【大学课件】模拟电子线路.ppt

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1、模拟电子线路,Analog Circuits,http:/ 本章讨论半导体的特性，PN结的单向导电性，二极管、三极管、场效应管的结构，工作原理，特性曲线和主要参数,第1章半导体器件,http:/ 导体：=10-4.cm 如：铜，银，铝 绝缘体：=109.cm 如：橡胶，塑料 半导体其导电能力介于上面两者之间，一般为四价元素的物质，即原子最外层的轨道上均有四个价电子,所以称它们为4 价元素。 半导体有：元素半导体：硅（Si）、锗（Ge）等； 化合物半导体：砷化镓（GaAs）等,第一节半导体的特性,http:/ 硅或锗的 简化原子结构模型,http:/ 通常把非常纯净的、几乎不含杂质的且结构完整的

2、半导体晶体称为本征半导体。 在T=0K（相当于273oC）时半导体不导电，如同绝缘体一样。 如温度升高，如在室温条件下，将有少数价电子获得足够的能量，以克服共价键的束缚而成为自由电子，其载流子的数量很少（自由电子的数量）导电能力很弱。,1.1.1 本征半导体,http:/ 本征激发 空穴、电子对 两种载流子： 电子与空穴载流子 产生与复合 动态平衡 载流子浓度与T有关,图1.1.3 本征激发现象,http:/ 根据掺入杂质的化合价的不同，杂质半导体分为: N型半导体和P型半导体两大类。 一N型半导体： 在4价硅或锗的晶体中掺入少量的5价杂质元素，如磷，锑，砷等。,1.1.2 杂质半导体,htt

3、p:/ 电子型半导体,（a） （b） 图1.1.4 N型半导体 （a）结构示意图 （b）离子和载流子（不计本征激发）,http:/ （b） 图1.1.5 P型半导体 （a）结构示意图 （b）离子和载流子（不计本征激发）,二P型半导体：在4 价硅或锗的晶体中掺入少量 的3 价杂质元素，如硼，锡，铟等。,http:/ 半导体的特性： 1、热敏性 2、掺杂性 3、光敏性,http:/ 单纯的P型或N型半导体，仅仅是导电能力增强了，因此它还不是电子线路中所需要的半导体器件。若在一块本征半导体上，两边掺入不同的杂质，使一边成为P型半导体，另一边成为N型半导体，则在两种半导体的交界面附近形成一层很薄的特殊

4、导电层PN结。PN结是构成各种半导体器件的基础。,第二节半导体二极管,http:/ 扩散运动、空间电荷区、耗尽层、漂移运动、动态平衡、内建电位差、势垒区或阻挡层,（a） （b） 图1.2.1 PN结的形成 （a）载流子的扩散运动 （b）平衡状态下的PN结,http:/ 偏置、正向偏置（正偏）、反向偏置（反偏） 正向导通、反向截止,（a） （b） 图1.2.2 外加电压时的PN结 （a）正偏 （b）反偏,http:/ PN结反偏时产生较小的反向电流，PN结处于截止状态。 故PN结具有单向导电性。,http:/ 半导体二极管及其基本特性,（a） （b） 图1.2.3 二极管的结构和符号 （a）结构

5、示意图 （b）符号,一、 二极管的结构与符号,http:/ 二极管的伏安特性曲线,二、二极管（PN结）伏安特性 1、正向特性、 “死区”、导通电压或开启电压； 室温下，硅管的Uon0.5V， 锗管的Uon0.1V。 管压降：硅管UD=0.60.8V， 锗管UD=0.10.3V,http:/ 反向特性、反向饱和电流、反向击穿电压。 电击穿：雪崩击穿、齐纳击穿。 热击穿 需要特别指出的是，普通二极管的反向击穿电压较高，一般在几十伏到几百伏以上（高反压管可达几千伏）。普通二极管在实际应用中不允许工作在反向击穿区。,http:/ 可近似用PN结的伏安特性方程来表示。理论研究表明，PN结两端电压U与流过

6、PN结的电流I之间的关系为 （1.2.1） Isat-反向饱和电流 UT =kT/q-温度电压当量，其中k为玻耳兹曼常数，T为绝对温度，q为电子电量。在室温（27或300K）时UT26mV。,http:/ 1、最大整流电流IF：指二极管长期工作时，允许通 过管子的最大正向平均电流。 2、最高反向工作电压UR： 3、 反向电流IR：指在室温下，在二极管两端加上规定的反向电压时，流过管子的反向电流。 IR愈小单向导电性愈好。IR与温度有关（少子运动） 4、 最高工作频率：fM值主要决定于PN结结电容的大小。结电容愈大，则fM愈低。,http:/ 利用二极管的反向击穿特性，可将二极管做成一种特殊二极

