GBT 17572-1998.pdf

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1、I C S 3 1 . 2 0 0 L 5 6 荡冒 中 华 人 民 共 和 国 国 家 标 准 G B / T 1 7 5 7 2 一 1 9 9 8 i d t I E C 7 4 8 - 2 - 4 : 1 9 9 2 C 7 9 0 1 0 4 半导体器件集成电路 第 2 部分: 数字集成电路 第四篇C MO s 数字集成电路 4 O O O B和 4 O O O U B系列族规范 S e mi c o n d u c t o r d e v i c e s -I n t e g r a t e d c i r c u i t s P a r t 2 : D i g i t a l i

2、 n t e g r a t e d c i r c u i t s S e c t i o n f o u r -F a mi l y s p e c i f i c a t i o n f o r c o m p l e me n t a r y MO S d i g i t a l i n t e g r a t e d c i r c u i t s , s e r i e s 4 O O O B a n d 4 O O O U B 1 9 9 8 一 1 1 一 1 7 发布1 9 9 9 一 0 6 一 0 1 实施 国 家 质 量 技 术 监 督 局发布 G B / T 1 7

3、5 7 2 -1 9 9 8 前言 本标准等同采用国际电工委员会( I E C ) 标准I E C 7 4 8 - 2 - 4 : 1 9 9 2 半导体器件集成电路 第2 部分 数字集成电路 第四篇一C M O s 数字集成电路4 O O O B和4 O O O U B系列 族规范 。 本标准与 C M O s 数字集成电路4 O O O B和4 O O O U B系列空白详细规范 一起， 可作为 编制C MO s 数字集成电路4 0 0 0 系列电路详细规范的依 据。 本标准引用的国家标准G B / T 4 9 3 7 -1 9 9 5 和G B / T 9 4 2 4 -1 9 9 8

4、分别等同采用I E C 7 4 9 : 1 9 8 4 及修 改单 1 ( 1 9 9 1 ) 和I E C 7 4 8 - 2 - 5 : 1 9 9 2 , 本标准第8 章表 I 中的分组形式作了技术处理. 以便与I E C 7 4 8 - 1 1 ( 1 9 9 0 ) 相一致， 1 0 . 3 中 的曲 线 也作了更正。 本标准由中华人民 共和国电 子工业部提出。 本标准由全国集成电路标准 化分技术委员会归口。 本标准 起草单位: 电 子工业部标准化研究所、 西安微电子技术研究所。 本标准主要起草人: 陈裕馄、 陈学礼. G B / T 1 7 5 7 2 -1 9 9 8 I E C

5、前言 1 ) I E C ( 国 际电 工委员会) 在技术问 题上的正式决议或协议， 是由 对这些间题特别关切的国家委员 会参加的技术委员会制定的， 对所涉及的问题尽可能地代表了国际上的一致意见。 2 ) 这些决议或协 议， 以推荐标准的 形式供国 际上使用， 并在此意义上为各国家委员会所认可. 3 ) 为了 促进国际上的统一， I E C希望各国家委员会在本国条件许可的情况下， 采用I E C标准的文 本作为 其国家 标准。 I E C标准与相应国家标准之间的差异， 应尽可能在国家标准中指明. 本标准是由S C 4 7 A ( 集成电 路) 和I E C T C 4 7 ( 半导体器件) 制

6、定的。 本标准系C MOS数字集成电路 4 O O O B和 4 O O O UB系列族规范. 本标准文本以下列文件为依据: 六个月法表决报告 4 7 A( CO) 1 7 4 4 7 ( C0) 1 0 5 0 4 7 ( C0) 1 9 4 本标准表决批准的详细资料可在上表列出的表决报 告中查阅。 本标准封面的QC编号是I E C电子元器件质量评定体系(Q E C Q) 规范号。 本标准引 用下列I E C标准; 7 4 7 - 1 : 1 9 8 3 半导体器件 分立器件 第1 部分 总则 修改单 1 ( 1 9 9 1 ) 7 4 7 - 1 0 : 1 9 9 1 半导 体器件 分立

