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1、 成都国腾微电子有限公司成都国腾微电子有限公司 GM2106 GM2106 1024K8bit 1024K8bit 全静态非易失性全静态非易失性 SRAM 数据手册 2003.11 数据手册 2003.11 成都国腾微电子有限公司 GM2106 NV-SRAM NV-SRAM 版本记录：1.0 当前版本时间：2003 年 11 月 版本记录：1.0 当前版本时间：2003 年 11 月 新旧版本改动比较： 新旧版本改动比较： 旧版 旧版 文档页数 文档页数 当前版本 当前版本 文档页数 文档页数 主题（和旧版本相比的主要变化） 主题（和旧版本相比的主要变化） 如果您有技术、交付或价格方面的任何
2、问题，请联系成都国腾微电子有限公司的相关办公室或当地的代理商， 或访问我们的网站： ，谢谢！ 编制时间：2003 年 11 月 编制时间：2003 年 11 月 由成都国腾微电子有限公司发布 由成都国腾微电子有限公司发布 发布地点：成都 发布地点：成都 成都国腾微电子有限公司版权所有。 成都国腾微电子有限公司版权所有。 注意： 注意： 以下内容所包含的所有部分仅仅对当前描述的器件承担相关责任，不包括相应的应用手册、使用过程和电路实 现。 以下内容描述的仅仅是跟当前器件相关的内容，不应作为固定的产品特性，也不包括将来可能的设计更改和参 数变化。 因为技术发展的需要，或许会导致任何产品具备一些危险
3、性，如果有任何相关的疑问，请咨询成都国腾微电子 有限公司的相关部门。 数据手册 第 1 页 共 11 页 2003 年 11 月 成都国腾微电子有限公司 GM2106 1 概述概述 GM2106 是一款 1024K8 位全静态非易失性 SRAM。器件采用先进的控制电路与自行设计的电 源管理芯片。系列化产品充分满足客户不同情况的需求。我们提供的 DIP 封装形式与各厂商生产的 NVSRAM 完全兼容， 在不修改任何电路的情况下完全能够正常工作， 提供的工作电压为 3V 或者 5V。 工作环境包括加强商业级和工业级。 2 特征特征 内带优质锂电池以保持片内 SRAM 数据，工业级选用进口优质 BR
4、 系列芯片专用电池，加 强商业级选用 CR 系列优质高效电池 工作温度范围：加强商业级-20+70 工业 -40+85 无外部电源供电条件下数据保持时间 10 年 36 脚 DIP 封装 外部电源掉电，内部数据自动保护 可替代 1024K 8 易失性静态 RAM，EEPROM 和 FLASH 无限多次读写操作 低功耗 CMOS 技术 55ns 或 70ns 读写速度 工作电压为 3V 或者 5V 工作电压在正负 5%间可正常工作 可选加强商业级（-20+70） ，工业级（-40+85） JEDEC 标准 36-PIN DIP 封装 3 封装及引脚功能说明封装及引脚功能说明 采用 DIP-36
5、封装，引脚排布见图 1 所示： 图图 1 引脚排布图引脚排布图 数据手册 第 2 页 共 11 页 2003 年 11 月 成都国腾微电子有限公司 GM2106 该芯片的各引脚功能描述见表 1： 表表 1 芯片功能说明芯片功能说明 引脚名引脚名 方向方向 说明说明 NC 空闲 A19A0 Out 地址线 DQ0DQ7 In/Out 数据线 /CE In 片选信号 /OE Out 输出允许信号 /WE In 写允许信号 GND In 地 VCC In 电源 4 8M 系列产品选择表系列产品选择表 系列产品选择参照表 2： 表表 2 系列产品列表系列产品列表 型号型号 读写速度读写速度 工作温度工
6、作温度 工作电压工作电压 封装封装 GM2106-55LLIW 55ns -40+85 3V DIP36 GM2106-55LLCW 55ns -20+70 3V DIP36 GM2106-55LLIF 55ns -40+85 5V DIP36 GM2106-55LLCF 55ns -20+70 5V DIP36 5 芯片功能详细描述芯片功能详细描述 5.1 功能描述功能描述 该器件内带锂电池和保护电路，能够自动监测电源电压。上电过程中，器件默认进入写保护状 态，当电源电压上升到设定值（VTH1）经过短暂延时，写保护才关闭，器件可以正常工作；这样就 可以防止器件在上电的过程中出现误操作。器件在