7、管稳压二极管。稳压二极管简称稳压管 稳压二极管的电路符号如图1.2.5所示 稳压二极管参数：稳定电压、稳定电流、动态电阻、额定功耗、稳定电压的温度系数。,http:/ 二极管的分类及其选择 1二极管的分类 按材料的可分为锗管和硅管； 按功能可分为开关管、整流管、稳压管、变容管、发光管和光电（敏）管等， 普通二极管、特殊二极管； 按工作电流可分为小电流管和大电流管； 按耐压高低可分为低压管和高压管； 按工作频率高低可分为低频管和高频管等。,http:/ （1） 要求导通电压低时选锗管；要求反向电流小时选硅管；要求击穿电压高时选硅管；要求工作频率高时选点接触型高频管；要求工作环境温度高时选硅管。

8、（2） 在修理电子设备时，如果发现二极管损坏，则用同型号的管子来替换。如果找不到同型号的管子则可改用其他型号二极管来代替，替代管子的极限参数IF 、UR和 fM应不低于原管，且替代管子的材料类型（硅管或锗管）一般应和原管相同。,http:/ 二极管除了单向导电性外，还具有电容效应（PN结电容效应），即当其两端电压变化时，其存储的电荷也发生变化，因此就出现充、放电现象。 按产生的原因不同分为势垒电容和扩散电容两种。 （1）势垒电容Cb （2）扩散电容Cd 结电容Cj为两者之和，即Cj= Cb + Cd 正偏时，Cb Cd ，Cj主要由势垒电容决定。,1.2.3 二极管的电容效应,http:/ 利

9、用二极管的电容效应，可将二极管做成一种特殊二极管变容二极管，其电路符号如图1.2.9所示。 主要用作可变电容（受电压控制） 必须工作在反偏状态 常用于高频电路中的电调谐电路。,图1.2.6 变容二极管的电路符号,http:/ 半导体具有光敏特性，光照越强，受激产生的电子空穴对的数量越多。 普通二极管的外壳都是不透光的 利用二极管的光敏特性，可制成一种特殊二极管光敏二极管。 光敏二极管又称光电二极管，属于光电子器件。 为了便于接受光照，光电二极管的管壳上有一个玻璃窗口，让光线透过窗口照射到PN结的光敏区。 光电二极管的符号如图1.2.7（a）所示。,1.2.4 二极管的光电效应,http:/ （

10、b） 图1.2.7 光电二极管的符号与光电特性的测量电路 （a）符号 （b）光电特性的测量电路,http:/ 发光二极管的符号与基本应用电路如图1.2.8所示。显然，发光二极管应工作在正偏状态，且当正向电流达到一定值时才能发出光。,（a） （b） 图1.2.8 光电二极管的符号与发光特性的测量电路 （a）符号 （b）发光特性的测量电路,http:/ 二极管的温度特性 半导体还具有热敏特性 温度每升高1，正向压降减小22.5mV； 温度每升高10，反向电流约增大一倍。 二极管的反向特性受温度的影响较大 温度对二极管的影响是不可避免的，因为温度总是存在于器件中存在且经常变化的。,http:/ 分为

11、硅管和锗管；大、中、小功率管；高频管和低频管。 半导体三极管（简称三极管）就是一种能将直流能量转化为交流能量的器件，这样的器件也称为有源器件。,第三节、晶体三极管,http:/ Junction Transistor，BJT）、晶体三极管，简称三极管，是最为常用的一种半导体器件。它是通过一定的工艺，将两个PN结结合在一起的器件。由于PN结之间的相互影响，使三极管表现出不同于二极管单个PN结的特性而具有电流放大作用，从而使PN结的应用发生了质的飞跃。本节将围绕三极管为什么具有电流放大作用这个核心问题，讨论三极管的结构、内部载流子的运动过程以及它的各极电流分配关系。,http:/ 三极管的结构与符

12、号 实物演示 各类三极管及其外形 三极管按结构可分为NPN和PNP两类。 三极管的结构：（硅平面型、锗合金型） 三个区：基区、发射区、集电区 三个极：基极、发射极、集电极 三个结：发射结、集电结,http:/ 三极管放大原理 1三极管的偏置 放大电路中的三极管都需要提供直流电源， 并得到一个合适的偏置。,http:/ 发射结正偏、集电极反偏； 发射极反偏、集电结正偏； 二结均正偏； 二结均反偏。 放大电路中的三极管的偏置应为发射结正偏、集电结反偏。 NPN型三极管，UCUBUE ； PNP型三极管， UCUBUE。,http:/ NPN三极管内部载流子的运动,2三极管的电流分配关系,http:

13、/ IE = ICN IBN （1.3.1a） IB = IBN ICBO （1.3.1b） IC = ICN ICBO （1.3.1c） 由上述三式可得 IE = IB IC （1.3.2）,http:/ （ 1.3.3a） 称为共基极直流电流放大系数，其值一般在0.95至0.995之间； 定义 （1.3.3b） 称为共发射极直流电流放大系数, 其值一般在几十至几百之间。,http:/ ，则有 IB IBN （13.4a） IC ICN （1.3.4b） IE = ICN IBN = IB IC （1.3.4c） （1.3.5a） （1.3.5b）,http:/ （1.3.6） （1.3.7

