多子,二、加反向电压(反向偏置)截止,外电场使少子背离 PN 结移动， 空间电荷区变宽。,PN 结的单向导电性：正偏导通，呈小电阻，电流较大; 反偏截止，电阻很大，电流近似为零。,漂移运动加强形成反向电流 I,I = I少子 0,8.1.
5、4 PN结的单向导电性,8.3 二极管,8.3.1 二极管的结构,8.3.2 二极管的伏安特性,8.3.3 二极管的主要参数,8.3.4 二极管电路的分析,8.3.1 二极管的结构,构成：,PN结 + 引线 + 管壳 = 二极管 (Diode),符号：,分类：,按材料分,硅二极管,锗二极管,按结构分,点接触型,面接触型,平面型,8.3.2 二极管的伏安特性,正向特性,Uth,死区 电压,iD = 0,Uth = 0.5 V,0.1 V,(硅管),(锗管),U Uth,iD 急剧上升,0 U Uth,反向特性,U (BR),反向击穿,U（BR) U 0,iD, 0.1 A(硅),几十A (锗),
6、U U（BR）,反向电流急剧增大,(反向击穿),击穿电压,反向击穿类型：,电击穿,热击穿,反向击穿原因：,齐纳击穿：,反向电场太强，将电子强行拉出共价键。,雪崩击穿：,反向电场使电子加速，动能增大，撞击 使自由电子数突增。, PN结未损坏，断电即恢复。, PN结烧毁。,1. IOM 最大整流电流（最大正向平均电流）,2. URM 最高反向工作电压，为U(BR) / 2,3. IRM 最大反向电流（二极管加最大反向电压时的 电流，越小单向导电性越好）,8.3.3 二极管的主要参数,8.3.4 二极管电路的分析,一、理想二极管,特性,符号及 等效模型,正偏导通，uD= 0 ; 反偏截止， iD=
7、0,二、实际二极管,例 1 硅二极管，R = 2 k，求出 VDD = 2 V 时 IO 和 UO 的值。（忽略二极管正的向工作电压）,解：,VDD = 2 V,IO = VDD / R = 2 / 2 = 1 (mA),UO = VDD = 2 V,硅管 0.6 V,锗管 0.2 V,二极管正的向工作电压,例 2 ui = 2 sin t (V), 分析二极管的限幅作用,（二极管的死区电压为0.5V，正向工作电压0.6V）。, 0.6 V ui 0.6V,D1、D2 均截止,uO= ui,uO= 0.6 V,ui 0.6 V,D2 导通 D截止,ui 0.6 V,D1 导通 D2 截止,uO
8、= 0.6V,解：,例3 二极管构成“门”电路，设 D1、D2 均为理想二极管，当输入电压 UA、UB 为低电压 0 V 和高电压 5 V 的不同组合时，求输出电压 UF 的值。,0 V,正偏 导通,正偏 导通,0 V,0 V,5 V,正偏 导通,反偏 截止,0 V,5 V,0 V,反偏 截止,正偏 导通,0 V,5 V,5 V,正偏 导通,正偏 导通,5 V,0 V,0 V,正偏 导通,正偏 导通,0 V,0 V,5 V,正偏 导通,反偏 截止,0 V,5 V,0 V,反偏 截止,正偏 导通,0 V,5 V,5 V,正偏 导通,正偏 导通,5 V,8.4 单相整流电路,交流 电源,负 载,2
9、20 V,单向脉动直流电压,合适的 交流电压,滤波,稳压,半导体整流电源的组成框图,8.4.1 单相半波整流电路,变压器副变电压有效值,变压器副边电流有效值为,整流电流平均值,例8.1 已知负载电阻RL =300,负载电压UO=24V。今采用单相半波整流电路，交流电源电压为220V。（1）根据电路要求选择二极管。（2）求整流变压器的变比和容量。,解： 负载电流：,每个二极管通过的平均电流,变压器二次侧电压的有效值为,可选用2CP12二极管，其最大整流电流为100mA，最高反向工作峰值电压为100V。,二极管承受的最高反压：,变压器的变比：,变压器副边电流有效值,变压器的容量：,单相半波整流电路
10、使用元件少，输出电压脉动大，电压低，效率低。,8.4.2 单相桥式整流电路,一、桥式整流电路（几种画法）,二、桥式整流电路工作原理,RL,io,D4,D3,D2,D1,+ u2 ,+ uo ,承受反压截止,+ u1 ,u2正半周：,D1和D3导通，D2和D4截止。,RL,D4,D3,D2,io,D1,+ u2 ,+ uo ,u2负半周：,+ u1 ,承受反压截止,D2 和 D4导通, D1和 D3 截止。,1. 波形,D2、4,D1、3,2. 参数估算,1) 整流输出电压平均值,2) 二极管平均电流,3) 二极管最大反向压,变压器副变电压有效值,变压器副边电流有效值为,整流电流平均值,变压器变比,原边电流有效值,容量：,