7、使用过程中，器件实时监测电源电压，当电源电 压低于设定值（VTH2）时，内部电源自动切换到由锂电池供电，同时写保护开启；芯片进入数据保 持状态，无法对芯片进行读写。 芯片读芯片读 当 CE，OE 信号脚都为低电平时对芯片进行读操作，此时由 A0-A19 确定 1024K 的访问空间， 最后一位的地址输入信号确定后，8 位有效数据被送到数据总线上，完成数据读操作。 芯片写芯片写 当 CE，WE 信号脚都为低电平时对芯片进行写操作。CE 和 WE 信号下降沿标志着写周期的开 始，写周期的检测由 CE 和 WE 的上升沿来决定，写周期中所有的地址线将保持有效，在其他操作 之前 WE 必须回到高阻态。
8、在写周期时 OE 控制信号线将保持高（DISABLE）以避免总线争夺。当 输出总线被禁止时，WE 将从下降沿开始禁止输出。 数据手册 第 3 页 共 11 页 2003 年 11 月 成都国腾微电子有限公司 GM2106 芯片保持芯片保持 当 VCC 电压低于写保护电压时， 对器件的读写操作将不能正常进行， 此时芯片被锁住， 当 VCC 继续下降到电池切换点时， 器件电源由备用电池供电， 器件内部数据维持由电池提供电能， 直到 VCC 电压上升到正常水平为止。 5.2 读写操作时序读写操作时序 读周期开关特性读周期开关特性 表表 3 读周期参数读周期参数 符号符号 说明说明 55ns 最小值最
9、小值 最大值最大值 单位单位 trc 读周期时间 55 - ns taa 地址访问时间 - 55 ns toha 输出保持时间 10 - ns tace CE 访问时间 - 55 ns tdoe OE 访问时间 - 25 ns thzoe OE to high-z output 0 20 ns tlzoe OE to low-z output 5 - ns thzce CE to high-z output 0 20 ns tlzce CE to low-z output 10 - ns PREVIOUS DATA VALIDDATA VALID tRC tOHA tRC tOHA tAA A
10、DDRESS DOUT 图图 2 读周期读周期 1 DATA VALID tHZCEtLZCE tACE tHZOEtLZOE tDOE tOHA tRC tAA tRC HIGH-Z ADDRESS /OE /CE DOUT 图图 3 读周期读周期 数据手册 第 4 页 共 11 页 2003 年 11 月 成都国腾微电子有限公司 GM2106 写周期开关特性写周期开关特性 表表 4 写周期参数写周期参数 符号符号 说明说明 55ns 最小值最小值 最大值最大值 单位单位 twc 写周期时间 55 - ns tsce CE to write end 45 - ns taw 地址设置时间到写结
11、束 45 - ns tha 从写结束到地址保持时间 0 - ns tsa 地址设置时间 0 - ns tpwe WE 脉冲宽度 40 - ns tsd 数据设置到写结束 25 - ns thd 从写结束到数据保持 0 - ns thzwe WE low to high-z output - 25 ns tlzwe WE high to low-z output 5 - ns DATA UNDEFINED DATA-IN VALID tHDtSD tLZWE tPWE tHZWE tPWE tSCEtSCE tHA tWC tSA tAW tWC HIGH-Z ADDRESS CE /WE DO
12、UT DIN 图图 4 写周期写周期 1 数据手册 第 5 页 共 11 页 2003 年 11 月 成都国腾微电子有限公司 GM2106 DATA UNDEFINED DATA-IN VALID tHD tSD tLZWEtPWE tHZWE tPWE tSCEtSCE tHA tWC tSA tAW tWC HIGH-Z ADDRESS /OE CE /WE DOUT DIN 图图 5 写周期写周期 2 DATA UNDEFINED DATA-IN VALID tHDtSD tLZWE tPWE tHZWE tPWE tCEtCE tHA tWC tSA tAW tWC HIGH-Z AD
