第14讲频率响应概述与晶体管的高频等效电路.ppt

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1、第十四讲 频率响应概述与 晶体管的高频等效电路,一、频率响应的基本概念,二、放大电路的频率参数,三、晶体管的高频等效电路,四、场效应管的高频等效电路,一、频率响应的基本概念,1、研究的问题: 放大电路对信号频率的适应程度,即信号频率对放大倍数的影响。 由于放大电路中耦合电容、旁路电容、半导体器件极间电容的存在,使放大倍数为频率的函数。 在使用一个放大电路时应了解其信号频率的适用范围,在设计放大电路时,应满足信号频率的范围要求。,2.基本概念 (1)高通电路: 信号频率越高,输出电压越接近输入电压。,(1)高通电路:频率响应,fL,低频段放大倍数表达式的特点?下限截止频率的特征?,ffL时放大倍

2、数约为1,(2)低通电路: 信号频率越低,输出电压越接近输入电压。,(2)低通电路:频率响应,fH,低频段放大倍数表达式的特点?上限截止频率的特征?,ffH时放大倍数约为1,(3)几个结论,1、电路低频段的放大倍数需乘因子,2、当 f=fL时放大倍数幅值约降到0.707倍,相角超前45o; 当 f=fH时放大倍数幅值也约降到0.707倍,相角滞后45o。,3、截止频率由电容所在回路的时间常数决定。,电路高频段的放大倍数需乘因子,4、频率响应有幅频特性和相频特性两条曲线。,二、放大电路的频率参数,在低频段,随着信号频率逐渐降低,耦合电容、旁路电容等的容抗增大,使动态信号损失,放大能力下降。,高通

3、电路,低通电路,在高频段,随着信号频率逐渐升高,晶体管极间电容和分布电容、寄生电容等杂散电容的容抗减小,使动态信号损失,放大能力下降。,下限频率,上限频率,三、晶体管的高频等效电路 1、混合模型:形状像,参数量纲各不相同,结构:由体电阻、结电阻、结电容组成。,rbb:基区体电阻 rbe:发射结电阻 C:发射结电容 re:发射区体电阻 rbc:集电结电阻 C:集电结电容 rc:集电区体电阻,因多子浓度高而阻值小,因面积大而阻值小,混合模型:忽略小电阻,考虑集电极电流的受控关系,gm为跨导,它不随信号频率的变化而变。,为什么引入参数gm?,因在放大区iC几乎仅决定于uCE而阻值大,因在放大区承受反

4、向电压而阻值大,混合模型:忽略大电阻的分流,混合模型的单向化(即使信号单向传递),等效变换后电流不变,晶体管简化的高频等效电路,?,2、电流放大倍数的频率响应,为什么短路?,电流放大倍数的频率特性曲线,电流放大倍数的波特图: 采用对数坐标系,采用对数坐标系,横轴为lg f,可开阔视野;纵轴为 单位为“分贝” (dB),使得 “ ” “ ” 。,lg f,注意折线化曲线的误差,20dB/十倍频,折线化近似画法,3、晶体管的频率参数,共射截止频率,共基截止频率,特征频率,集电结电容,通过以上分析得出的结论: 1、低频段和高频段放大倍数的表达式; 2、截止频率与时间常数的关系; 3、波特图及其折线画法; 4、C的求法。,四、场效应管的高频等效电路,可与晶体管高频等效电路类比,简化、单向化变换。,单向化变换,讨论一,1、若干个放大电路的放大倍数分别为1、10、102、103、104、105,它们的增益分别为多少? 2、为什么波特图开阔了视野?同样长度的横轴,在单位长度不变的情况下,采用对数坐标后,最高频率是原来的多少倍?,讨论二,电路如图。已知各电阻阻值;静态工作点合适,集电极电流ICQ2mA;晶体管的rbb=200,Cob=5pF, f=1MHz。 试求解该电路中晶体管高频等效模型中的各个参数。,讨论二,

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