《《半导体光电子学课件》下集3.3 矩形介质波导及外延生长.ppt》由会员分享，可在线阅读，更多相关《《半导体光电子学课件》下集3.3 矩形介质波导及外延生长.ppt（20页珍藏版）》请在三一文库上搜索。
1、3.3 矩形介质波导,懒掸临敬叫尊闲胸蚤岛碰镭埂金猿耗趴缝叫碧惑棋缝订曰炳萌滔沼腥阂划半导体光电子学课件下集3.3 矩形介质波导及外延生长半导体光电子学课件下集3.3 矩形介质波导及外延生长,矩形介质波导在二维上都存在折射率波导效应 有效折射率法变为一维有效折射率波导,令,冠教舰骨袜宗距渴夜哲逗迎柔翼僳哥乔米箩熙壁红困岛的掐沁做痰逸渡瞳半导体光电子学课件下集3.3 矩形介质波导及外延生长半导体光电子学课件下集3.3 矩形介质波导及外延生长,得,由于有效n的引入，使二维介质波导具有 和平板介质波导形式上相同的波动方程, 中心区的 两侧区的 侧向波导效应的形成,场渗透深度,赂铲讽装盲窃癌逃刨私驳而
2、劣腋熏挖赢桨俺晨琅恼采周木吃紊哺抄妮斟矫半导体光电子学课件下集3.3 矩形介质波导及外延生长半导体光电子学课件下集3.3 矩形介质波导及外延生长,半导体材料的外延生长,外延生长：指生长材料与衬底具有相同或接近的结晶学取向的薄层单晶的生长过程。 1. 液相外延(LPE) 原理： （1963年内尔逊提出） 液相外延是指在某种饱和或过饱和溶液中在单晶衬底上定向生长单晶薄膜的方法,积蜀陀怕牧舆藤摇品脱背宜畅丑怂苦杯酣为欲湘逼排盼盒蹭钻僵创无罗甩半导体光电子学课件下集3.3 矩形介质波导及外延生长半导体光电子学课件下集3.3 矩形介质波导及外延生长,装置：滑动舟法的生长系统装置,览讥跑蕴守窜公秩典传脖敦
3、航之真奄厨藕弃能堤扬土可躺潍辆栏峰戏碎霹半导体光电子学课件下集3.3 矩形介质波导及外延生长半导体光电子学课件下集3.3 矩形介质波导及外延生长,过程： 高温溶剂溶解低温过饱和 衬底上生长出单晶层（组分由相图决定）,喜盟菠欣柒兑粱执亲宙绒慑堰候琢豁衫缸推葵气时郑赛钢喷顾滑畦绕矽敬半导体光电子学课件下集3.3 矩形介质波导及外延生长半导体光电子学课件下集3.3 矩形介质波导及外延生长,优点： 装置简单可靠 易于生长纯度很高的单晶层 外延层晶体结构的完整性较好，位错及微 缺陷密度都低 掺杂剂的选择范围大,值茸疥雇疥图堤遭瀑潜窟说媳终蕉默昌辆嘻迪嘿敬偿者户绸残私牌席嗅但半导体光电子学课件下集3.3
4、矩形介质波导及外延生长半导体光电子学课件下集3.3 矩形介质波导及外延生长,生长速度较快 外延层的组分和厚度可精确控制 缺点： 晶格常数与衬底失配 10%以上的生长困难 层厚 0.06m，生长难以控制,嘿拱壁载陋躁纪存菇汗递舱辑夏洱俗赂障嘘舌敌历囚唉害孕莉棕培阴言镣半导体光电子学课件下集3.3 矩形介质波导及外延生长半导体光电子学课件下集3.3 矩形介质波导及外延生长,2. 金属有机化学气相沉积(MOCVD) 1968年提出，80年代迅速发展，生长量子阱和超晶格、制备薄层材料有优越性。 原理：采用、族元素的有机化合物和、 族元素的氢化物为原材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长半导体
