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1、Comment u1: 文章标题为二号黑体 字，要求在 20 字以内，上下空半行 Comment w2: 作者为小四号仿宋字 Comment u3: 单位为六号宋体字， 与英文相对应，下空半行 Comment u4: 摘要，中图分类号为 小五号字。内容包括目的、过程及方 法、结果，字数在 100300 字以内 Comment u5: 关键词须 5-8 个以上， 小五号 Comment u6: 英文标题为四号英文 黑体字，上空半行 Comment u7: 英文作者为五号英文 黑体字，下空半行 Comment u8: 英文单位应与中文对 应，且是本单位对外标准单位， 六 号英文字 Comment
2、u9: 英文摘要、关键词内 容应全部与中文一一对应， 小五号 Comment 猪猪猪.CN10: 引言简要叙 述，不得有图表和公式 Comment u11: 文章正文为五号宋体 字 Comment u12: 一级标题为小四号仿 宋字，上下空半行 Comment u13: 二级小标题为五号黑 体字 文章控制在文章控制在3 3个最多不超过个最多不超过4 4个页码（单倍行距，页边距各个页码（单倍行距，页边距各2cm2cm） PbPbx xSrSr1-x 1-xTiO TiO3 3陶瓷及薄膜的制备和陶瓷及薄膜的制备和性能研究性能研究 *,*， *， *， （电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验
3、室, 四川 成都 610054） 摘摘 要要： 研究了Pb含量 对PbxSr1-xTiO3(x=0.20.8)陶瓷微结构和介电性能的影响，当x0.45时晶体为立方 相，x0.45时为四方相；随着Pb含量增大，陶瓷气孔率下降，致密度增加，晶粒尺寸逐渐增大，居里峰近似线 性地向高温方向移动,并具有一致的居里外斯常数。采用射频磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)上制备了 Pb0.3Sr0.7TiO3(PST30)薄膜，经550 退火后为(111)择优取向的多晶薄膜，1 kHz下的可调率为21.8。 关键词关键词： PbxSr1-xTiO3陶瓷；射频磁控溅射；Pb0.3Sr0.7TiO3(
4、PST30)薄膜；微结构；介电性能 中图分类号：中图分类号：TN384 文献标识码：文献标识码：A Preparation and Properties of PbxSr1-xTiO3 Ceramics and Thin Films PEI Ya-fang, YANG Chuan-ren, CHEN Hong-wei, ZHANG Ji-hua, LENG wen-jian (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Tec
5、hnology of China, Chengdu 610054, China) Abstract: PbxSr1-xTiO3 (x=0.20.8) ceramics were prepared by conventional powder-processing method. The effect of the Pb content on the microstructure and dielectric properties were studied. X-Ray diffraction studies show that the lattice structure changes fro
6、m cubic to tetragonal phase at 45 % Pb content. Scanning Electron Microcopy studies indicate that the higher Pb content is, the greater grain size and the higher density is.r-T curve exhibits that Curie-Temperature linearly increases with the increase of Pb content and the compositions ( x=0.200.55
7、) show the similar Curie-Wiess constant. Pb0.3Sr0.7TiO3thin film are prepared by RF magnetron sputtering on Pt/Ti/SiO2/Si(100) substrate and annealed at 550 . Meanwhile, the films exhibit (111) orientation and the tunability is measured to be 21.8% at 1 kHz. Key words:PbxSr1-xTiO3ceramics; RF magnet
8、ron sputtering ;Pb0.3Sr0.7TiO3 thin film; microstructure; dielectric properties 引言 微波可调介电材料在微波可调元件上有着广 阔的应用前景，如移相器、谐振器、滤波器等1-2， 目前研究得最多的是BaxSr1-xTiO3 (BST)及其掺杂系 列。最近，Cross3等发现PbxSr1-xTiO3(PST)陶瓷可 调性高达70,介电损耗低于0.1,优值(FOM)高达 700，并且其薄膜具有比BST更低的晶化温度，是 一种非常实用的新型电场调节元件材料。目前PST 材料的研究尚处于起步阶段，只是对溶胶-凝胶 (Sol-G