7、器件 第1 0 部分 分立器件和集 成电 路总 规范 7 4 8 - 2 : 1 9 8 5 半导体器件集成电路 第2 部分 数字集成电路 修改单 1 ( 1 9 9 1 ) 7 4 8 - 1 1 : 1 9 9 0 半导 体器件 集成电 路 第1 1 部分 半导体集成电 路( 不包括混合电路 分规范 7 4 9 : 1 9 8 4 半导体器件 机械和气候 试验方法 修改单 1 ( 1 9 9 1 ) 中华 人 民 共 和 国 国家 标 准 半导体器件集成电路 第2 部分: 数字集成电路 第四篇 C MO s 数字集成电路 4 0 0 0 B和4 O O O U B系列族规范 G B / r

8、 1 7 5 7 2 一 1 9 9 8 I d t I E C 7 4 8 - 2 - 4 : 1 9 9 2 Q C 7 9 01 0 4 S e m i c o n d u c t o r d e v i c e s -I n t e g r a t e d c i r c u i t s P a r t 2 : D i g i t a l i n t e g r a t e d c i r c u i t s S e c t io n f o u r -F a m且 l y s p e c i f i c a t i o n f o r c o mp l e m e n t a r y

9、 MO S d i g i t a l i n t e g r a t e d c i r c u i t s , s e r i e s 4 O O O B a n d 4 O O O U B 引官 I E C电 子元器件质量评定体系 遵循I E C章程并在I E C授权下工作。 该体系的目 的是确定 质量评定 程序. 以这种方式使一个参加国按有关规范要求放行的电子元器件无需进一步试验而为其他所有参加 国同样接受. 本族规范是半导体器件的一系列空白详细规范之一， 并应与下列 I E C标准一起使用。 7 4 7 - 1 o / Q C 7 0 0 0 0 0 半导体器件 分立器件第1 0 部

10、分分立器件和集成电 路总规 范 7 4 8 - 1 1 / Q C 7 9 0 1 0 。 半导体器件 集成电 路第1 1 部 分半导体集成电路( 不包括混合电 路) 分 规范 要求的资料 本页及下面方括号内的数字与下列各项要求的资料相对应 ， 这些资料应填人相应栏中。 详细规范的识别 1 授权发布详细规范的 国家标准化机构名称。 2 详细规范的I E C Q编号。 仁 3 总规范、 分规范的编号及版本号. 们详细规范的国家编号、 发布日 期及国家标准体系 要求的任何资料。 器件的识别 5 主要功能和型号. 6 典型 结构( 材料、 主要工艺) 和封装资 料. 如果器件具有若干种派生产品， 则

11、应指出其差异， 例如， 在对照表中列出特性差异。 如果器件属静电敏感型， 在详细规范中应附加预防说明。 7 外形图、 引出端识别、 标志和/ 或与外形有关的参考文件。 8 按总规范 2 . 6的质量评定类别。 9 参考数据。 本规范下面方括号给出的条款构成了详细规范的首页， 那些条款仅供指导详细规范的编写， 而不 应纳入详细规范中 国家质f技术监.局 1 9 9 8 一 1 1 1 7 批准1 9 9 9 一 0 6 一 0 1 实施 1 G B / T 1 7 5 7 2 一 1 9 9 8 当一个条款指导编写可能引起混淆时， 应于括号内指明 国家代表机构( N A I )和可以 提供规范的

12、团 体) 的名称( 地址) 仁 1 评定电 子元器件质量的依据仁 3 总规范: I E C 7 4 7 - 1 0 / QC 7 0 0 0 0 0 分规范: I E C 7 4 8 - 1 1 / QC 7 9 0 1 0 0 编号不同时的国家标准号 I E C Q详细规范编号、 版本号和/ 或日期 2 QC 7 9 0 1 0 4 详细规范的国家编号 4 若国家编号与 I E C Q编号相同， 本栏可不填 C M O S 数字集成电路4 O O O B和4 O O O U B 系列族规范 订货资料: 见本规范第 7 章 与 1 机械说明 7 7 外形依据: I E C 1 9 1 - 2

