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1、Step by Step Design Process Step by Step Design Process with iW3602 3612 3614with iW3602 3612 3614 设计步骤，开始你的调光驱动设计设计步骤，开始你的调光驱动设计 ?Step 1根据输入电压根据输入电压 选取起动电阻选取起动电阻Rvin?Step 1 根据输入电压根据输入电压,选取起动电阻选取起动电阻Rvin 和加速启动电路阻值和加速启动电路阻值 ?Step 2 选取选取BLEEDER 电阻电阻 ?Step 3 选取选取PFC电感电感Step 3 选取选取PFC电感电感 ?Step 4 变压器设计变
2、压器设计, MOSET 及输出整流管选择及输出整流管选择 ?Step 5 I sense 及及 Vsense 选取选取 ?Step 6 Bulk Bulk 电容电容电容电容VCCVCC电容及电容及电容及电容及NOISENOISE旁路电容旁路电容旁路电容旁路电容p ?Step 7 EMI FILTER 推荐推荐 ?Step 8 PCB设计之参考建议设计之参考建议 相位检测和调光器检测电路相位检测和调光器检测电路相位检测和调光器检测电路相位检测和调光器检测电路 选择选择选择选择 Vin Vin 电阻电阻电阻电阻 K i3612K i3612内部自定义的比值参数内部自定义的比值参数Kvin: 361
3、2Kvin: 3612内部自定义的比值参数内部自定义的比值参数 120Vac 60Hz120Vac 60Hz 230Vac 50Hz 230Vac 50Hz 内部电阻是内部电阻是i 2 5k h+/i 2 5k h+/ 1%1% 0086.0=Kvin 0043. 0=Kvin Vin Vin 电阻电阻电阻电阻 内部电阻是内部电阻是is 2.5kohm+/is 2.5kohm+/- -1% 1% k52 IC IC 内部电阻内部电阻内部电阻内部电阻2.5K2.5K = =kk k R Vin 19.2885 . 2 0086. 0 5 . 2 For low line input (120Va
4、c) designFor low line input (120Vac) design For High line input (230Vac) designFor High line input (230Vac) design = =kk k RVi9 .5785 . 2 5 . 2 RVIN 可以提供可以提供VCC充电电流充电电流 IC 内部靠检测内部靠检测VIN PIN电压来判断输入电压的高低电压来判断输入电压的高低 gp()ggp()g kkRVin9 .5785 . 2 0043. 0 IC 内部靠检测内部靠检测VIN PIN电压来判断输入电压的高低电压来判断输入电压的高低, Rvi
5、n电阻的取值会影响电阻的取值会影响CHOPPING BOOST 的的ON TIMET而影响而影响PF值值 推荐取值推荐取值推荐取值推荐取值 120VAC: RVIN =150k+130K 230VAC: RVIN=270+300K 便于调便于调整整的快的快速速启动启动电电路路便于调的快启动路便于调的快启动路 起动电流从起动电流从起动电流从起动电流从R3 R4R3 R4通过通过通过通过IC IC 内部的内部的内部的内部的 DIODEDIODE给给给给VCCVCC电容充电电容充电电容充电电容充电 Input Input 因为因为因为因为D D- -FETFET没有负向电压而导通没有负向电压而导通没
6、有负向电压而导通没有负向电压而导通, R9 , R9 R10R10中有电流给中有电流给中有电流给中有电流给VCCVCC充电充电充电充电 VCC VCC 达达到到达达到到12V12V开始开始工工作开始作开始工工作作, VIN PIN, VIN PIN电压电压电压电压到到到到开始作开始作开始作开始作, , 变低变低变低变低, Q3 , Q3 的的的的VGSVGS变为负电压而关断变为负电压而关断变为负电压而关断变为负电压而关断 选择选择选择选择D D- -FET FET 在启动后切断在启动后切断在启动后切断在启动后切断R9 R10, R9 R10, 减减 少功耗少功耗 减减 少功耗少功耗 调整调整调
