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1、1 , 55 中 华 人 民 共 和 国 电 子 行 业 标 准 s J / T 1 0 3 0 7 1 0 3 0 8 -9 2 半导体集成电路外壳 详 细 规 范 ( 二 ) D e t a i l s p e c i f i c a t i o n o f p a c k a g e s f o r s e mi c o n d u c t o r i n t e g r a t e d c i r c u i t s 1 9 9 2 - 0 6 - 1 5 发布 1 9 9 2 - 1 2 - 0 1 实施 中华人民共和国机械电子工业部发布 中华 人 民 共 和 国 电 子 行 业 标
2、 准 半导体集成电路陶瓷熔封扁平外壳 详细规范 s I / T 1 0 3 0 7 -9 2 De t a il s p e c i f i c a t i o n o f f r i t -s e a l c e r a mi c f l a t p a c k a g e f o r s e mi c o n d u c t o r i n t e g r a t e d c i r c u it s 本规范规定了半导体集成电路陶瓷熔封扁平外壳C H型) 质量评定的全部内容。 本规范符合G B 6 6 4 9 半导体集成电路外壳总规 范 的 要求。 中华人民共和国机械电子工业部 1 9 9
3、 2 - 0 6 - 1 5 批准1 9 9 2 - 1 2 - 0 1实施 一1一 S J / T 1 0 3 0 7 - 9 2 中华人民共和国机械电子工业部 GB 1 1 49 3 评定外壳质量的依据: G B 6 6 4 9 半导体集成电路外壳总规 范 S J / T 1 0 3 0 7 - 9 2 陶瓷熔封扁平外壳( H型) 详细规范 订货资料: 见本规范第 7 章。 1 机械说明 外形依据: G B 7 0 9 2 半导体集成电路外形尺寸 。 结构图、 零部件图: 见本规范第 4章。 引出端识别标志: 见本规范第 4 . 2 条。 3 质最评定类别 1、 . 、 11 类 3 质最
4、评定类别 I、 . 、 1 类 一2 一 S J / T 1 0 3 0 7 - 9 2 4 外壳结构与尺寸 4 . 1 外壳系列编号 外壳系列编号示例如下表所示。 灿 R1t H1 4 X2 -01H1 4 X2 -0 2H1 6 X2 -01H1 8 X2 -01 D9 . 0 0 士0 . 1 5 9 . 5 0士0 . 1 5 1 0 . 5 。 士 。 . : 51 2 . 7 0 士0 . 1 5 M6 . 0 0 士0 . 1 56 . 3 5士0 . 1 5 6 . 3 5 土0 . 1 56 .7 5士0 .1 5 刀l4 . 6 0 士0 . 1 03 . 9 0士0 .
5、1 05 . 0 5 士0 . 1 0 5 . 0 5士0 .1 0 D,6 . 2 0 士0 . 1 06 . 0 0士0 . 1 06 . 0 0 士0 . 1 0 6 . 1 2 士0 . 1 0 从2 . 4 0 士0 . 1 03 . 1 0士0 .1 0 3 . 5 0 士0 . 1 0 3 . 5 0 士0 . 1 0 M,3 . 6 0 士0 . 1 04 . 3 0士0 .1 04 . 3 0 士0 . 1 04 . 3 5 士0 . 3 0 D,1 6 . 0 01 6 . 0 01 8 . 0 01 9 . 5 0 风4 . 5 0 士0 . 1 05 . 0 0士0 .
6、1 05 .5 0士0 . 1 0 5 . 5 0 士0 . 1 0 M,2 1 . 3 52 1 .3 521 . 3 52 1 . 7 5 D,1 3 .0 01 3 . 0 01 5 . 0 01 6 . 5 0 M,1 8 .3 51 8 . 3 51 8 . 3 51 8 . 7 5 4 . 2 外壳结构 外壳结构和零部件尺寸如图 1 一图4所示， 并符合4 . 1 条的规定. 所规定的公差除图表中注明者外， 金属部分按G B 1 8 0 4 公差与配合未注公差尺寸的极 限偏差 I T1 3级精度计算， 未注形位公差按GB 1 1 8 4 形状和位置公差未注公差的规定 D 级精度计算
7、， 陶瓷部分按GB 4 0 6 9 电子陶瓷零件公差) 6 级精度计算。 一3 一 s ,J / e 1 0 3 0 7 -9 2 气1气 o f 0 干 ( I - Z / r ) XL Z I Z O 0 干 L Z 拿织很占龟1困 |川引|!|1.|! 、拍垢案书朔泪一防 、|引州 恻攫 4 一 S J / T 1 0 3 0 7 -9 2 联理嘟-协 气!气 幽攫N田 电怡班脚暇一阶 -昌的1。.。“的200.。润侧睡众段牢娜嘟-防，坦 一5 一 S J / T 1 0 3 0 7 -9 2 i ! z 图 3 陶瓷盖板 i :R 图 4 陶瓷底板 4 . 3 尺寸 若无其他规定， 需
8、要检查的各部位尺寸， 可用满足外壳标准精度要求的任何量具进行测 t， 其分组如下。 一6 一 S J / r 1 0 3 0 7 -9 2 分组 尺寸符号 ( GB 7 0 9 2 ) 含义要求 Bl A 荃面到外壳顶面的距离不大于 2 . 30m. D封装长度应符合图2 要求 M 封装 宽度 . 1 应 符 合 图 2 要 求 D,底座内腔长度应符合图4 要求 M,底座内腔宽度应符合图4 要求 内引线端头长度应符合图2要求 盖板的玻璃厚度 0 . 3 0 士0. 05 m. C 1 B,引线宽度0 . 4 0 士0 . 05 .m L引线长度不小于 6 . 0 0 m. C引线厚度 0 .