13、“ 一 若有， 则必须遵循 和/ 或国家 标准 若无 I E C外形 外形图: 可以移入本规范第8章或在那里给出更详细 的资料 引出端识别: 画出 引出端排列， 包括图示 符号 标志: L 字母和图形 ， 或色码 若有时， 详细规范应规定标志在器件上的内 容 见总规范 2 . 5 和/ 或本规范第 6章 2 简要说明 CMOS, 4 O O O B和 4 O O O UB 半导体材料 Si 封装: 空封或非空封 6 注意: 静电敏感器件 3 质f评定类别 按总规范2 . 6 7 仁 8 参考数据 见详细规范 9 7 按本规范鉴定合格的器件， 其有关的制造厂资料， 可在现行合格产品目录中查到.

14、G s / T 1 7 5 7 2 一 1 9 9 8 4 极限位( 绝对最大顺定值体系) 除另 有规定外， 这些极限值适用于整个工作温度范围。 极限值不用于检验. 除详细规范另有规定外， 给出的值是有效的. 条款参数符号 数值 单位 最小最大 4 . 1电i lk 电压vw 一0 . 5 1 )1 8v 4 , 2输入电压， ， Vl一 0 . 5 vM+0 . 5 V 4 . 3输入电流 任一输入端)I I I I 1 0m A 4 . 4工作温度 全温 限温 T. . b T b 一 5 5 一 4 0 1 2 5 8 5 4 . 5贮存温度T. 一 6 5 1 5 0 1 ) 除瞬态外

15、( 见 本规范1 0 . 2 ) . 5 电工作条件和电特性 ( 检验要求见本规范第 8 章) . 5 . 1 电 工作条件 推荐电源电 压范围: 3 V-1 5 V ( 在v 二 二5 V, 1 0 V和1 5 V下测试) 5 . 2 电特性 除另 有说明外， 电特 性适用于整个工作温度范围。 所有电压以v u 为 荃准. 5 . 2 . 1 静态特性 注: “ 负” 号表明电流方向为流出引出端. 条款特性 VD D V 符号 T. . - 2 5 VT. . b .二 单 位 试验 分组 m mm a xmmm a xm i nm a x 5 . 2 . 1 . 1 5 . 2 . 1 .

16、 1 . 1 静态电流 V 二0 V, Vim 二VM, 对所有的有效枪入组 0 口 全温工作范围 f 一门 S S E t 一缓冲器 触发器 其他 S S I 5 1 0 1 5 I D D 0 . 2 5 0 . 5 1 0 . 2 5 0 . 5 1 7 . 5 1 5 3 0 W A A3 / A3 a 5 1 0 1 5 I D D 1 2 4 1 2 4 3 0 60 1 2 0 严 A A3 / A3 a GB / T 1 7 5 7 2一 1 9 9 8 表( 续) 条款 特性 V- V 符号 了 ，. m n ,2 5 C了 . m b m . a 单 位 试验 分组nl I

17、 nmaxm i n1 1 、 aXmmnl a X 5 . 2 . 1 . 1 . 2 M S T 5 1 0 1 5 I N ) 5 1 0 2 0 5 1 0 2 0 1 5 0 3 0 0 6 0 0 1 + AA3 / A3 a .I,ST 5 1 0 1 5 I n n 5 1 0 1 5 1 5 2 5 5 0 3 7 5 7 5 0 1 5 0 0 I A AA3 / A3 a 限温工作范围 S S I! 一 : 一缓冲器 触 发器 其 他 S S T 5 1 0 1 5 I n n 1 2 4 1 2 4 7 . 5 1 5 3 0 拜 A A3 / A3 a 5 1 0 1