7、整调整R9R10R9R10可以改变启动时间可以改变启动时间可以改变启动时间可以改变启动时间, , DiodeDiode MOSFETMOSFET 2 5K2 5K2.5K2.5K ARKARK 推荐值推荐值: 启动时间启动时间0.5S推荐值推荐值 启动时间启动时间 120Vac R9 R10: 68KX2 230Vac R9 R10: 120KX2 Bleeder 电路电路 选择选择选择选择bleederbleeder电阻电阻电阻电阻 启动的时候会有三个Half Cycle导通，约30mS 初启动的时候会有三个Half Cycle导通，约30mS,初 试化调光器状态, Bleeder 电阻在此
8、其间完全导通，调光 器工作于电阻负载条件下 合理的Bleeder Source 电阻R6 提供固定的Holding VgVg 合理的Bleeder Source 电阻R6 提供固定的Holding Current , 也限制了输入电流峰值， Vg=Vcc=12V Vgs=5V I_R6* R6+Vgs0.7 3612EE8.30.11300T4.5mH5.5mH 允许允许允许允许Chooping Chooping 电感工作于电流连续和饱和状态电感工作于电流连续和饱和状态电感工作于电流连续和饱和状态电感工作于电流连续和饱和状态 OffOff- -statestate 4-6W PF0.9 361
9、2EE8.30.11300T5 mH6mH 8-10W PF0.7 3612EE8.30.11300T2.5mH3.5mH 8-10W PF0.9 3614EE8.30.11300T2.5mH3.5mH 12-15W PF0.7 3612EE100.21210T3.0mH3.8mH 12-15W PF0.9 3614EE100.21210T3.0mH3.8mH 18-20W PF0.7 3612EE130.32145T2.0mH3.2mH 18-20W PF0.9 3614EE130.32145T2.0mH3.2mH Complex mode at DCM or Complex mode at
10、 DCM or CCM and saturationCCM and saturation调整电感量可以改变及调整电感量可以改变及调整电感量可以改变及调整电感量可以改变及 变压变压器器设计设计变压设计变压设计 Following iW3612 Worksheet 输出电压电流输出电压电流输出电压电流输出电压电流 输入电压范围及频率输入电压范围及频率 定义定义BULK电容上的电压电容上的电压 预估预估工作频率工作频率点点(55-100KHz) 经验化的效率预期经验化的效率预期经验化的效率预期经验化的效率预期 经验化的关键器件选取经验化的关键器件选取 磁芯大小类别 输出整流管 磁芯大小类别 输出整流
11、管 MOSFETMOSFET 参考参考IWATT的应用设计的应用设计 最高频率点设定最高频率点设定(150-180KHz) 变压器变压器圈比圈比的设定的设定变压器变压器圈比圈比的设定的设定 综合考虑综合考虑MOSFET 及整流管的电压应力及整流管的电压应力, 及系统效率的优化及系统效率的优化 变压器初级侧圈数变压器初级侧圈数NP 综合考虑变压器的工艺要求综合考虑变压器的工艺要求 可绕制性可绕制性综合考虑变压器的工艺要求综合考虑变压器的工艺要求,可绕制性可绕制性, 线径线径,层数层数,EMI,结构结构 变压器次级侧圈数变压器次级侧圈数NS 综合考虑变压器的工艺要求综合考虑变压器的工艺要求,电流大
12、小电流大小 确定变压器的确定变压器的电感量电感量确定变压器的确定变压器的电感量电感量 重复检查以上的各种预设条件重复检查以上的各种预设条件 电流电电流电压检测部分参数压检测部分参数压检测部分参数压检测部分参数 Following iW3612Following iW3612 Worksheet Worksheet VCC 绕组设计绕组设计 VCC 电压范围电压范围, 推荐推荐9-15V, 如果需要宽输出如果需要宽输出电电压范围压范围, VSESNE电阻确定电阻确定 Vsense Voltage200V C1 parallel with bleeder resistor 提高效率提高效率 注意注
