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1、双极型半导体三极管的特性曲线 这里，B表示输入电极，C表示输出电极 ，E表示公共电极。所以这两条曲线是共发射 极接法的特性曲线。 iB是输入电流，vBE是输入电压，加在B、E 两电极之间。 iC是输出电流，vCE是输出电压，从C、E 两电极取出。 输入特性曲线 iB=f(vBE) vCE=const 输出特性曲线 iC=f(vCE) iB=const 本节介绍共发射极接法三极管的特性曲线，即 芜 叼 敲 佩 糖 谊 努 烛 窘 损 外 昭 露 袖 钧 瘪 翰 掘 盆 捎 凤 兔 坝 铸 峭 梁 棉 搂 挖 棵 骑 剧 三 极 管 特 性 曲 线 参 数 及 场 效 应 管 三 极 管 特 性
2、曲 线 参 数 及 场 效 应 管 共发射极接法的供电电路和电压-电流 关系如图02.04所示。 图02.04 共发射极接法的电压-电流关系 俊 睦 潍 节 石 述 终 镍 喉 大 蔫 沮 袒 调 亢 至 漫 座 败 肝 碉 攘 滓 幢 词 寸 涛 港 甚 任 着 概 三 极 管 特 性 曲 线 参 数 及 场 效 应 管 三 极 管 特 性 曲 线 参 数 及 场 效 应 管 简单地看，输入特性曲线类似于发射 结的伏安特性曲线，现讨论iB和vBE之间的 函数关系。因为有集电结电压的影响，它 与一个单独的PN结的伏安特性曲线不同。 为了排除vCE的影响，在讨论输入特性曲线 时，应使vCE=co
3、nst(常数)。 (1) 输入特性曲线 vCE的影响，可以用三极管的内部反馈 作用解释，即vCE对iB的影响 。 肪 聋 菩 咱 禽 歪 耽 砂 幅 轩 兜 牲 蚊 江 板 面 榷 哆 串 荣 畔 掸 斡 密 核 激 腔 耕 送 赋 蛾 闰 三 极 管 特 性 曲 线 参 数 及 场 效 应 管 三 极 管 特 性 曲 线 参 数 及 场 效 应 管 共发射极接法的输入特性曲线见图02.05。其 中vCE=0V的那一条相当于发射结的正向特性曲线 。 当vCE1V时， vCB= vCE - vBE0，集电结已进入反 偏状态，开始收集电子，且基区复合减少， IC / IB 增大，特性曲线将向右稍微
4、移动一些。但vCE再增 加时，曲线右移很不明 显。曲线的右移是三极 管内部反馈所致，右移 不明显说明内部反馈很 小。输入特性曲线的分 区：死区 非线性区 图02.05 共射接法输入特性曲线 线性区 叠 谗 饮 菠 降 类 舱 付 愉 艺 捞 独 俺 踪 杖 凌 踊 砧 抡 辖 篮 堂 釉 蝇 狐 妓 豫 锣 焰 赃 灼 出 三 极 管 特 性 曲 线 参 数 及 场 效 应 管 三 极 管 特 性 曲 线 参 数 及 场 效 应 管 (2)输出特性曲线 共发射极接法的输出特性曲线如图02.06所示，它是以 iB为参变量的一族特性曲线。现以其中任何一条加以说明， 当vCE=0 V时，因集电极无收
5、集作用，iC=0。当vCE稍增大时 ， 发射结虽处于正向电压 之下，但集电结反偏电 压很小，如 vCE 1 V vBE=0.7 V vCB= vCE- vBE= 0，VGS=0， ID不等于零。 （2）VGS0时，ID 。 （3）VGS0时，ID 。 (2)N(2)N沟道耗尽型沟道耗尽型MOSFETMOSFET 图 N沟道耗尽型MOSFET的结构 惮 仍 秧 淫 脾 卧 薯 刹 具 昼 蔓 括 螺 张 珍 锦 陷 胸 闲 恫 称 顾 晕 家 购 漳 成 影 陀 吵 油 梆 三 极 管 特 性 曲 线 参 数 及 场 效 应 管 三 极 管 特 性 曲 线 参 数 及 场 效 应 管 (a) 结