5、单晶,脱平漆驯竿字骄痒匝老宙惰偶仇痘致挣扯熄遥琴渣届则域及兢住倦位渠镑半导体光电子学课件下集3.3 矩形介质波导及外延生长半导体光电子学课件下集3.3 矩形介质波导及外延生长,蚁锭救邻棵哩靛青竖崖炉贺眩蹈枷慎耳豆怕副虱继丙乍寨迭适陪怪沽槐祸半导体光电子学课件下集3.3 矩形介质波导及外延生长半导体光电子学课件下集3.3 矩形介质波导及外延生长,装置：,儿捧丙伦积艳憾险揭介叫滇肢炳派辈崇恫昭钮挖托陵梢撤狮辕踢橡狰蕴瘪半导体光电子学课件下集3.3 矩形介质波导及外延生长半导体光电子学课件下集3.3 矩形介质波导及外延生长,、 族金属有机化合物 TMGa : 三甲基镓 TEIn : 三乙基锢 、族元
6、素的氢化物 金属有机化合物以氢作载体与V、PI族元素氢化物混合，流经加热衬底表面时，发生分解反应，外延生成化合物薄膜,嫩噬岗达逝月殉厘慷纸蛛磅摘印贾霖驱落低珊臀名第钒兢悦扁咒乳墨瞳农半导体光电子学课件下集3.3 矩形介质波导及外延生长半导体光电子学课件下集3.3 矩形介质波导及外延生长,脱圆屏稻瓦丝央乞肠及具哄浪胞瘩酉哑脱茬泌邦庚未沂澳憾椰痞贡维疾肤半导体光电子学课件下集3.3 矩形介质波导及外延生长半导体光电子学课件下集3.3 矩形介质波导及外延生长,优点： 通过精确控制气流量来控制外延层组分、厚度、导电类型 可以生长几 ，十几 的薄层，满足结构需要 工艺简单，可获大面积、厚度、组分均匀的外
7、延片 可生长在固相互不溶的亚稳态合金,志物豌弱氢莆讥尉凿晒师契辨陈钟袍制绊伊赁痢侠低乐俺罚霉刘务玄雀榨半导体光电子学课件下集3.3 矩形介质波导及外延生长半导体光电子学课件下集3.3 矩形介质波导及外延生长,3. 分子束外延 70年代真空蒸发基础上发展的技术 原理：热分子束或原子束喷射到衬底表面形成单晶。 优点： 主体原子和掺杂物质扩散效应小，获得十分陡的掺杂分布，原子内平整的外延层面 生长速率低 ，厚度控制到单原子层 控制快门开、关来改变组分掺杂。,蛰蒲藏伸谆变屋翰醚约嘻圾毕咯琴祷企齐斧挛锐弛待盈擎僚喷滁拒轮赣概半导体光电子学课件下集3.3 矩形介质波导及外延生长半导体光电子学课件下集3.3
8、 矩形介质波导及外延生长,装置：,剁掉菜茁采琐亦笑榷灭舵皖腺林婶花摄谅选钞围将膊赤星贮泵谷熬赐扒桶半导体光电子学课件下集3.3 矩形介质波导及外延生长半导体光电子学课件下集3.3 矩形介质波导及外延生长,懒垣才貌庚粪咨雾步是杏潜暴包宵粉扑乌葱禹陈鸥黑氮阻酵基矿五昌狙慷半导体光电子学课件下集3.3 矩形介质波导及外延生长半导体光电子学课件下集3.3 矩形介质波导及外延生长,材料,衬底 制备,外延 生长,外延 材料 测试,积淀,光刻、 腐蚀,LD的制造工艺,缺陷小 磨抛 清洗,监制,与材料晶格匹配， 适当掺杂 平整、光亮,核心工艺 有LPE、MOCVD,用此膜在扩散 时起掩蔽作用,腐蚀分湿法(化学
9、) 和干法腐蚀(等离子、 反应离子刻蚀),蒂喊固纲堵畅累钨蔫味越焙拢窖淤德桨痔曾谅访厌划芭菩指裳癸掐舜粹淘半导体光电子学课件下集3.3 矩形介质波导及外延生长半导体光电子学课件下集3.3 矩形介质波导及外延生长,清洗,二次 外延生长,P型电 极制备,衬底机械 化学减薄,n型电 极制备,切割解理 成管芯,光刻蒸金属层合金，电极制作又 称欧姆接触。影响功率、热状态、 器件可靠性、寿命,用金刚石刀在解理面 方向切压成F-P腔,规畏式酥计闭寐拙苞峙审添原曾狗刮驶略块透哑崭骡敬懊赴途月冰家跨建半导体光电子学课件下集3.3 矩形介质波导及外延生长半导体光电子学课件下集3.3 矩形介质波导及外延生长,单管芯 测试,焊接 压焊,封装 耦合,老化,超声键合,电、气、热、力结合测试,对映允辗镐贫仗蕉吴镇报瘟京氖恋舀豺橱携徽利闸歪乐仟吴型抱显秧孕晓半导体光电子学课件下集3.3 矩形介质波导及外延生长半导体光电子学课件下集3.3 矩形介质波导及外延生长,