13、意A dibl及电压应力及电压应力注意注意Audible 及电压应力及电压应力 输出滤波电容输出滤波电容 额定输出电压及额定输出电压及OVP电压电压 Ripple current I sense Filter spike, Improve Line regulation with RC Vcc 电容电容 启动时维持足够的启动时维持足够的IC供电供电 推荐推荐 Vi电容电容 Vsense 推荐推荐47uF Vin 电容电容 Bypass noise, 推荐推荐1nF Vsense Bypass noise, 推荐推荐22pF EMI Filter 3 3- -10W Design with si
14、mple LC filter10W Design with simple LC filter L: 4 6mHDrum ChokeL: 4 6mHDrum Choke 工字型磁芯工字型磁芯工字型磁芯工字型磁芯L: 46mH Drum Choke L: 46mH Drum Choke 工字型磁芯工字型磁芯工字型磁芯工字型磁芯 3 3- -5W 6X8mm 0.11mm 450Turns5W 6X8mm 0.11mm 450Turns 5 5- -10W 8X10mm 0.15mm 390 Turns10W 8X10mm 0.15mm 390 Turns X X- -cap: cap: 0.033
15、uF0.033uF Y Y- -cap cap : 470p1nF: 470p1nF, Bypass solve common noise , Bypass solve common noise For Low power designFor Low power design 1010- -20W Design with 2 Stage LC filter20W Design with 2 Stage LC filter L1 L24 6HDCh kL1 L24 6HDCh k工字型磁芯工字型磁芯工字型磁芯工字型磁芯 pgpg L1 L2 : 46mH Drum Choke L1 L2 : 4
16、6mH Drum Choke 工字型磁芯工字型磁芯工字型磁芯工字型磁芯 8X10mm 0.15mm 390 Turns 8X10mm 0.15mm 390 Turns 10X12mm 0.17mm 390 Turns10X12mm 0.17mm 390 Turns X X- -cap: cap: 0.022uF + 0.01uF0.022uF + 0.01uF Y Y- -cap cap : 470p1nF: 470p1nF, Bypass solve common noise, Bypass solve common noise For For HighHigh power designpo
17、wer design Common choke for radiationCommon choke for radiation NiNi- -Zn core, 10uHZn core, 10uH- -20uH with high impedance 20uH with high impedance 变压变压器器结构设计结构设计变压结构设计变压结构设计 变压器结构对变压器结构对EMI 及效率的影响及效率的影响 转换效率转换效率转换效率转换效率 增大增大 层间分布电容藕合系数及漏感层间分布电容藕合系数及漏感 增大增大 三明治结构能有效提高效率三明治结构能有效提高效率 但是增加但是增加EMI难度难度
18、 EMI 三明治结构能有效提高效率三明治结构能有效提高效率, 但是增加但是增加EMI难度难度 LED驱动变压器设计中三明治结构还是首选驱动变压器设计中三明治结构还是首选 变压器结构对变压器结构对PSR 设计的影响设计的影响 iW tt 初级控制技术能最大限度避免漏感尖峰对初级控制技术能最大限度避免漏感尖峰对iWatt 初级控制技术能最大限度避免漏感尖峰对初级控制技术能最大限度避免漏感尖峰对 控制的影响控制的影响 Vsense/Vcc绕组靠近输出绕组能最好地检测输绕组靠近输出绕组能最好地检测输 出状况出状况 电压检测点电压检测点电压检测点电压检测点 出状况出状况 PCB设计设计之之安规安规距距离
