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1、I CS 31 . 0 8 0 .3 0 L4 2 各案号:7 5 6 0 2 00 0 中华人 民共和 国电子行业标 准 S J / T 1 1 2 2 72 0 0 0 电子元器件详细规范 3 D A 9 8 型N P N硅高频大功率晶体管 D e t a i l s p e c i f i c a t i o n f o r e l e c t r o n i c c o mp o n e n t s T y p e 3 D A 9 8 N P N s i l i c o n h i g h - f r e q u e n c y p o w e r t r a n s i s t o
2、r 2 0 0 0 - 0 8 - 1 6发布 2 0 0 0 - 1 0 - 0 1 实施 中华人民共和国信息产业部发布 自 臼言 本规范是按照G B / r 7 5 7 6 -1 9 9 8 半导体器件 分立器件 第7 部分双 极型晶体管 第四 篇 高频放大管壳额定双极型晶体管空白 详细规范( i d t I E C 7 4 7 - 7 - 4 : 1 9 9 1 ) 标准对 原部标S J 1 4 1 0 -7 8 进行修订的， 符合G B /T 4 5 8 9 . 1 -1 9 8 9 半导 体器件分立器件和集成 电路总规范( i d t I E C 7 4 7 - 1 0 : 1 9
3、8 4 )和G B / C 1 2 5 6 0 -1 9 9 9 半导体器件分立器件分规 范 ( i d t E C 7 4 7 - 1 1 : 1 9 9 6 ) 的I I 类要求。 本规范与前版的主要差别是: 1 增加了 前言。 2 电参数测试方法前版引用的是 S J 3 0 0 -3 1 4 -7 2 半导体三极管测试方法 ，本版引 用的是G B / T 4 5 8 7 -1 9 9 4 半导体分立器件和集成电 路 第7 部分: 双极型晶 体管和G J B 1 2 8 A -9 7 半导体分立器件试验方法 。 3 试验方法前版引用的是 S J 6 1 4 -7 3 ( 半导体三级管总技术
4、条件 ， 本版引用的是G B / I 4 9 3 7 -1 9 9 5 半导体器件机械和气候试验方法 。 本规范由信息产业部电子 业标准化研究所归口。 本规范起草单位:信息产业部电子工业标准化研究所。 本规范主要起草人:赵英、强桂华。 本规范首次发布时间:1 9 7 8 年。 中 华 人 民 共 和 国 电 子 行 业 标 准 电子元器件详细规范 3 D A 9 8 型N P N 硅高频大功率晶体管 D e t a i l s p e c i f i c a t i o n f o r e l e c t r o n i c c o mp o n e n t s T y p e 3 D A 9
5、 8 N P N s i l i c o n h i g h - f r e q u e n c y p o w e r t r a n s i s t o r S J / T 1 1 2 2 7 - 2 0 0 0 代替 S J 1 4 1 0 -7 8 本规范适用于 3 D A9 8型硅高频大功率晶体管，它是按照 G B / T 7 5 7 6 -1 9 9 8 半导 体器件分立器件第 7部分双极型品体管第四篇高频放大管壳额定双极型品体 管空白详细规范标准对原部标的 S 1 1 4 1 0 -7 8 ( 3 D A 9 8 型 N P N硅高频大功率三极管 进行修订的，符合 GB / T
6、4 5 8 9 . 1 -1 9 8 9 ( 半导体器件分立器件和集成电路总规范和 G B / T 1 2 5 6 0 -1 9 9 9 半导体器件分立器件分规范的1 1 类要求。 本规范引用的标准有 G B / T 4 5 8 7 -1 9 9 4 ( 卜 导体分立器件和集成电路第 7 部分双 极型品体管 、G B / T 4 5 8 9 . 工 一1 9 8 9 C1= 导体器件分立器件和集成电路总规范 、G B / T 4 9 3 7 -1 9 9 5( 半导体器件机械和气候试验方法 、G B /T 7 5 8 1 -1 9 8 7 半导体分立器件外 形尺寸和 G J B 1 2 8 A
7、 -9 7 半导体分立器件试验方法 。 中华人民共和国信息产业部 2 0 0 0 - 0 8 - 1 6 发布2 0 0 0 - 1 0 - 0 1 实施 一1 一 SJ /T 11 2 27 - 20 00 中华人民共和国信息产业部 评定电子元器件质量的依据: GB / T 4 5 8 9 . 1 -1 9 8 9 半导体器件分立器件和集成电路总 规范 G B / r 1 2 5 6 0 -1 9 9 9 半导体器件分立器件分规范 S J / T 1 1 2 2 7 -2 0 00 3 D A9 8型NP N硅高频大功率品体管详细规范 订货资料:见本规范第 7 章. 1 . 机械说明2 .