6、构示意图 (b) 转移特性 曲线 图02.17 N沟道耗尽型MOSFET的结构 和转移特性曲线 (2)N沟道耗尽型MOSFET 窿 待 灰 垛 巴 字 韦 椽 激 鹅 赛 血 丹 旱 俗 丰 始 嘻 嗜 事 象 雇 推 悍 糙 夫 否 刑 盯 迅 胡 笆 三 极 管 特 性 曲 线 参 数 及 场 效 应 管 三 极 管 特 性 曲 线 参 数 及 场 效 应 管 (3)P沟道耗尽型MOSFET P沟道MOSFET的工作原理与N沟道 MOSFET完全相同，只不过导电的载流 子不同，供电电压极性不同而已。这如 同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。 唤 胀 喊 馏 快 版 吐 剧 危 定 烤
7、碾 陆 陷 瞧 愁 译 飞 陵 拄 督 媚 穴 晚 湿 路 嚣 秉 席 包 倦 箭 三 极 管 特 性 曲 线 参 数 及 场 效 应 管 三 极 管 特 性 曲 线 参 数 及 场 效 应 管 图02.18 各类场效应三极管的特性曲线 绝 缘 栅 场 效 应 管 N 沟 道 增 强 型 P 沟 道 增 强 型 伏安特性曲线 滩 御 儿 积 埠 渊 循 峙 讫 姿 震 摈 偷 杉 锡 拍 跋 瘦 鸽 摄 形 兑 丙 颠 粉 滥 蓄 豺 耳 幅 肌 辅 三 极 管 特 性 曲 线 参 数 及 场 效 应 管 三 极 管 特 性 曲 线 参 数 及 场 效 应 管 绝 缘 栅 场 效 应 管 N
8、沟 道 耗 尽 型 P 沟 道 耗 尽 型 鸵 陈 戮 逢 交 适 市 雨 锄 疮 钱 票 岭 酶 氢 快 憨 闲 娱 阁 鳞 毖 钝 份 睬 衣 应 馁 嘱 脏 轩 奋 三 极 管 特 性 曲 线 参 数 及 场 效 应 管 三 极 管 特 性 曲 线 参 数 及 场 效 应 管 结 型 场 效 应 管 N 沟 道 耗 尽 型 P 沟 道 耗 尽 型 域 蹲 团 跃 味 铁 触 绊 丘 繁 眩 源 遣 泣 乙 残 燎 杉 邻 葬 挠 揉 驹 悯 荧 颤 巍 向 助 籽 痒 露 三 极 管 特 性 曲 线 参 数 及 场 效 应 管 三 极 管 特 性 曲 线 参 数 及 场 效 应 管 2.
9、2.4 场效应三极管的参数和型号 (1) 场效应三极管的参数 开启电压VGS(th) (或VT) 开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于 开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。 夹断电压VGS(off) (或VP) 夹断电压是耗尽型FET的参数，当VGS=VGS(off) 时, 漏极电流为零。 饱和漏极电流IDSS 耗尽型场效应三极管, 当VGS=0时所对应的漏极电 流。 洞 拟 龄 君 障 式 炼 窑 宿 崇 篓 蜕 辱 较 赡 邑 衬 漠 膘 卤 桐 焙 轿 伶 躇 也 唁 熄 篓 尺 框 菊 三 极 管 特 性 曲 线 参 数 及 场 效 应 管 三 极 管 特 性 曲 线 参 数
10、 及 场 效 应 管 输入电阻RGS 场效应三极管的栅源输入电阻的典型值，对于 结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107，对于 绝缘栅型场效应三极管, RGS约是1091015。 低频跨导gm 低频跨导反映了栅压对漏极电流的控制作用， 这一点与电子管的控制作用相似。gm可以在转 移特 性曲线上求取，单位是mS(毫西门子)。 最大漏极功耗PDM 最大漏极功耗可由PDM= VDS ID决定，与双极型 三极管的PCM相当。 扫 攻 啼 棒 扶 奥 蓖 超 截 酷 倪 吐 侨 竖 添 象 拖 群 号 澳 整 傍 倘 薄 做 巾 罗 秉 津 陆 饱 访 三 极 管 特 性 曲 线 参 数 及 场 效 应 管 三 极 管 特 性 曲 线 参 数 及 场 效 应 管