19、离 CE IEC60598设计安规离设计安规离_ 参照相关标准及参照相关标准及参照相关标准及参照相关标准及DEMO DEMO 设计设计设计设计 PCB设计设计之之大大电流电流与小信号与小信号处理处理设计大与小信号设计大与小信号 Boost电流回路电流回路, 环路最小化环路最小化 Boost放电回路放电回路, 环路最小化环路最小化 High frequency, 节点最小化节点最小化 High frequency, 节点最小化节点最小化 Fly back输出电流回路输出电流回路,环路最小化环路最小化 High frequency, 节点最小化节点最小化 高电压节点高电压节点 注意距离注意距离 V
20、in,输入电压及相位检测输入电压及相位检测,避免干涉避免干涉 Fly back初级电流回路初级电流回路,环路最小化环路最小化 高电压节点高电压节点, 注意距离注意距离 Vsense.输出电压检测输出电压检测,远离干涉远离干涉 Fly back初级电流回路初级电流回路,环路最小化环路最小化 控制信号控制信号, 单点接地单点接地详细应用请参考详细应用请参考iWatt demo 设计设计 避避免免IC底部的走线不底部的走线不良良而导致的启动问题而导致的启动问题免免底部的走线不而导致的启动问题底部的走线不而导致的启动问题 ?1 IC 周边的周边的Noise Bypass 电容尽量靠近电容尽量靠近IC
21、PIN ?2Vin启动的连线尽量短启动的连线尽量短 避免连线太长导致漏电流大影响起机避免连线太长导致漏电流大影响起机?2 Vin启动的连线尽量短启动的连线尽量短, 避免连线太长导致漏电流大影响起机避免连线太长导致漏电流大影响起机. ?3 IC 底部的金属底部的金属PAD有利于减少有利于减少IC封装的热阻封装的热阻, 改善改善IC温度温度 ?4IC 底部不可以放置底部不可以放置Vin等信号线等信号线, 如果底部加了红胶之后如果底部加了红胶之后, 红 胶的阻抗特性因温度而变化 红 胶的阻抗特性因温度而变化, 在高温下会显著变小而产生较大的在高温下会显著变小而产生较大的 漏电流漏电流 可能会影响启动
22、可能会影响启动漏电流漏电流, 可能会影响启动可能会影响启动 Red, Top layerRed, Top layer Green, Bottom layerGreen, Bottom layer O l GND tdICO l GND tdICOnly GND trace under IC Only GND trace under IC Vsense and Vin Isense trace under Vsense and Vin Isense trace under GNDGND IC , Long Vin trace and adhesive IC , Long Vin trace an
23、d adhesive under IC will get Startunder IC will get Start- -Up issueUp issue GNDGND 优化设计优化设计避避免音频噪声免音频噪声 1优化设计免音频噪声优化设计免音频噪声_ 在可控规切相的时候会产生较大的 电流尖峰 在可控规切相的时候会产生较大的 电流尖峰,容易导致音频噪声容易导致音频噪声 A A B B C C E E F F 输入电压输入电压 D D 输入电流输入电流 ?A EMI 差模电感差模电感,容易因工频电流导致低频噪声容易因工频电流导致低频噪声 ?B Chopping Boost 电感电感, 因工作于工频
24、电压下而产生噪声因工作于工频电压下而产生噪声 ?C 此电容并联于此电容并联于Bleeder电阻电阻,可显著减少可显著减少Bleeder损耗损耗,但是但是Ceramic电容很容易导致音频问题电容很容易导致音频问题 ?D 变压器变压器,推荐在磁芯接缝出点胶固定并采用真空浸油推荐在磁芯接缝出点胶固定并采用真空浸油 ?E X-CAP 如果卷绕工艺不好可能导致声音问题如果卷绕工艺不好可能导致声音问题. ?F 输出电容输出电容,如果用如果用Ceramic电容可能会导致在调光低端有轻微声音电容可能会导致在调光低端有轻微声音,优先采用电解或优先采用电解或Tan电容电容 优化设计优化设计避避免音频噪声免音频噪声
25、 2 E E 优化设计免音频噪声优化设计免音频噪声_ A A D D E E 磁路干扰而振动磁路干扰而振动 B B C C F F 瓷片电容发声瓷片电容发声 F F 瓷片电容发声瓷片电容发声 优化设计优化设计避避免音频噪声免音频噪声 2优化设计免音频噪声优化设计免音频噪声_ 瓷片电容发声瓷片电容发声 电感靠近电感靠近, , 磁路干扰而振动磁路干扰而振动 用胶或环氧树酯固定电感元件减弱产生声音用胶或环氧树酯固定电感元件减弱产生声音 通过距离调整避免电感振动发声通过距离调整避免电感振动发声 用胶或环氧树酯固定感元件减弱产声音用胶或环氧树酯固定感元件减弱产声音 调整摆放位置调整摆放位置, , 改变磁
