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1、第十四讲 频率响应概述与 晶体管的高频等效电路 一、频率响应的基本概念 二、放大电路的频率参数 三、晶体管的高频等效电路 四、场效应管的高频等效电路 一、频率响应的基本概念 1. 研究的问题： 放大电路对信号频率的适应程度，即信号频 率对放大倍数的影响。 由于放大电路中耦合电容、旁路电容、半导 体器件极间电容的存在，使放大倍数为频率的 函数。 在使用一个放大电路时应了解其信号频率的 适用范围，在设计放大电路时，应满足信号频 率的范围要求。 2. 基本概念 （1）高通电路:信号频率越高，输出电压越接近输入电压 。 （1）高通电路：频率响应 fL 低频段放大倍数表达式的特点？下限截止频率的特征？
2、ffL时放大 倍数约为1 （2）低通电路: 信号频率越低，输出电压越接近输入电压。 （2）低通电路：频率响应 fH 高频段放大倍数表达式的特点？上限截止频率的特征 ？ ffH时放大 倍数约为1 （3）几个结论 电路低频段的放大倍数需乘因子 当 f=fL时放大倍数幅值约降到0.707倍，相角超前45； 当 f=fH时放大倍数幅值也约降到0.707倍，相角滞后45。 截止频率决定于电容所在回路的时间常数 电路高频段的放大倍数需乘因子 频率响应有幅频特性和相频特性两条曲线。 二、放大电路的频率参数 在低频段，随着信号频率逐渐降低，耦合电容、旁路电 容等的容抗增大，使动态信号损失，放大能力下降。 高通
3、 电路 低通 电路 在高频段，随着信号频率逐渐升高，晶体管极间电容和 分布电容、寄生电容等杂散电容的容抗减小，使动态信号 损失，放大能力下降。 下限频率 上限频率 三、晶体管的高频等效电路 1. 混合模型：形状像，参数量纲各不相同 结构：由体电阻、结电阻、结电容组成。 rbb：基区体电阻 rbe：发射结电阻 C：发射结电容 re：发射区体电阻 rbc：集电结电阻 C：集电结电容 rc：集电区体电阻 因多子浓 度高而阻 值小 因面积大 而阻值小 混合模型：忽略小电阻，考虑集电极电流的受控关系 gm为跨导，它不随信号频率 的变化而变。 为什么引入参数gm？ 因在放大区iC几乎仅 决定于iB而阻值大
4、 因在放大区承受反 向电压而阻值大 混合模型：忽略大电阻的分流 C连接了输入回路 和输出回路，引入 了反馈，信号传递 有两个方向，使电 路的分析复杂化。 混合模型的单向化（即使信号单向传递） 等效变换后电流不变 晶体管简化的高频等效电路 ？ 2. 电流放大倍数的频率响应 为什么短路？ 电流放大倍数的频率特性曲线 电流放大倍数的波特图: 采用对数坐标系 采用对数坐标系，横轴为lg f，可开阔视野；纵轴为 单位为“分贝” （dB），使得 “ ” “ ” 。 lg f 注意折线化曲线的误差 20dB/十倍频 折线化近似画法 3. 晶体管的频率参数 共射截 止频率 共基截 止频率 特征 频率 集电结电
5、容 通过以上分析得出的结论： 低频段和高频段放大倍数的表达式； 截止频率与时间常数的关系； 波特图及其折线画法； C的求法。 手册 查得 四、场效应管的高频等效电路 可与晶体管高频等效电流类比，简化、单向化变换。 很大，可忽略其电流 单向化变换 极间电间电 容CgsCgdCds 数值值/pF1101100.11 忽略d-s间等效电容 讨论一 1. 若干个放大电路的放大倍数分别为1、10、102、 103、104、105，它们的增益分别为多少？ 2. 为什么波特图开阔了视野？同样长度的横轴，在 单位长度不变的情况下，采用对数坐标后，最高频 率是原来的多少倍？ 102030405060 O f 10102103104105106lg f 讨论二 电路如图。已知各电阻阻 值；静态工作点合适，集电 极电流ICQ2mA；晶体管的 rbb=200，Cob=5pF， f=1MHz。 试求解该电路中晶体管高 频等效模型中的各个参数。 讨论二 清华大学 华成英