18、 5 1 4 8 1 6 4 8 1 6 3 0 6 0 1 2 0 p A A 3 m s 5 1 0 1 5 I M 2 0 4 0 8 0 2 0 4 0 8 0 1 5 0 3 0 0 6 0 0 p AA3 / A3 a 1 . 5 1 5 1 0 1 5 I n o 5 0 1 0 0 2 0 0 5 0 1 0 0 2 0 0 3 7 5 7 5 0 1 5 0 0 IA A A3 / A3 a 5 . 2 . 1 . 2 输出低电平电压 V。 二o v, VIF， 二VO I . I I ， 1 1 p A 5 1 0 1 5 v, 0 . 0 5 0 . 0 5 0 . 0

19、5 0 . 0 5 0 . 0 5 0 . 0 5 0 . 0 5 0 . 0 5 0 . 0 5 v A3 / A3 a 5 . 2 . 1 . 3 输出高电平电压 Vi1 =0 V. VI H =Vn 1 ， 入 I p A 5 1 0 1 5 V I IH 4 . 9 5 9 . 9 5 1 4 . 9 5 4 . 9 5 9 . 9 5 1 4 . 9 5 4 . 9 5 9 . 9 5 1 4 . 9 5 v A3 / A3 a 5 . 2 - 1 . 4 5 . 2 . 1 . 4 . 1 最坏输入条件下输出 低电平电压和输出高 电平电压 H 一系列 I I I G 1 p A V

20、。二1 . 5 V V”二3 . 0 V V。二4 . 0 V VIH =3 . 5 V VIH 二7 . 0 V VIH =1 】 . 0 V 5 1 0 1 5 V11 0 . 5 1 . 0 1 . 5 0 . 5 1 . 0 1 . 5 0 . 5 1 . 0 1 . 5 V A3 / A3 a 5 1 0 1 5 V H 4 . 5 9 . 0 1 3 . 5 4 . 5 9 . 0 1 3 . 5 4 . 5 9 . 0 1 3 . 5 V A3 / A3 a G B / T 1 7 5 7 2 一 1 9 9 表( 续) 条款特性 VM V 符号 T- s . 2 5 CT. m

21、 s m . . 单 位 试验 分组 幻飞I nm a xm mm a Xm mn l aX 5 . 2 . 1 . 4 . 2U B 一系列 I r o l 1 y A VIL 二1 . 0 V VI L 二2 . 0 V VI L 二2 . 5 V VI H 二4 . 0 V VI H =8 . 0 V V. 。 二 1 2 . 5 V 5 1 0 1 5 VO L 0 . 5 1 . 0 1 . 5 0 . 5 1 . 0 1 . 5 0 . 5 1 . 0 1 . 5 V A3 / A3 a 5 1 0 1 5 VO H 4 . 5 9 . 0 1 3 . 5 4 . 5 9 . 0

22、1 3 . 5 4 . 5 9 1 0 1 3 . 5 V A3 / A3 a 5 . 2 . 1 . 5 5 . 2 . 1 . 5 . 1 5 . 2 - 1 - 5 . 2 输出低电平 电流， ， ， ， V, L 二0 V, V,二V D D 全温工作范围 V. =0 . 4 V VD 二0 . 5 V Vo =1 . 5 V 限温工作 范围 Vo =O . 4 V VD =O . 5 V VD 二1 . 5 V 5 1 0 1 5 I O L 0 . 6 4 1 . 6 4 . 2 0 . 5 1 1 . 3 3 . 4 0 . 3 6 0 . 9 2 . 4 m A A3 / A3

23、 a 5 1 0 1 5 I D L 0 . 5 2 1 . 3 3 . 6 0 . 4 4 1 . 1 3 . 0 0 . 3 6 0 . 9 2 . 4 mA A3 / A3 a 5 . 2 . 1 . 6 5 . 2 . 1 . 6 . 1 5 . 2 . 1 . 6 . 2 输出高电平 电 流 ， . 。 ， V,L =o V, VM=VM 全温工作范围 Vo=4 . 6 V Vo =9 . 5 V Vo =1 3 . 5 V 限温工作范围 V o =4 . 6 V Vo =9 . 5 V Vo 二1 3 . 5 V 5 1 0 1 5 l o x 一 0 . 2 5 0 . 6 a