13、DRESS /OE CE /WE DOUT DIN 图图 6 写周期写周期 3 数据手册 第 6 页 共 11 页 2003 年 11 月 成都国腾微电子有限公司 GM2106 数据保持开关特性数据保持开关特性 表表 5 数据保持参数数据保持参数 符号符号 说明说明 测试条件测试条件 最小值最小值 最大值最大值 单位单位 VDR 数据保持电压 参看相关数据保持波形1.2 3.6 V IDR 数据保持电流 VDD=1.2,CE=VDD -0.2v- 5 uA tSDR 数据保持设置时间 参看相关数据保持波形0 - ns tRDR 恢复时间 参看相关数据保持波形Trc - ns VDD VDR C
14、E GND VDD VDR CE GND CEVDD-0.2V tSDRData Retention ModetRDR 图图 7 数据保持波形数据保持波形 器件上下电特性器件上下电特性 表表 6 上下电参数上下电参数 符号符号 描述描述 最小值最小值典型值典型值 最大值最大值 单位单位 tPD VCC Fail Detect to CE and WE Inactive 25 50 ns tPU VCC Valid to CE and WE Active 38 51 64 ms tREC VCC Valid to End of Write Protection 25 50 ns tDR Expe
15、cted Data Retention Time 10 year 数据手册 第 7 页 共 11 页 2003 年 11 月 成都国腾微电子有限公司 GM2106 VCC VTP 3.0V CE WE Backup current supplied from Lithium battery INVALID tPD tREC tPU tDR VALIDVALID 图图 8 上下电波形上下电波形 6 性能指标性能指标 1、 写入速度： 型型 号号 时时 间间 GM2106-55XXX 55ns GM2106-70XXX 70ns 注：各型号 NV-SRAM 操作和读写速度视型号上的表示速度的后缀而
16、定。 2、 保护电压： 4.5V（5V 系列） ； 2.7V（3V 系列） 3、 电保护延时：15ms40ms 4、 使用温度范围：加强商业级（-20+70） ，工业级（-40+85） 7 推荐操作条件推荐操作条件 1、 操作温度：加强商业级（-20+70） ，工业级（-40+85） 2、 工作电压： 型型 号号 工作电压工作电压 GM2106-SSPPW -2.85V+3.3V GM2106-SSPPF -4.75V+5.5V 数据手册 第 8 页 共 11 页 2003 年 11 月 成都国腾微电子有限公司 GM2106 8 最大容忍度最大容忍度 1、 PIN 的电压值在-0.3V+7.0
17、V 之间 2、 操作温度：加强商业级为-20+70工业级为-40+85 3、 存储温度为：加强商业级为-40+70工业级为-40+85 4、 焊接温度：260情况下可以忍受 10 秒钟 9 命名规则命名规则 速度： 55：55ns 70：70ns 功耗： LL：超低功耗 等级： I： 工业级 C：加强商业级 电压： W：2.5V 3.6V F： 4.5V 5.5V GM 2106 SS PP X V 数据手册 第 9 页 共 11 页 2003 年 11 月 成都国腾微电子有限公司 GM2106 10 外型机械尺寸外型机械尺寸 符号符号 A B C D E F G H J K 最小值(mm) 528 183 90 4604312315002 04 最大值(mm) 533 188 103 5306412816003 06 图图 8 器件外型尺寸器件外型尺寸 数据手册 第 10 页 共 11 页 2003 年 11 月