电工电子技术下册课程期末复习课稿课件.ppt

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1、第一部份 课程考核说明,1考核目的,考核学生对电工技术的基本理论、基本计算方法的理解和实际的计算分析能力。,2考核方式：闭卷,考题类型及比重,考题类型及分数比重大致为：选择题、填空题(20-30%)；计算题（50-60%），设计题（10）。,电工电子技术下册课程期末复习课稿,第二部份 期末复习重点范围,第一章： 电路的基本概念和基本定律,一、重点名词：电流、电压、功率、能量、电阻、电容 电感元件。,二、重点掌握/熟练掌握,1掌握电流与电压的参考方向,3掌握电源、负载及其判别。,2. 各元件的伏安特性,电工电子技术下册课程期末复习课稿,4牢固掌握基尔霍夫定律。,5电位及计算,例题： 例1.4.1

2、、1.5.1、1.5.2、1.6.1、1.6.2、1.7.1,习题： 1.5.1、1.5.2、1.5.10、1.5.11、1.7.1、1.7.3、1.7.4,电工电子技术下册课程期末复习课稿,第二章： 电路的分析方法,一、重点名词：等效变换、支路电流法、节点电位法、迭加定理、戴维南定理与诺顿定理,二、重点掌握/熟练掌握,1 电压源与电流源及其等效变换,3节点电位法(n=3),2. 支路电流法（b=4）,电工电子技术下册课程期末复习课稿,4迭加定理,三、一般掌握 1掌握受控源的特点，会计算含受控源的电路。,5戴维南定理与诺顿定理及其关系,例题： 例2.3.1、2.3.2、2.3.4、2.4.1、

3、2.4.2（电桥）、2.4.3、2.5.1、2.5.2、2.5.3、2.6.1、2.6.2、2.6.3、2.7.1、2.7.2、2.7.3、2.7.4、2.8.3,电工电子技术下册课程期末复习课稿,习题： 2.1.3、2.3.2、2.3.3、2.3.4、2.3.5、2.4.2、2.5.1、2.6.1、2.6.2、2.7.4、2.7.6、2.7.5、2.7.8、2.7.11,电工电子技术下册课程期末复习课稿,第三章： 电路的暂态方法,一、重点名词：简单电路换路概念 、换路定律、零状态、零输入、零输入响应、零状态响应、全响应,二、重点掌握/熟练掌握,1 R、L、C元件，电流与电压关系，能量的计算。

4、,4用三要素法求解RC和RL电路的过渡过程,3.掌握列写简单电路过渡过程的微分方程式。,2. 换路定理及初始值的确定,电工电子技术下册课程期末复习课稿,三、一般掌握 1一般掌握其求解过程,例题： 例3.2.1、3.3.1、3.3.2、3.3.3、3.4.2、 3.4.3 、3.6.1,电工电子技术下册课程期末复习课稿,习题： 3.2.2、3.3.2、3.3.3、3.4.3、3.6.3、3.6.4,电工电子技术下册课程期末复习课稿,第四章：正弦交流电路,一、重点名词：正弦交流电路 、辐值、频率、相位 、相位差、相量、有功功率、无功功率、视在功率、阻抗、电抗、谐振、品质因数、功率因数,二、重点掌握

5、/熟练掌握,1正弦量的三要素：频率、幅值和初相位,3. R、L、C单一参数的正弦交流电路,2.正弦量的相量表示方法及相互转化,电工电子技术下册课程期末复习课稿,7谐振电路,6.复杂正弦交流电路分析,5. 阻抗的串联和并联,4 R-L-C 串联交流电路,8. 功率因数的提高,电工电子技术下册课程期末复习课稿,三、一般掌握 1频率特性 、非正弦,例题： 例4.1.3、4.2.1、4.3.3、4.4.1、4.4.2、4.4.3、4.5.2、4.6.1、4.7.1、4.7.2、4.7.3、4.7.4、4.8.1,习题： 4.2.1、4.3.2、4.4.3、4.5.1、4.5.2、4.5.4、4.5.6

6、、4.5.7、4.5.12、4.6.1、4.7.6、4.8.3、,电工电子技术下册课程期末复习课稿,第五章：三相交流电路,一、重点名词：相电压、线电压、三相电路、Y接、接电路、相电流、线电流、对称,二、重点掌握/熟练掌握,1三相交流电源，相电压、线电压关系,3. 三相负载接的计算,2. 三相负载Y接的计算,4.三相电路的功率,电工电子技术下册课程期末复习课稿,例题： 例5.2.1、5.2.2、5.4.1、,习题： 5.2.1、5.2.2、5.2.4、5.4.2、5.3.1、5.4.3,电工电子技术下册课程期末复习课稿,第六章：磁路与铁心线圈电路,一、重点名词：磁路中B、H几个物理量、变压比、变

7、流比,二、重点掌握/熟练掌握,1交流铁心线圈电路,2. 变压器,电工电子技术下册课程期末复习课稿,例题： 例6.2.1、6.2.2、6.3.1、6.3.2、6.3.3,习题： 6.2.1、6.2.3、6.3.3,掌握变压器额定数据及计算。掌握变压器的几个公式：,电工电子技术下册课程期末复习课稿,第七章：交流电动机,一、重点名词：旋转磁场的极对数P、旋转磁场的转速、转差率、转矩、起动,二、重点掌握/熟练掌握,1转动原理,2. 电磁转矩计算,3.转差率,4.起动方法,电工电子技术下册课程期末复习课稿,例题： 例7.2.1、7.5.1、7.5.2、7.6.3,习题： 7.3.1、7.4.1、7.4.