24、一 1 . 8 一 0 . 2 0 . 5 一 1 。 5 一 0 . 1 9 1 一 0 . 3 5 1 一 1 。 1 m A A3 / A3 a 5 1 0 1 5 I O H - 0 . 2 一 0 . 5 一 1 . 4 一 0 . 1 6 一 0 . 4 一 1 . 2 一 0 . 1 2 一 0 . 3 一 1 . 0 m A A3 / A3 a 5 . 2 . 1 . 7 5 . 2 . 1 . 7 . 1 输入电流 全温工作范围 ViN=Vm V =0 V 1 5I a ,0 . 10 . 11 . 0 拜 AA3 / A3 a 1 5I IL一 0 . 1 一 0 . 1

25、一 1 . 5 . 2 - 1 - 7 . 2限温工作范围 VIH 二V m VIL =O V 1 5I IH0 . 30 . 31 . 0 p AA3 / A3 a 1 5I I I 一 0 . 3一 0 . 3 一 1 . C GB/ T 1 7 5 7 2一 1 9 9 8 表( 完) 条款特性 V 0 V 符号 T. m b m in 2 5 C T. m b m . . 单 位 试验 分组m mm a xmmm a Xmm们laX 5 . 2 . 1 . 8 5 . 2 . 1 . 8 . 1 5 . 2 . 1 . 8 . 2 三态输出漏电流 V. 二0 V, Via =VD D

26、. 输出高阻 V 二1 5 V或 OV 全温工作范围 限温工作范围 1 5 1 0 7 0 . 40 . 41 2 . 0 r1 AA3 / A3 a 1 5 I 0 z 1 . 6 一1 . 6 一 一 1 2 . 0 p AA3 / A3 a 5 . 2 . 1 . 9 每单元 的输入 电容 ( 任一输入) C, 7 . 5 p FCi z 2 ) 除非详细规范另有规定. 3 )具有对称输出的器件. I o . 值等于1 0 - 5 . 2 . 2 动态特性 见空白详细规范。 6 标志 见空白详细规范。 7 订货资料 见空白详细规范。 8 试验东件和检验要求 若无其他说明， 本章中分条款号

27、指总规范中的条款号， 试验方法引自I E C 7 4 8 - 2 第N 篇。 除另有规定外. 所有试验应在T . . b =2 5 C下进行( 见总规范第4 章) 。 所有电压以 V 、为基准。 表 1 门 A组逐批检验 所有试验是非破坏性的( 见I E C 7 4 7 - 1 0 , 3 . 6 . 6 ) , 检骏或试验标准 试脸条件 检验要求 极 限评定类别 I L A Q I A 1 分组 外部F 1 检 标志符合性检查 I E C 7 4 7 - 1 0 4 . 2 . 1 . 1 试验条件和极限值见详细规范. 检验要求 见有关的分规范 A2 分 组 2 5 下的功能验证 G B /

28、 T 9 4 2 4 - 1 9 9 8 第 3 章 AN分组 ( 不适用于 1 类) 最低和最高工作温度下 的功能验证 ， G B / T 9 4 2 4 - - - 1 9 9 8 第 3 章 A 3分 组 2 5 C下静态特性 I E C 7 4 8 - 2第.篇第一节 A 3 2 分组 最低和最高f作温度下的静态特性们 I E C 7 4 8 - 2 , 第. 篇第一节 A 4 分 组 2 5 C下的动态特性( 若无其他规定) I E C 7 4 8 - 2 . 第.篇第一节 Ma 分组 ( 不适用于 1类) 最低和最高工作温度下 的动态特性4 ， I E C 7 4 8 - 2 .