9、2 0 _ 0 . 0 2 e引线间距1 . 2 7 士0 . 0 2 mm Z封装突出部位不大于 0 . 6 0 .m D,盖板内腔长度应符合图3 要求 M,盖板内腔宽度应符合图 3 要求 外观 5 1 1 外壳结构的完整性和装配的准确性要求 5 . 1 . 1 外壳结构完整， 表面清洁， 不应沾有污 物、 油 迹和指痕等。 5 . 1 . 2 引线框架与底板装配时应保持对称， 其对称度应小于 0 . 1 2 mm， 并保证有不小于 0 . 4 0 m m X 0 . 4 0 m m的压焊面. 5 . 1 . 3 引线框 架覆铝部分长 边方向 边缘与底板长 边方向 边缘之间的距离应 大于。
10、. 3 0 m m , 5 - 1 A 两相邻内引线排列间距应大于。 . 1 5 m m， 且不能高出引线上表面。1 2 m m， 同时玻璃 不能溢入引线上表面。 5 . 15 装配后的引线 框架允 许有轻微的均匀氧 化层。 引线 表面不允 许有玻璃熔块。 52 金属引线框架 引线框架及其搜铝部分不允许有缺边、 缺角、 起泡、 凹坑、 凸起、 断裂和明显的机械划伤。 5 , 3 金属引线压焊端面 压平的内引线压焊端面应平整、 光洁， 端头的平面基准偏差应小于 。 . l o m m， 粗糙度不大 于 1 . 2 5 u m, 5 A芯片放置区 5 . 4 . 1 内腔渗金应呈金的本色且致密、
11、均匀和清洁， 不允许有皱皮、 气泡、 开裂、 空洞和机械划 伤 。 5 . 4 . 2 渗金层厚度应不小于3 Fe m , 5 . 4 . 3 渗金层表面不允许有高度大于。 . 0 5 m m的凸出物和杂质. 5 . 4 . 4 渗金层应搜盖内腔底面， 其四周边缘缺损应不大于0 . 2 5 m m， 上翻应不大于 0 . l o m ma 一7 一 s J / r 1 0 3 0 7 -9 2 5 . 5 陶瓷盖板和底板 5 . 5 - 1 陶瓷盖板和底板表面应清洁、 平整且无污迹、 裂缝和枯渣， 颜色可为黑色、 暗褐或暗紫 色， 且颜色应保持一致。 5 . 5 . 2 瓷体表面不允许有直径或
12、深度大于。 . 5 0 mm的凹坑2 个。 5 . 5 . 3 瓷 体的角或 边上， 不允 许有大于0 . 2 5 m m X 0 . 2 5 m m X 0 . 2 5 m m ( L X b X h ) 的 缺口。 5 . 5 . 4 瓷体表面和边缘不允许有直径或高度大于0 . 5 0 m m的凸起物和翘状物 3 个. 5 . 6 封接玻璃 5 . 6 . 1 陶瓷底座或盖 板上的低熔玻璃应完整无损， 表面应清洁， 无污 迹、 粘渣或杂质。 56 . 2 陶瓷底座或盖板上不应有使瓷体露出的玻璃空洞， 也不允许有直径或深度大于 0 . 2 5 m m的玻璃凹坑和直径或高度大于 。2 5 m
13、m的玻璃突起。 5 . 6 . 3 陶瓷底座或盖板的四周边缘和内腔边缘， 玻璃外溢于垂直方向和水平方向都不应超过 0 . 2 5 mm, 5 . 6 . 4 陶瓷底座或盖板的四周边缘和内腔边缘， 玻璃回缩都不应超过 0 . 2 5 m m, 5 . 6 . 5 陶瓷盖 板的 上表面、 陶瓷 底座的下 表面及其内腔中不能 溅有可见的 玻璃熔块。 注: 当发生争议时， 可以放大 1 0倍检查. 电特性 条款号 特性和条件 规范值 单 位试脸 最小值最大值 6 . 1 绝缘电阻 测试电压 l o o v ( 任意两根引线之间) I xl o l l n B 2 c B5 b C7 1 X1 0 0
14、订货资料 若无其他规定， 订购外壳时至少需要下列资料: 氏 外壳型号; b . 详细规范编号; c . 质量评定类别; d . 熔封玻璃温度或其他特殊要求; e . 需要增加和补充的技术条件和试验方法。 8试验条件和检验要求 若无其他规定， 本章引用标准均为G B 6 6 4 9的有关条款. 8 s J / T 1 0 3 0 7 -9 2 A组检验的抽样要求 分组 AQL 工 类兀 类I类 I L AQL I L AQL I L AQL A 1I1 . 0I0 . 4l0. 4 B组、 C组检验的抽样要求 分组 L T P D 工 、 I类，类 B 11 01 0 C1 1 5 l 1 5