26、路方向改变磁路方向, , 避免电感磁路相互干涉振动发声避免电感磁路相互干涉振动发声 优化设计优化设计避避免音频噪声免音频噪声 3优化设计免音频噪声优化设计免音频噪声_ 瓷片电容产生噪声瓷片电容产生噪声容产容产 金属膜电容金属膜电容, ,电解电容不会产生声音电解电容不会产生声音 PCB Layout 与热平衡和与热平衡和温温度度 1y与热平衡和度与热平衡和度_ A A B B C C D D E E ?A Chopping Boost MOSFET, 部分时间工作于线性状态而功耗较大部分时间工作于线性状态而功耗较大, 在在Layout时注意位置时注意位置C oppgoostOS, 部分时间工作于
27、线性状态而功耗较大部分时间工作于线性状态而功耗较大, 在在 ayout时注意位置时注意位置 ?B Chopping Boost 电阻电阻,因承受较大的因承受较大的Bleeder功耗而比较热功耗而比较热,在在Layout时注意位置时注意位置 ?CMOSFETFLYBACK 功率管功率管 与输出功率有关与输出功率有关 选取合适电流及选取合适电流及Rd 的的MOSFET?C MOSFET , FLYBACK 功率管功率管, 与输出功率有关与输出功率有关, 选取合适电流及选取合适电流及Rds的的MOSFET ?D 变压器变压器,选取合适的变压器类型选取合适的变压器类型, 优化变压器设计优化变压器设计,
28、权衡权衡MI 效率散热成本各方面效率散热成本各方面 ?E 输出整流管输出整流管, 因为靠近因为靠近LED 并且流过大电流并且流过大电流,温度较高温度较高,注意选取合适电流等级和封装注意选取合适电流等级和封装 PCB Layout 与热平衡和与热平衡和温温度度 2y与热平衡和度与热平衡和度_ Surface mountain Surface mountain ?1 在在PCB 设计时注意发设计时注意发热热元件的摆放元件的摆放位位置置,发发热热元件不要太集中元件不要太集中, 热位热位,热热, 输出整流管不要靠近输出整流管不要靠近LED板或散热器板或散热器. ?2 选用自身发热小或散热特性好的元件选
29、用自身发热小或散热特性好的元件, 例如例如SMD MOSFET比比 Fly back MOSFETFly back MOSFET , 插件更易通过插件更易通过PCB传热传热 散热片散热片 ?3 设计合适的散热片给关键器件设计合适的散热片给关键器件 散热片散热片 ?4 Potting 或者灌封胶散热处理或者灌封胶散热处理, 达到内部元件温度平衡达到内部元件温度平衡, 最热元最热元 件温度下降件温度下降15 20C Chopping MOSFETChopping MOSFET 件温度下降件温度下降15-20C Dowcorning CN-8760A & CN-8760B ANPIN 905A an
30、d 905B Bleeder 电阻电阻的推荐的推荐 ?1 在在PCB 设计时注意设计时注意BLEEDER 电阻的摆放位置电阻的摆放位置, 不要靠近不要靠近EMI 元件元件. 的推荐的推荐 ?2 BLEEDER 电阻的功率等级要合适电阻的功率等级要合适, 在不灌胶在不灌胶(POTTING)推荐用推荐用2W 额定功率的电阻额定功率的电阻额定功率的电阻额定功率的电阻 ?3 最佳热设计最佳热设计-将整个驱动用患氧树酯灌封将整个驱动用患氧树酯灌封,Potting,驱动内部元件温驱动内部元件温 度将达到很好的平衡度将达到很好的平衡, BLEEDER电阻可以用电阻可以用1W的功率等级的功率等级 ?4 The
31、rmal Cut推荐用温度保险丝串联于主电流回路推荐用温度保险丝串联于主电流回路 例如整流桥之例如整流桥之?4 Thermal Cut , 推荐用温度保险丝串联于主电流回路推荐用温度保险丝串联于主电流回路,例如整流桥之例如整流桥之 后后,以达到完全的切断保护以达到完全的切断保护 温度保险温度保险温度保险温度保险 PottingPottingPotting Potting 灵活灵活运运用自用自适适应的程序化应的程序化OTP功能功能灵活用自应的程序化灵活用自应的程序化功能功能 iW3612/3614/3602 Pliit tt (V)0 56Power limit start (V)0.56 Po