29、%. 篇第一节 4 )允许相关测量. 采川说明: 1 口原表 1 中A组分组形式与分规范I E C 7 4 8 - 1 1不同， 现已改为一致。 G B / T 1 7 5 7 2 一 1 9 9 8 表 I B组逐批检验 ( I 类器件见总规范 2 . 6 ) 只有标有( D) 的试验为破坏性试验( 见I E C 7 4 7 - 1 0 , 3 . 6 . 6 ) , 检验或试验标准 条件 若无其他规定.T 、 二2 5 C 检脸要求 m i nm ax B I 分组 尺寸I E C 7 4 7 - 1 0 4 . 2 . 2和附录 B 【 见本规范第 1 章二 e 3 分组 引出端强度(

30、若适用) 弯曲( D ) G B / T 4 9 3 7 . 第 I 篇, 1 . 2 作用力二 见G B / T 4 9 3 7 ， 第1 篇1 . 2 1 无报坏 B 4分组 可焊性( DG B / T 4 9 3 7 ， 第 1 篇, 2 . 1 见G B / T 4 9 3 7 ， 第 1 篇 2 . 1 1 焊擂法 浸润良好 B. 分组 温度快速变化 a ) 空封 温度快速变化 随 后 电测试 密封: 细检漏 密封: 粗位漏 b )非空封和环权空封温度快速 变化 随后 外部目检 稳态湿热 电测试 GB / T 4 9 3 7 . 第，篇. 1 . 1 GB / T 9 4 2 4 -

31、 1 9 9 8 GB / T 4 9 3 7 . 第 ，篇. 7 . 3或 7 . 4 I E C 6 8 - 2 - 1 7 . Qc 试验 GB / T 4 9 3 7 , 第 口篇. 1 . 1 I E C 7 4 7 - 1 0 , GB / T 4 9 3 7 . 第 口 篇， 5 B GB / T 9 4 2 4 - 1 9 9 8 1 0次循环 从A2和A3 分组中选择 按规定 按规定 1 0 次循环 严酷度 1 ( 1 2 5 C. 8 5 %HR ) , 2 4 h 从A2 和 A 3分组中选择 iB 8 分组 电耐久性( 1 6 8 h ) 最终测试( 人2 , A3和A

32、4 ) I E C 7 4 8 - 1 1 . 1 2 . 3T.-=1 2 5 C. 条件: 见D 8 同A2 , A3和A4同A2 , A 3和A4 C R RL分组 就B 3 , B 4 , 8 5 和iB8分组提供计数检查结果 表. C组 周期检验 只有标有( D ) 的试验为破坏性试验( 见T E C 7 4 7 - 1 0 , 3 . 6 . 6 ) , 检验或试验标准 条件 若无其他规定， T . 二2 5 C 检验要求 nunm ax C 1 分组 尺寸 I E C 7 4 7 - 1 0 42 . 2 和附录 B 见本规范第I章 G B / T 1 7 5 7 2 一1 9

33、9 8 表，( 续 ) 位验或试验标准 条件 若无其他规定， T . 二2 5 C 检验要求 nl 礼 n ma x C2 b ( j ) 分组 最高和最低工作温度下的功能 验证 同 A 2 a C2 b ( 2 ) 分组 最高和最低工作沮度下的动态 特性 同 M a C3 分组 引出端强度( D)G B/ T 4 9 3 7 . 第 1篇, 1 1和 1 . 4 见GB / T 4 9 3 7第 1篇, l l和 1 . 峨 C 4分组 耐焊接热( D ) 最终测试 ( 同A2和A3 ) G B/ T 4 9 3 7 . 第I篇, 2 . 2 见GB / T 4 9 3 7 第 1篇. 2

34、. 2 1 同A2和A3 C5 分组 沮度快速变化U a ) 空封 温度快速变化 随后 电测试 密封: 细检诵 密封: 粗位漏 卜 ) 非空封和环载空封( D) 温度快速变化 随后 外部目检 毯态湿热 .电侧试 G B / T 4 9 3 7 , 第，篇. l . 1 见 A 2和A3 分组 G B / T 4 9 3 7 . 第1篇. 7 . 3或 7 . 4 I E C 6 8 - 2 - 1 7 . Qc 试验 G B / T 4 9 3 7 . 第，篇. 1 . 1 I E C 7 4 7 - 1 0 . 4 . 2 . 1 . 1 GB / T 4 9 3 7 . 第，篇, 5 B