15、B2 C1 07 B3 C31 01 0 B5 a77 B5 b1 01 0 C61 51 5 C71 51 0 B3 1 a1 51 0 B3 1 b1 51 0 C 3 1 C 1 5 1 5 筛选 ， 类外壳筛选项目和条件 检验或试验引用条款条件和规定 外部目检 第 5 . 1 条 本规范第 S 章 A组逐批 所有试验均为非破坏性的( 第 3 . 4 . 6 条) 检验或试验引用条款 条件 若无其他规定， T a m 6 =2 5 C 检 验 要 求 规 范 值 A l分组 外观检验 第5工 条本规范第 5 章按本规范第 5 章 - - 二 9 一 s .l / T 1 0 3 0 7
16、-9 2 B组 逐批 标有( D ) 的试验为破坏性的( 第 3 . 4 . 6 条) 检验或试验引用条款 条件 若无其他规定， T a m b =2 5 C 检 验 要 求 规 范 值 B1 分组 尺寸 第 5 . 2条本规范第4 . 3 条按本规范第4 . 3 条 B 2 C分组 电特性 第 6 . 1 条本规范第6 . 1 条按本规范6 . 1 条 B 3 分组 引线强度 ( 弯曲) ( D) 第 ? . 2 条 按G B 4 5 9 0 半导体集成电路机械 和气候试验方法 第2 . 2 条方法 2 弯曲3次 引线无损伤、 脱落， 玻璃不应开裂. B5 a分组 密封( D第 7 . 1
17、3 条 细检漏采用氦质谱示踪气体法 粗检漏采用氟碳化合物加压法 气 密 性 应 达5 X 1 。 一 ， P ac m / s 第 7 . 7 条 第 7 . 9 条 第5 . 工条 第6 . 1 条 !第7 . ”条 按GB 4 5 9 0第3 . 1 条 严格度E( 一6 5 +1 5 0 C) 循环次数: 1 0 次 按GB 4 5 9 0第3 . 5条 产格度D: 6 次 B 3 1 a 分组 键合强度 卡 - - - - - 一 一 斗Jesl.1，.1 ( 压焊点) ( D) 第 了 . 6条按GB 4 5 9 0第2 . 1 1 . 易焊、 不脱落， 拉 强度符合规范值. B3
18、1 b分 组 键合强度 ( 芯片) ( D) 第 7 . 6条 按方法 4 , 采用金一硅装片时， 应保 证有芯片周长 7 5 %的共熔区域. 当 使用芯片面积为: 1 . 5 m m X 1 . 5 mm 时， 其剪切强度不小于2 4 . 5 N, 应易焊、 不脱落， 剪 切强度符合规范值 。 C R R L分组 放行批证明记录 就B1 , B 2 c , B 3 , B 5 n , B 5 b , B 3 1 a和B 3 1 b 分组提供计数检查结果 S 7 / T 1 0 3 0 7 -9 2 C组周期 标有 ( D) 的试验 为破坏性 的( 第 3 . 4 . 6条) 检验或试验引用条
19、款 条件 若无其他规定， T e m b =2 5 C 检 验 要 求 规 范 值 C1 分组 尺寸第 5 . 2 条 本规范第4 . 3 条 按本规范第4 . 3条 C3 分组 引线强度 ( 拉力) ( D 第 7 . 1 条每只底座任抽四根引线 拉力为4 . g N 引线无损伤、 脱落， 玻瑞不应开裂. C6 分组 稳态加速度 然后进行: 外观 密封 ( D 第 7 . 5 条 第 5 . 1 条 第 7 . 1 3 条 加速度为1 9 6 0 0 0 m/ s 结构应完整无扭， 气密性应符合规 范值. C7 分组 稳态湿热 然后进行 绝缘电阻 ( D) 第 7 . 1 0 条 第 6 .
20、 1 条 工 类按严格度C: 2 1 d H、 I 类按严格度D , 5 6 d 绝缘电阻应符合 规范值. C 3 1 c 分组 键合强度 封接盖) ( D) 第 7 . 6 条将底座固定， 用扭力计扭动盖板， 其封接强度不小于 2 0 0. O N 应易封、 不脱落， 封接强度符合规 范值。 C R R L分组 放行批证明记录就C 1 , C 3 ,C6 , C 7和C 3 1 c 分组提供计数检查结果 附加说明 本标准由中华人民共和国机械电子工业部科学技术司提出。 本标准由机械电子工业部电子标准化研究所归口。 本标准由国营西安延河无线电厂负责起草。 本标准主要起草人: 王先春、 陈学礼。