32、wer limit min (V)0.44 Power limit range100% - 10%-1%g Over-Temperature Shutdown (V)0.22 如果温度达到过温保护设如果温度达到过温保护设 定的阀值定的阀值 如果温度达到过温保护设如果温度达到过温保护设 定的阀值定的阀值A A，LEDLED电流将线电流将线电流将线电流将线 性减少性减少性减少性减少 以重新达成热平衡以重新达成热平衡以重新达成热平衡以重新达成热平衡性减少性减少性减少性减少 , ,以重新达成热平衡以重新达成热平衡以重新达成热平衡以重新达成热平衡 如果温度继续升高，接近如果温度继续升高，接近 过温保护设
33、定的阈值过温保护设定的阈值 如果温度继续升高，接近如果温度继续升高，接近 过温保护设定的阈值过温保护设定的阈值LEDLED电电电电 流将下降至流将下降至流将下降至流将下降至1010流将下降至流将下降至流将下降至流将下降至1010 根据选择合适的根据选择合适的根据选择合适的根据选择合适的NTCNTC阻值阻值 来设置过温保护动作点来设置过温保护动作点 阻值阻值 来设置过温保护动作点来设置过温保护动作点 影响调光影响调光过过程中线性度的程中线性度的因因素素-输输入电入电压的影响压的影响影响调光程中线性度的素影响调光程中线性度的素 输压的影响输压的影响 ?1 iWatt数字控制的调光曲线特性能最大限度
34、优化调光视觉效果数字控制的调光曲线特性能最大限度优化调光视觉效果,避免市电波动引起闪烁避免市电波动引起闪烁 ?2 输入切相电压不稳定或严重不形导致的闪烁输入切相电压不稳定或严重不形导致的闪烁,通常发生在调光器切相通常发生在调光器切相90C之后之后. 因为驱动内部有因为驱动内部有X-CAP,当当X-CAP残留的电压不能及时被残留的电压不能及时被BLEEDER电阻放掉时可能会导致电阻放掉时可能会导致因为驱动内部有因为驱动内部有,当当残留的电压不能及时被残留的电压不能及时被电阻放掉时可能会导致电阻放掉时可能会导致 量测出来的切相占空比与实际不符合量测出来的切相占空比与实际不符合. A A VinVi
35、n信号下降沿变形信号下降沿变形信号下降沿变形信号下降沿变形 VinVin信号于输入同步信号于输入同步信号于输入同步信号于输入同步, ,信号正常信号正常信号正常信号正常 改善对策改善对策: 确认确认Dimmer 种类种类,确认内部有没有确认内部有没有X-cap 驱动上尽量选用小容量的驱动上尽量选用小容量的X-cap, p X-cap两端两端(AB之间之间)并联并联Bleeder电阻电阻,120V 设计中用设计中用150K 2pcs,230V设计用设计用330K 2pcs B B 影响调光影响调光过过程中线性度的程中线性度的因因素素-Isense检测的影响检测的影响影响调光程中线性度的素影响调光程
36、中线性度的素检测的影响检测的影响 ?1 IsenseIsense 波形在电流检测过程中至关重要波形在电流检测过程中至关重要. . 3602/3612/36143602/3612/3614就是通过控制就是通过控制 IsenseIsense基准电压来改变输出电流基准电压来改变输出电流. .当调至较低的输出电流时当调至较低的输出电流时, , IsenseIsense的基准电压也相应变低的基准电压也相应变低. . 如果如果IsenseIsense 波形因为变压器分布电容而导致太高太长的波形因为变压器分布电容而导致太高太长的 LEADING SPIKELEADING SPIKE 可能这个尖峰就会导致可能
37、这个尖峰就会导致ICIC对对 I I误判断而调光不顺误判断而调光不顺LEADING SPIKE,LEADING SPIKE,可能这个尖峰就会导致可能这个尖峰就会导致ICIC对对 IsenseIsense 误判断而调光不顺误判断而调光不顺 rst s dsetpkss T T KV= _ 实际波形实际波形 影响调光影响调光过过程中线性度的程中线性度的因因素素-Isense检测的影响检测的影响 ?2优化变压器设计优化变压器设计,尽量保证在调光低端的时候变压器的导通时间尽量保证在调光低端的时候变压器的导通时间Ton相对较长相对较长,明显大于明显大于 LdiBlk ti避免避免I误判断误判断误判断误判