35、见A2和A3 分组 1 0次循 环 同2 和 A3 分组 按规定 按规定 5 。 。 次循环 严酷度 1 . 2 4 h 同A2 和 A 3 C 6分组 称态加速度( D) ( 适用于空封器件) 最终侧试 ( 同A2 和 A3 ) GB / T 4 9 3 7 . 第 1 摘， 第 5 章加速度: 1 9 6 0 0 0 m/ s C 7分组 德态湿热 适用于空封器件.GB / T 4 9 3 7 , 第皿摘. 5 A严酷度: . 类和.类为5 6 d .【 类为2 1 d C 8 分姐 电耐久性( 1 0 0 0 h ) 最终侧试 ( 同 A2 . A3和A4 ) I E C 7 4 8 -

36、 2 ， 第V篇T - = 1 2 5 C . 条件: 见D 幻 同A2 , A 3和A4 C 9 分组 高温贮存 最终侧试 ( 同 A 2 . A3和A4 ) G B/ T 4 9 3 7 . 第，篇. 第2章1 0 0 0 h, T . 二 1 2 5 )C. 同A2 . A3和A4 G s / e 1 7 5 7 2 一 1 9 9 8 表.( 完) 检验或试验 标准 条件 若无其他规定, T二2 5 C 检验要求 幻 u nn】 ax c 1 1 分组 标志耐久性 GB / T 4 9 3 7 , 第IV 篇， 第 2 章 方法 1 C1 2分组 愉入电容s7 C R RL分组 就C

37、3 , C 4 , C 5 , C 6 , C 7 , C 8 , C 9 和C l l 分组提供计数检查结果 5 )见本规范 5 . 2 . 1 . 9 . 6 )连续三次成功的试验后， 周期可延长为每年一次。 9 D组鉴定批准试验 n组试验应在鉴定批准后立即 进行， 其后一年进行一次. 检脸或试验标准条件 D 8 分组( D ) 电耐久性 ( 加速试脸程序， 见分规范1 2 - 4 ) I E C 7 4 8 - 2第V篇 1 类: 2 0 0 0 h “ ，类, 3 0 0 0 h 条件.1 7 ) 所示耐久性持续时间为 C组和 D组耐久性爪加时间. 8 )执行耐久性试验的条件应按下述确

38、定: 功耗、 工作温度和电谏电压， 应按下列优先顺序作出选择: a )电路上每个功能可使用部分的平均功耗应为详细规范允许的最大值， b )环境温度应在a ) 条功耗下详细规范允许的最大值。 。 )电源电压应为详细规范允许的最大值. 不得超过。 ) 或b ) 条限制. 1 0 附加资料( 不用于检验) 1 0 . 1 不用的输入端 不用的输入端可连接到适当的逻辑电平( 例如: V u 或V - ) 或一个有关的输入 端。 1 0 . 2 瞬态能量保护 C MO s电路在所有的输入端上都设计有保护电路， 通过转移静电电荷， 以减少器件翰入栅氧化层 损坏的可能性。输出栅可用同样的方式进行保护. 可给

39、出保护电路的电路图， 例如: V. . D ,二叫 - res D ,叫卜D, 翎入 抽 出 D s牛 : 采用说明: 1 1 I E C 7 4 8 - 2 - 4中的C1 2分组原为瞬态能I， 为了概念清晰. 且与G B / T 9 4 2 4 一致. 现改为物入电容. GBI T 1 7 5 7 2一 1 9 9 8 通常采用的数值( 实际值见详细规范) : R ,s =2 0 0 n - - 2 0 0 0 0 ( 标称值) R o s = 1 0 f l -1 0 0 0 f l ( 标称值) B Vn , =5 0 V - ( 8 0 V) 1 2 0 V BVn , =2 0 V