9、el)法制备PST薄膜的研究相对较多，研究显 示可调率可高达80.14，损耗低至0.2 5，而对 PST系列陶瓷以及磁控溅射法制备PST薄膜的研究 较少6。本文一方面就PbxSr1-xTiO3(x=0.20.8)陶瓷 中Pb含量对其晶体结构、微观形貌和介电性能的 影响进行研究，另一方面就磁控溅射制备PST薄膜 及其相关性能作初步研究。 1 实验 1.1 PbxSr1-xTiO3(x=0.20.8)陶瓷的制备陶瓷的制备 采用传统的陶瓷制备工艺，以分析纯的 Pb3O4、SrCO3和 TiO2为原料并使 Pb 过量 10 x %， 根据所需的化学计量比制备 PbxSr1-xTiO3陶瓷 圆片，在 9
10、00 下预烧 2 h，1 300 下烧结 2 h。 省略。 。 。 。 。 2实验结果与讨论 2.12.1 PbPbx xSrSr1- 1-x xTiO TiO3 3 陶瓷陶瓷 2.1.1 Pb含量对晶体结构的影响。 图1为PbxSr1-xTiO3 陶瓷的XRD图谱。从图中可 看出，PST陶瓷均为钙钛矿结构没有出现礁绿石相。 图2为其晶格常数a、c以及a/c与组分x的关系图。 可见，随着Pb含量增加，a、c均逐渐增大，晶体 对称性降低，逐渐由立方相向四方相转变，即当 x0.45时，c/a1 ，晶体为立方顺电相；x0.45 时，c/a 省略省略 。 。 。 。 。 。 Comment u14:
11、图全部为黑白对比度 大的图形，存 JPG 或 TIF，可编辑， 图宽 5cm，图注全部译成中文，纵横 坐标物理量、单位等各项须齐全，不 得缺项；量为斜体，单位为正体。六 号宋体加粗 Comment u15: 参考文献应在文按顺 序全部标出，文章各项目必须齐全， 不得缺项，具体标准如本文后。五号 字 Comment w16: 中文期刊用双语，即 中英文对应。 图1 PbxSr1-xTiO3 陶瓷的XRD图谱 图 4 PbxSr1-xTiO3 陶瓷的介温特性曲线 图 5 为 TC、居里-外斯温度（T0）与组分 x 的 关系图，从图中可看出，TC都比 T0高，其差值在 4.6 11.4 范围内。 根
12、据居里-外斯定律，计算得到 相应的居里常数如表 1 所示。从表中可知其居里 常数基本一致，约为 0.63105 。 省略。 。 。 。 。 。 3 结束语 采用传统的陶瓷工艺制备了PbxSr1- xTiO3(x=0.20.8)陶瓷，研究了Pb含量 对其微结构 和介电性能的影响。当x0.45时为立方相， x0.45时为四方相；随着Pb含量的增加，陶瓷气 孔率下降，致密度增加，晶粒尺寸逐渐增大，并 且TC近似线性的向高温方向移动，不同组分的PST 的TC均比其T0高4.611.4 ，且具有一致的居里常 数。采用射频磁控溅射法制备了具有良好钙钛矿 结构的PST30薄膜，550 退火后为(111)择优
13、取向 生长，取向度为0.71。薄膜表面平整致密无孔洞， 晶粒大小均匀但细小，结晶不够完整。该薄膜具 有明显的介电系数非线性，可调率21.8。 参考文献参考文献： 1 胡士强，敬忠良.粒子滤波算法综述J.控制与决策， 2005,20（4）：361-366. HU ShiQiang, JING Zhongliang. Overview of Particle Filter AlgorithmJ. Control and Decision,2005,20(4)：361-366. 2 陆佩文无机材料科学基础M武汉：武汉大学出版 社，1996 3 王斐.声表面波无源电子标签研究以及射频识别阅读器 设计D
14、.天津：南开大学，2009. 4 VENDIK O G. Dielectric nonlinearity of the displacive ferroelectrics at UHFJ.Ferroelectrics, 1976, 12(1-4):85-90. 首页脚注包括：1. 基金项目（包括项目名称及编号） ； 2. 作者简介（姓名，出身年，性别，民族，籍贯，职称，学位，研究方向） 参考文献请参考 10 年内文献，最好在 5 年内，文中的各项目须齐全，具体要求： 参考文献采用顺序编码制，按文中出现的先后顺序编号（私人通信、报纸、待发表的文章一律不引用） 。 文献的著录格式请严格按照以下形式
15、书写（含标点符号）： 1） 专著：作者.书名M.版本.（第一版不著录）.出版地：出版者，出版年：起止页码. 2） 译著：作者.书名.译者.出版地：出版者，出版年：起止页码. 3） 期刊（中文期刊请用双语，即每条中英文对应）：作者.题名J.刊名，出版年，卷（期）： 起止页码. 4） 论文集：作者.题名.见（In）：编者.论文集名C/.出版地：出版者，出版年：起止页码. 5） 学位论文：作者.题名D.保存地：保存者，年份. 6） 专利文献：专利申请者.题名P.专利国别，专利文献种类，专利号.出版日期. 7) 标准:标准号,标准名称S. 8） 电子文献:作者.电子文献题名.电子文献的出处或可获得地址,发表或更新日期/引用日期. 10 参考文献注意事项： 1） 外文著者一律用姓前名后，姓全为大写字母，名首字母用大写或缩写用首字母（中国人用全名 不缩写） 。姓名之间不加逗号。文献作者 3 名以内全部列出，4 名以上列 3 人，后加“et al”. 各著者间 不加“and” 、 “和”等，应用逗号分开。 2） 外文题名第一个单词首字母大写，其余单词（专有名词除外）均大写。 3） 外言文刊名应按国际标准规定缩写，不加缩写点。