《[电子标准]-SJT 10061-1991 电子元器件详细规范 2CV3A,2CV3B和2CV3G型硅肖特基势垒混频二极管.pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《[电子标准]-SJT 10061-1991 电子元器件详细规范 2CV3A,2CV3B和2CV3G型硅肖特基势垒混频二极管.pdf（9页珍藏版）》请在三一文库上搜索。
1、rJ 中华人民共和国电子工业行业标准 s J / T 1 0 0 6 1 -9 1 电子元器件详细规范 2 C V 3 A、 2 C V 3 G和 2 C V 3 G型 硅肖特基势垒混频二极管 1 9 9 1 一 0 4 - 0 8 发布1 9 9 1 一 0 7 - 0 1 实施 中华人民共和国机械电子工业部发布 中 华 人 民 共 和 国 电 子 工 业 行 业 标 准 电子元器件详细规范 2 C V3 A, 2 C V 3 B和 2 C v3 G型 硅肖特基势垒混频二极管 S J / T 1 0 0 6 1 -9 1 De t a i l s p e c i f i c a t i o
2、n f o r e l e c t r o n i c c o mp o n e n t s S i l i c o n s c h o t t k y b a r r i e r mi x e r d i o d e s f o r t y p e s 2 CV3 A, 2 CV3 B a n d 2 CV3 G 本标准适用于 2 C V 3型硅肖特基势垒混顿二极管， 它符合G B 4 5 8 9 . 1 半导体器件分立器 件和集成电路总规范 和G B 1 2 5 6 0 半导体器件分立器件分规范 的 1 类要求。 中华人民共和国机械电子工业部 1 9 9 1 - 0 4 - 0 8 批准
3、1 9 9 1 - 0 7 - 0 1 实施 1 一 S J / T 1 0 0 6 1 -9 1 中华人民共和国机械电子工业部 评定器件质t的根据: G B 4 5 8 9 . 1 ( 半导体器件 分立器件和集成电路总规范 GB 1 2 5 6 0 ( 半导体器件 分立器件分规范 S J / T 1 0 0 61 -91 2 C V 3 A, Z C V 3 B和 2 C V 3 G型硅肖特签势垒混颇二极管详细规范 订货资料: 见本规范第 7章 机械说明 2 筒略说 明 外形标准: 符合S 1 2 0 0 5 微波二极管外形尺寸 中 W-05型 外形图 肖特基势垒混频二极管 半导体材料: 硅
4、 封装: 金属陶瓷( 空腔) 应用 在X波段苗达通讯接收机和电子仪器 中做混频和检波用 3 质f评定 类别 卫类 参考数据 F 2 9 0 0 I a , 1 0 0 0 A2 b分组 F I Yr , GB 6 5 7 0, 4 . 6 GB 6 5 7 0, 4 . 1 . 2 G B 6 5 7 0, 3 . 3 . 1 几 =9 3 7 5 MHz , P=1 mW fB = 3 0 M Hz , P. . =1 . 5 d B 2 CV3 A, 2 CV3 G 2 C V 3 B Va - 2 V / F 1 =0 . 3 -A一、 一dR I d B I p A mV一 一4 一
5、S J / T 1 0 0 6 1 -9 1 续表 检脸或试验引用标准 条件 T. m6 =2 5 C ( 见总规范的第 4 章) 检验要求 数值 单位 LTPD 最小值最大值 A3分组 Z u V S W R D V F Ct o , GB 6 5 7 0 , 4 . 3 GB 6 5 7 0 , 4 . 4 GB 6 5 70 . 3 . 3 . 1 GB 6 5 7 0, 3 .5 f. =9 3 7 5 MHz , P=1 .W f . =9 3 7 5 MHa , P=1 m W I v , =0 . 3 mA I r . =1 mA 1 5 0 4 5 0 1 . 6 5 0 0
6、. 7 0 n mV p F 7 B组逐批 标注( D ) 的试验是破坏性( 3 . 6 . 6 ) 检验或试验引用标准 条件 T. . t=2 5 ( 见总规范的第4章) 检验要求 极限 单位 L T P D 最小值最大值 川 分组 尺寸4 . 2 . 2 1 5 B 5 分组 温度变化 继之以 密封 GB 49 3 7. 3. 1 . 1 “ GB 4 9 3 7, 3 . 7 . 4 GB 4 9 3 7, 3 . 7 . 5 TA=一5 5 C , 7 n= 1 2 5C t , =3 0 mi n, t , =2 -3 mi n 循环次数: 5次 细检漏: 方法 1 粗检漏: 方法