8、简要说明 外形图: 符合 GB / 7 7 5 8 1 -1 9 8 7 半导体分立器件外形尺寸中 B 2 -0 1 C，见本规范 1 0 . 2 . 引出端识别: 见本规范 1 0 .2 . 标志: 见本规范第6章。 高频大功率晶体管 品体管:N P N 半导体材料:S i 封装:空腔 用途，电子设备中的功率放大和振荡 3质量评定类别 I类 参考数据 介 ( 5 -3 0 ) M H z : P o , : 3 DA 9 8 A: I I W; 3DA98 B: - 1 5w: h 2 l E ( W 分1 5 : G p : 3 D A 9 8 A : 1 0 d B : 3 DA9 8
9、B: - 1 2 d B. 己按详细规范鉴定合格的粉件。j 鱿 有关制八刃的资料，见合格产品一览表. 4 极限值 ( 绝对最大额定值) 除非另有规定，这些极限值适用于整个 仁作温度范围。 条 号参数名称符 号 数值 单 位 最小值最大值 4 . 1 4 . 2 4. 3 4. 4 管壳温度 贮存温度 最高集电极一旅极 ( 直流)电压 3DA9 8 A 3DA9 8 B 最高发射极一发射极 ( 直流)电压 3DA9 8 A 3DA9 8 B 几a s e T s ,g V C B O V C E O - 5 5- 5 5 1 7 5 1 7 5 6 0 8 0 5 0 7 0 C C V V V
10、 V S J/ T 1 1 22 7 - 2 0 00 表 ( 完) 条 号参数名称 符 号 数值 单 位 最小值最大值 4 . 5 4 . 6 4 . 9. 1 4 . 9. 2 最高发射极一基极反向电压 最大集电极电流 耗散功率 ” 最高有效结温 V E B O I C p to t T; 4 5 6 0 1 7 5 V A W . C 注:1 )降额曲线见本规范第 1 0 . 1 . 5 电特性 ( 检验要求见本规范第 8 章) 条号 特性和条件 除非另有规定，c a s e 2 5 0 C ( 见 G B / T 4 5 8 9 . 1 第4章) 符 号 数值 单位 试 验 分 组最小
11、值最大值 5 . 1 5 . 4. 1 5 . 4. 4 5 . 5. 1 5 . 6 5 . 7 5 8 5 . 1 1 正向电流传输比 V C E = 5 V , I C = 1 . 5 A 3 DA9 8 A 3 DA9 8 B 集成极一基极截止电流 3 DA 9 8 A冷B = 6 0 V 3 D A9 8 B价B = 8 0 V 集电极一发射极截止电流 3 DA 9 8 A价E = 5 0 V 3 DA 9 8 B价E = 7 0 V 高温下集电极一摧极截止电流 几. b = 1 2 5 0 C 3 DA 9 8 A峰8 = 4 0 V 3 DA 9 8 B价B = 5 0 V 集电
12、极一发射极饱和1创玉 / C = 3 A, ! B = 0 .6 A 最低输出功率 峰E = 2 4 V , f = 2 0 MHz , P S I W 3 DA9 8 A 3 DA9 8 B 最低功率增益 3 DA9 8 A 3 DA9 8 B 集电极效率 咋E = 2 4V, f = 2 0 MH z , P ; 1 s 7 c m e 7 0 0 C 2 . 5K/ W 2 0 C 3分组 引出端强度 拉力 G B / T 4 9 3 7 I，1 . 1 拉力= 5N, r - 1 0 s 无损 坏 1 5 C4分组 耐焊接热 ( D) 最后m 鱿 试: I C B O ( 0 d 2