38、断 影响调光程中线性度的素影响调光程中线性度的素检测的影响检测的影响 Leading Blank time,避免避免Isensesense 误判断误判断误判断误判断. . 改善对策改善对策: 希望计算预估的最小导通是间也远远大于希望计算预估的最小导通是间也远远大于IC的的LdiBlk ti 希望计算预估的最小导通是间也远远大于希望计算预估的最小导通是间也远远大于IC的的Leading Blank time 如果变压器的工作频率较低如果变压器的工作频率较低,电感量较大电感量较大,导通时间将较长导通时间将较长, 对对ISENSE波形的容错性将较 强波形的容错性将较 强,有 利于调光 有 利于调光
39、影响调光影响调光过过程中线性度的程中线性度的因因素素-Isense检测的影响检测的影响 ?3优化变压器结构优化变压器结构,尽量减少变压器内部绕组的分布电容尽量减少变压器内部绕组的分布电容, 降低因为分布电容降低因为分布电容C1引起的引起的 I干扰干扰 避免避免I误判断误判断误判断误判断 影响调光程中线性度的素影响调光程中线性度的素检测的影响检测的影响 Isense干扰干扰, 避免避免Isensesense 误判断误判断误判断误判断. . 分段绕制的三明治结构分段绕制的三明治结构分段绕制的三明治结构分段绕制的三明治结构 三明治结构可以减少分布电容三明治结构可以减少分布电容三明治结构可以减少分布电
40、容三明治结构可以减少分布电容C1C1 层间内部加绝缘胶带层间内部加绝缘胶带层间内部加绝缘胶带层间内部加绝缘胶带 三明治结构可以减少分布电容三明治结构可以减少分布电容三明治结构可以减少分布电容三明治结构可以减少分布电容C1, C1, 层间内部胶带可以减少层间内部胶带可以减少层间内部胶带可以减少层间内部胶带可以减少C1C1 影响调光影响调光过过程中线性度的程中线性度的因因素素-Isense检测的影响检测的影响 ?4改变改变Isensesense整形整形RC网络网络,优化优化Isensesense波形波形,避免避免Isensesense 误判断误判断误判断误判断. . 影响调光程中线性度的素影响调光
41、程中线性度的素检测的影响检测的影响 100100 220 F220 F100100- -220pF220pF 10nF10nF100100 220pF220pF10nF10nF100100- -220pF220pF 5 5 尝试用低一点的尝试用低一点的尝试用低一点的尝试用低一点的Cgs MOSFETCgs MOSFET于于于于Fly back, Fly back, 可以有效减少导通瞬间的可以有效减少导通瞬间的可以有效减少导通瞬间的可以有效减少导通瞬间的Isense sense 噪声尖峰噪声尖峰噪声尖峰噪声尖峰 3612应用应用,开机测试检开机测试检查流查流程程应用应用,开机测试检程开机测试检程
42、 3612应用应用,开开机后输机后输出出不不正正常检常检查流查流程程应用应用,开开机后输不常检机后输不常检程程 3612应用应用,开开机机工工作调光不作调光不正正常检常检查流查流程程应用应用,开开机作调光不常检机作调光不常检程程 3612应用应用,常规检常规检查查项目项目应用应用,常规检项目常规检项目 Q &A Bob Chen SSL AlitiMSSL Application Manager BcheniW Tel: +86-13714738362 iWatt 中国代表处中国代表处 SSL Manger: Bob Chen 深圳市南山区高新区南区科技南十二路 iWatt Hong Kong
43、 Ltd Sales Director: Marco Cheng U it 223B 2/F CB ildi2 深圳市南山区高新区南区科技南十二路 长虹科技大厦十楼1010单元 郵遞區號: 518 057 电话： +86-755-2981-3669 传真： +86-755-8175-1496 Unit 223B, 2/F, Core Building 2 No. 1 Science Park West Avenue Hong Kong Science Park, Shatin New Territories, Hong Kong Tel +852 2111 3903 32 传真： +86 755 8175 1496 手机： +86 13714738362 电子邮件： B Tel: +852-2111-3903 Cell: Cell: +86 (1382) 356 2501