7、3 试验液体: 氟油 1 0 P a c m s 2 0 B $分组 电耐久性 最后测试: F ， 1 . 1 F 本规范 1 0 . 3 GB 6 5 7 0, 3 . 3 . 1 GB 6 5 7 0, 4 . 1 . 2 GB 6 5 7 0, 4 . 5 寿=4士0 . 2 .A 时间 1 6 8 h 1 , = 0 . 3 . A V. = 2 V J . = 9 3 7 5 MHz , P=1 -W j u =3 0 MH. , F im =1 . 5 d B 2 CV3 A, 2 CV3 G 2 CV 3 B 3 2 0 2 0 7 . 7 6 . 6 m V p A d B d
8、 B 1 0 C R R L分组B 5 , B 8的属性资料 注1 ) GB 4 9 3 7 半导体分立器件机械和气候试验方法 一5 一 S J / T 1 0 0 6 1 -9 1 c组逐批 标注( D ) 的试验是破坏性( 3 . 6 . 6 ) 检脸或试验引用标准 条件 To m b =2 5 C ( 见总规范的第4章) 检验要求 极限 单位LTPD 最小值 最大值 c1分组 尺寸4 .2 . 2 3 0 C2 b分组 1 x zGB 6 5 7 0 , 4 . 1 . 21 1 , 一2 V , T. , n b =1 00 C 1 0 0 1 1 A 1 5 C2 c分组 脉冲烧毁
9、最后测试 : 1 . G B 6 5 7 0 , 4 . 8 GB 6 5 7 0 , 4 . 1 . 2 频率 9 3 7 5 MH . , 重复频率 1 k Hz脉冲宽度 0 . 2 p “ , 负载电阻 1 0 0 a , 温度下， 正向烧毁 5 s , P ， 二1 W, V .=2 V 2 0 p A 1 5 C3分组 引出端强度 弯力矩 ( D) 本规范1 0 . 2弯力矩二7 5 .N “ m无损伤 1 5 C6分组 变频振动 继之以 恒定加速度 最后测试 : 1 . , 4i GB 4 9 3 7. 2 . 3 GB 4 9 3 7 , 2 . 5 GB 6 5 7 0 , 4
10、 . 1 . 2 GB 6 5 7 0 . 3 . 3 . 1 加速度 最小 1 9 6 m/ s 频率范围 1 0 0 .2 0 0 0 H . 耐振时间 X, Y方向各进行 四次循环， 每次循环的时间 为8 . 5 .i . 在X, Y方向， 加速度为 1 9 6 0 0 0 . s : 时间各l min V . = 2 V 1 . , =0 . 3 mA1 02 9 0 f . A n 1 V 2 0 C8分组 电耐久性 最后测试: F 曰 1 . , F 本规范 1 0 . 3 GB 65 7 0, 3 .3 .1 GB 65 7 0, 4 .1 . 2 GB 6 5 7 0. 4 .
11、 5 1 ,=4 . 0士0. 2 mA 时间 1 0 0 0 11 1 . =0 . 3 .A 1 .=2 V 儿=9 3 7 5 MH . P= 1 -W 五f =3 0 MH2 Fi .=1 . 5 d B 2 CV3 A, 2 CV3 G 2 C V 3 B 3 2 0 2 0 7 . 7 6 . 6 mV 拜A d B d B 1 0 一6 一 S J / T 1 0 0 6 1 -9 1 续表 检验或试验引用标准 条件 T. .b =2 5 C ( 见总规范的第 4 章) 检验要求 极限 单位 LTPD 最小值 最大值 C9分 组 高温贮存( D) 最后测试 1 . , F F1
12、GB 4 9 3 7, 3 . 2 GB 6 5 7 0. 4 - 1 . 2 G B 6 5 7 0, 3 . 3 . 1 T . g =1 5 0 时间1 0 0 0 h V .今Z V I P =0 . 3 .A2 032 0 p A n注 V 1 5 C R R L分组C2 , C3 , C6 和C9 分组的属性资料， C 8分组试验前后(均测量豁 据 9 D组鉴定批准试验( 不要求) 附加资料 ， 特性 曲线 a . F -I 。 关系曲线( 见图 1 ) b . 2 “ 几关系曲线( 见图2 ) F( d B) 八曰U八U ，胜jl 两 阅 冈、 、 、 、. 勺 、场坛 ， 叹屯
13、一 场、 口 一 尸 份 侧卜. -，卜 种 ， 叫 一l 1 . 02 . 0 , . ( m人) 图 1 整机噪声系数与整流电流的关曲线 一? 一 S J / T 1 0 0 6 1 -9 1 3 00 7 0 0 1 . ( .A) 图 2 中频阻抗与整流电流关系曲线 1 0 . 2 弯力矩试验方法 将电极一端固定在支持器上， 在另一端上沿与轴线垂直方向上加7 5 mN “ m弯力矩， 在加 力矩后， 支持器旋转三次， 试验后管壳和瓷管连接处无断裂现象。 1 0 . 3 电耐久性试验方法 器件应在稳态直流条件下工作， 环境温度为常温无散热器。 附加说明: 本标准由国营九七O厂负责起草。 一s 一