13、1 E M GB / T 4 9 3 7 I I，2. 2 W，第 1 节，2 . 1 N，第 I 节，9 . 1 方 法 I A 按 A 2 6分组 3 DA9 8 A 3 DA9 8 B 按 A l b 分组 3 DA9 8 A 3 DA9 8 B: m A mA 1 5 C6 分组 恒 定加速度 最后测试: IC B O ( I ) /1 2 1 E ( l) GB / T 4 93 7 1，5 I V,第 1 节，2 . 1 IV ,第 I 节，9 . 1 5 00 0 0m / s , Yl 方向，I m i n 按 A 2 6 分组 3 DA9 8 A 3 DA9 8 B 按 A
14、2 b 分组 3 DA9 8 A 3 DA9 8 B: : mA mA 2 0 S J/ T 1 1 227 - 2 00 0 C组 ( 完) 检验或试验 引用标准 G B/ T 4 5 8 7 条件 除非另有规定，T _ = 2 5 0 C ( 见GB / T 4 5 8 9 . 1 第4章) 检验要求 数值 单位 L TPD 最小值最大值 C 7 分组 稳态湿热 ( D) 最后测试: I C B O ( I) h 2 1 E ( 1 ) GB/ T 49 3 7 1 1 1 , 5 N,第 I节，2 . 1 IV，第 1节，9 . I 试验条件 A, 1 0d 按A2 6 分组 3 DA9
15、 8 A 3 DA9 8 B 按Al b分组 3 DA9 8 A 3 DA9 8 B: m A m A 2 0 C8分组 电耐久性 最 后测试 : C B O ( 1 ) h 2 I E ( p 第 V章 W，第 I节，2 . 1 n ,第 【节，91 T v j = ( 1 6 2 .5 1 1 2 .5 ) 0 C P t o t 34 0 W, V C E = 2 0 V , 1 0 0 0 h 按A2 6 分组 3 DA9 8 A 3 DA9 8 B 按A2 6 分组 3 DA9 8 A 3 DA9 8 B: : m A m A 1 0 C9 8分组 高温贮存 ( D) 最后测试: I
16、 C B O ( 1 ) 方 2 1 E ( 1 ) GB / T 4 9 3 7 川 ，2 W，第 I 节，2 . 1 W，第 1 节，9I T ,g = 1 7 5 0 C . 1 0 0 0 h 按A 2 b分组 3DA9 8 A 3DA9 8 B 按 A 2 6分组 3DA9 8 A 3DA9 8 B : : m A m A 1 5 C RR L分组提供 C 2 . C 3 . C G . C 9分组的计数检查结果 C 8分组试验前后的测试数据。 SJ/ T 1 1 227 - 2 00 0 9 D 组 鉴定批准试验 不要求。 1 0 附加资料 1 0 . 1 耗散 功率降额曲 线 耗
17、散功率降额曲线见图 图 1 耗散功率降额曲线 SJ /T 1 12 27 - 2 00 0 1 0 . 2 外形图 外形图见图 2 m m 代号 尺寸 最大标称最大 A1 2 . 1 9 O b , 1 . 5 2 O b 2 1 . 0 9 2 OD 22 . 8 6 d5 鸿6 F3 . 5 0 L81 3 . 9 L, 1 . 52 0尸 3. 8 44 . 21 9 2 9 . 9 03 0. 4 0 R, 1 3. 5 8 R 2 4 . 8 2 S1 6 . 8 9 U, 4 0. 1 3 U z 2 7 . 1 7 引出端识别:1一 基极2一 发射极管壳 一 集电极 图2 外形图 1 0