40、-5 0 V BV n 1 =2 0 V-5 0 V BVn 。 二2 0 V-5 0 V BVn , =2 0 V-5 0 V B Vn . =5 0 V- ( 8 0 V) 1 2 0 V BVo t =2 0 V- -5 0 V 1 0 . 3 作为环境温度函数的输出电流、 传输延迟时间和 输出转 换时间的 变化。 在详细规范中以下面所示形式给出， 这里给出的曲线显示一般趋势. 人, H . r o , t P L H . t P H I e T 1 . H . t , 川 厂一厂下叮 丫 叮万厂 下 厂二 ， 一厂二 厂万厂二巨万厂 厂，压口万下丈 二丁 二二 巨二爪二 巨二下二 巨二

41、巨口 尸仁了厂， 万 互 1 ，了 二 下 厂 二【 二 了 二二下 厂一 厂二! 厂二卜夏厂 刃 厂，厂二 巨下厂二 二 丁 口尸 匡口叮， 厂 二 二 压 了 卜 灭 【 二 二厂二一巨二匡二巨二 一 厂丁匡口压二 二了 压口 二 口三互二 二 口巨二! 二二 巨口 巨 丁仁二巨 万二 r 二 二 巨二巨二【 二 二 巨二口竺巨三巨二巨二 厂，匡了厂一 厂二尸厂 二 口 甲 厂二巨丁厂二 二 二 厂 口 丁 压口口了 庄二巨了一 厂 二巨二厂 二二 巨二巨二巨二巨三 厂 尸 一 刃下下 二 二 厂下厂二 巨下厂二巨口厂 二 ! 二 二厂 口了千 二 口万， 二 二 巨了叮 二 二 巨二厂

42、二 卫 巨二厂二f二二巨二 厂 - ， 干 二 口 二， 庄二巨了二 庄二巨二厂 二 二 巨三 二二 巨二巨二 一 1 00-5 0 -2 5 0 +2 5 +5 0 +1 0 0 +1 5 0 兀。 ( ) -/ o . . l o “ 1 - 一 t 叫H . t P H I . . I T L H . I T H I , i 并 在T . m , = 2 5 C下的归一化值， . 1 0 . 4 输出转换时间随负载电容的变化 在详细规范中给出。 由 于C M O s 极小的输入电 流要求， 因此当 驱动其他C M O s 输入时实际上对直流输出负载电 容没 有限制。 C MO s 器件的

43、实际扇出 数受到工作频率和电 容负 载条件的限制。 应给出电 容负 载对动态特性的 影响。 下面所示曲线给出输出转换时间相对于负 载电容的一般趋势， 它也包含了传输延 迟对负载电 容的 一般趋势 。 采用说明 1 由于是 T . , = 2 5 下的归一化值. 因此曲线应在 2 5 C下通过 1 1 0 . I E C 7 4 8 - 2 - 4 是 0 下通过 1 . 0 . 现予以更正. G B / T 1 7 5 7 2 一 1 9 9 8 I * ,叼 I - v , , = 5 v 一冈又lo v 芬剩sv 冈 刁 口 Z 刁 口函日 门 团 日 冈 四 冈 口 5 01 00 1

44、5 0 C ,.( P F ) ，在C , . =5 0 P F下的归一化值. *草庐一苇草庐一苇*提供优质文档， 如果 你下载的文档有缺页、 模糊等现象或 者遇到找不到的稀缺文件， 请发站内 信和我联系！我一定帮你解决！ 提供优质文档， 如果 你下载的文档有缺页、 模糊等现象或 者遇到找不到的稀缺文件， 请发站内 信和我联系！我一定帮你解决！ 本人有各种国内外标准 20 余万个， 包括全系 列 GB 国标国标及国内行业行业及部门标准部门标准，全系列 BSI EN DIN JIS NF AS NZS GOST ASTM ISO ASME SSPC ANSI IEC IEEE ANSI UL AASHTO ABS ACI AREMA AWS ML NACE GM FAA TBR RCC 各国船级 社 船级 社 等大量其他国际标准。豆丁下载网址：豆丁下载网址： http:/