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1、一个约100的电阻，为何在MOSFET栅极前？为了稳定性，必须在 “一个约 100 的电阻”。“为什么呢？他的具体作用是什么呢？电阻值为什么是 100 呢”故事开始了通过实验证明，为了获得稳定性，是不是真的必须把一个 100 的电阻放在 MOSFET 栅极前。拥有30 年经验的应用工程师 Gureux 对他的实验进行了监督，并全程提供专家指导。高端GSENSE。通过RGAIN的电流流过P沟道MOSFET (PMOS)，进入电阻ROUT，该电阻形成一个以地为基准的输出电压。总增益为:OUT上的可选OUT 的作用是对输出电压滤波。即使 PMOS 的漏极电流快速跟随检测到的电流，输出电压也会展现出单
2、极点指数轨迹。GATE 将尝试多个值GATE和CGATE相互会产生不利影响，则可以揭开100 或者任何栅极电阻值成为合理答案的原因。GATE和CGATE的极点应该会蚕食与开环关联的相位裕量。然而，令Neubean感到惊奇的是，在时域响应中，所有RGATE值都未出现任何问题。结果发现，电路并不简单S/(VP VS)或VS/VE，并将结果绘制成图。图3所示为该开环响应的频域图。在图3的波特图中，直流增益很小，并且交越时未发现相位裕量问题。事实上，从整体上看，这幅图显示非常怪异，因为交越频率小于0.001 Hz。GATE CGATEGATE和PMOS源一起连接至运算放大器的IN输入端。RGAIN从该
3、节点连接至低GATE CGATE滤波器应该会导致稳定性问题，尤其是在RGATE比RGATE大得多的情况下。毕竟，会直接影响系统RGATE电流的CGATE电压滞后于运算放大器输出变化。GATE和CGATE没有导致不稳定，Neubean提供了一种解释：“栅极源为固定电压，所以，RGATE CGATE电路在这里是无关紧要的。你只需要按以下方式调整栅极和源即可。这是一个源极跟随器。”S)/V(VG)是什么？Neubean赶紧跑到白板前，写下了以下等式：S/VE为0，频率为0 Hz，VS/VG为0，频率为0 Hz，所以，根本没有增益，图3中的曲线图可能是有效的。试图用LTC2063发现不稳定问题SENS
4、E尝试进行了一些仿真。E到VS的响应增益/相位图，该曲线跨越0dB以上到0dB以下，看起来要正常得多。图5应该显示大约2 kHz时，100 下有大量的PM，100 k下PM较少，1 M下甚至更少，但不会不稳定。GATE值，先是100 k，然后是1 M，希望能看到不稳定的行为，或者至少出现某类振铃。不幸的是，他都没有看到。他尝试加大MOSFET里的漏极电流，先增加ISENSE，然后使用较小的RGAIN电阻值。结果仍然没能使电路出现不稳定问题。GATE和栅极总电容形成的实际极点。在100 和250 pF下，极点为6.4 MHz；在100 k下，极点为6.4 kHz；在1 M下，极点为640 Hz。
5、LTC2063增益带宽积(GBP)为20 kHz。当LTC2063具有增益时，闭环交越频率可能轻GATE CGATE 极点的任何作用以下。是的，可能出现不稳定问题GATE CGATE极点的范围以外，Neubean选择了一个更高增益带宽积的运放。LTC6255 5 V运算放大器可以直接加入电路，增益带宽积也比较高，为6.5 MHz。GATE。当RGATE足够大时，一个额外的极点可能会使电路变得不稳定。实验结果GATE值对LTC6255进行了SENSE从60 mA的基数过度到较高值220 mA。这里没有零ISENSE测量值，因为我们已经证明，那种情况下的MOSFET增益太低。GATE = 100
6、，电流从低到高瞬态GATE = 100 ，电流从高到低瞬GATE = 100 k，电流从低到高瞬态GATE = 100 k，电流从高到低瞬态GATE = 1 M，电流从低到高瞬态GATE = 1 M，电流从高到低瞬态头脑风暴时间所以GATE确实有可能使电路变得不稳定，但开始时没能发现这种行为是因为问题的提法不正确。需要有增益，在当前电路中，被测信号需要是非零。Gureux回答说：“肯定，当极点侵蚀交越处的相位裕量时，就会出现振铃。但是，你增加1 M栅极电阻的行为是非常荒谬的，甚至100 k也是疯狂的。记住，一种良好的做法是限制运算放大器的输出电流，防止其将栅极电容从一个供电轨转向另一个供电轨。”Neubean表示赞同，“那么，我需要用到哪种电阻值？”Gureux自信地答道：“100 ”。