14、） 且有 (1.3.8a) (1.3.8b),http:/ (1.3.9) 上式第二项用ICEO表示，即 于是 通常称ICEO为穿透电流，或集电极.发射极间反向饱和电流。,http:/ 三极管三个电极的电流中，IB 最小，IE最大，IC IE ,即 IEICIB 。,（a） （b） 图1.3.7 三极管各极的电流及方向 （a）NPN型 （b）PNP型,http:/ 三极管的共射特性曲线,采用共射接法的三极管的特性曲线称为共射特性曲线。 三极管有三个电极，而且还有放大作用，所以它的特性曲线要比二极管复杂的多。常用的是输入特性曲线和输出特性曲线。,图1.3.8 测量三极管共射特性曲线的电路,htt

15、p:/ 1.共射输入特性曲线 三极管的共射输入特性曲线表示当管子的输出电压uCE为常数时，输入电流iB与输入电压uBE之间的关系曲线，即,在一般情况下，当uCE较大（大于1V）时，三极管工作在正常放大状态，则uCE对iB的影响很小。因此，为使问题简单化，将只考虑保证uCE始终大于 1V，但并不固定uCE为某一数值，其误差很小。,http:/ =0V时，相当于c、e极短路，这时三极管可以看为两个二极管的正向并联，因此uCE =0V的输入特性与二极管的正向特性相似，但更陡一些。 （2）随着uCE的增大，曲线逐渐右移。这是因为随着uCE的增大，基区调宽效应使电子在基区与空穴的复合减少，在相同的uBE

16、下iB减小，曲线右移。 （3）uCE1V以后各条输入特性曲线密集在一起，几乎重合。 由于在实际使用时，uCE一般总是大于1V的，因此通常只画出有用的uCE =1V的那条输入特性曲线。,http:/ 一般硅管的UBE0.7V， 锗管的UBE0.2V。 (5) 输入特性是非线性的。 总之，三极管的输入特性曲线与二极管的正向特性相似，因为b、e极间是正向偏置的PN结。,http:/ 共射组态时，三极管的输出电流iC不但取决于输出电压uCE ，而且与输入电流iB有关。三极管的共射输出特性曲线表示当管子的输入电流iB为某一常数时，输出电流iC与输出电压uCE之间的关系曲线，即,http:/ 曲线起始部分

17、较陡，且不同iB曲线的上升部分几乎重合。这表明uCE很小时，uCE略有增大，iC就很快增加，但iC几乎不受iB的影响。 （2）当uCE较大（如大于1V）后，曲线比较平坦，但略有上翘。 （3）输出特性是非线性的。 由共射输出特性曲线，可以把三极管的工作状态分为三个区域 ： 截止区、放大区、饱和区,http:/ 通常把iB=0（此时iC=iE=ICEO ）的输出特性曲线以下的区域称为截止区。截止区的特点是各极电流均很小（接近或等于零），此时发射结和集电结均反偏，三极管失去放大作用且呈高阻状态，e、b、c极之间近似看作开路。,http:/ 放大区指iB0和uCEuBE的区域，粗略看来就是图2.5.4

18、中曲线的平坦部分。 在放大区，发射结正偏，集电结反偏。此时由于iCiB ，则iC随时iB而变化，即iC受控于iB（受控特性）；同时iC与uCE基本无关，即iC对uCE而言可近似看成恒流（恒流特性）。 由于iCiB ，所以三极管有电流放大的作用。曲线间的间隔大小反映出的大小，即管子的电流放大能力。三极管只有工作在放大区才有放大作用。由于iC受控于iB ，所以三极管是一种电流控制型器件。,http:/ 3）饱和区 饱和区指uCEuBE的区域，大致是图2.5.4中曲线靠近纵轴的区域。在饱和区，发射结和集电结均正偏，三极管也失去放大作用，iC=iB不再成立。这时，iC随uCE而变化，却几乎不受iB控制

19、，即：当uCE一定时，即使iB增加，iC却几乎不变，这就是饱和现象。由于三极管饱和时，各极之间电压很小，而电流却较大，呈现低阻状态，故各极之间可近似看成短路。,http:/ 小功率硅管UCE（sat）0.3V； 小功率锗管UCE（sat）0.1V； 大功率硅管UCE（sat）1V。 uCE=uBE（即uCB=0，集电结零偏）时的状态称临界饱和，见图1.3.10中的虚线，此线称临界饱和线。临界饱和线是饱和区和放大区的分界线，该线左方区域的uCEuBE（或uCB0），称为过饱和。 应当指出，当uCE增大到某一值时，iC将急剧增加，这时三极管发生击穿，击穿电压随iB的增加而减小。（未画） PNP型管的特性曲线是“倒置”的。,http:/