8、4、7.4.6,电工电子技术下册课程期末复习课稿,第十章：继电接触控制系统,一、重点名词：短路保护、失压、欠压保护、过载保护、联锁（互锁）,二、重点掌握/熟练掌握,1常用控制电器：按钮、组合开关、接触器、热继电器、熔断器图形、文字符号及工作原理,2.鼠笼式电动机直接起动的控制线路：点动、长期工作、顺序控制、正反转的控制,电工电子技术下册课程期末复习课稿,习题： 10.2.2、10.2.1、10.2.4,电工电子技术下册课程期末复习课稿,第十一章：可编程控制器(PLC),一、重点掌握/熟练掌握,1可编程控制器的结构和工作方式,2.可编程控制器的工作方式 ： “顺序扫描、不断循环”,3. 可编程控

9、制器的程序编制,电工电子技术下册课程期末复习课稿,习题： 10.2.2、10.2.1、10.2.4,电工电子技术下册课程期末复习课稿,2、P型半导体,晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，硼原子的最外层有三个价电子，与相临的半导体原子形成共价键时，产生一个空穴。这个空穴可能吸引束缚电子来填补。 硼原子成为不能移动的带负电的离子。,方法：在硅或锗晶体中掺入少量的三价 元素，如硼（或铟）。,多子：空穴，少子：电子。导电性能强。,电工电子技术下册课程期末复习课稿,空穴,P型半导体,硼原子,电工电子技术下册课程期末复习课稿,杂质半导体的示意表示法,电工电子技术下册课程期末复习课稿,14.2 PN结及其

10、单向导电性,1. PN 结的形成,电工电子技术下册课程期末复习课稿,P型半导体,N型半导体,空间电荷区,PN结处载流子的运动,电工电子技术下册课程期末复习课稿,电工电子技术下册课程期末复习课稿,2 PN结的单向导电性,1)、加正向电压，简称正偏（ P区“+”， N区“-”） 结论：PN结导通，呈低阻性，所以电流大。,PN结具有的单向导电性。,电工电子技术下册课程期末复习课稿,PN结加正向电压时的导电情况,外加的正向电压有一部分降落在PN结区，方向与PN结内电场方向相反，削弱了内电场。于是,内电场对多子扩散运动的阻碍减弱，扩散电流加大。扩散电流远大于漂移电流，可忽略漂移电流的影响，形成较大的扩散

11、电流，PN结呈现低阻性。,PN结加正向电压时的导电情况如图所示。,电工电子技术下册课程期末复习课稿,2)、加反向电压，简称反偏（ P区“-”， N区“+”） 结论：PN结截止，呈高阻性，所以电流小。,电工电子技术下册课程期末复习课稿,PN结加反向电压时的导电情况,外加的反向电压有一部分降落在PN结区，方向与PN结内电场方向相同，加强了内电场。内电场对多子扩散运动的阻碍增强， 扩散电流大大减小。此时 PN结区的少子在内电场的 作用下形成的漂移电流大 于扩散电流，可忽略扩散 电流，形成较小的漂移电 流，PN结呈现高阻性。,在一定的温度条件下， 由本征激发决定的少子浓 度是一定的，故少子形成 的漂移

12、电流是恒定的，基 本上与所加反向电压的大 小无关，这个电流也称为 反向饱和电流。,PN结加反向电压时的导电情况如图所示。,电工电子技术下册课程期末复习课稿,1、结构：PN结+引线+外壳,14.3 半导体二极管,15.3.1 基本结构,电工电子技术下册课程期末复习课稿,基本结构,二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。它们的结构示意图如图01.11所示。,(1) 点接触型二极管,PN结面积小，结电容小， 用于检波和变频等高频电路。,电工电子技术下册课程期末复习课稿,(3) 平面型二极管,往往用于集成电路制造工 艺中。PN 结面积可大可小，用 于高频整流和开关电路中。,(2) 面接触型二

13、极管,PN结面积大，用 于工频大电流整流电路。,(b)面接触型,电工电子技术下册课程期末复习课稿,2、符号,3、型号 见附录A，2AP、2CZ11D,阳极 +,阴极 -,电工电子技术下册课程期末复习课稿,14.3.2 伏安特性,死区电压 硅管0.5V,锗管0.1V。,导通压降: 硅管0.60.7V,锗管0.20.3V。,反向击穿电压U(BR),死区 电压,正向,反向,电工电子技术下册课程期末复习课稿,15.3.2 伏安特性,当外加电压大于死区电压内电场被大大减削弱,电流增加很快。,电工电子技术下册课程期末复习课稿,14.3.2 伏安特性,由于少子的漂移运动形成很小的反向流,且U U(BR)在内

14、,其大小基恒定,称反响饱和电流,其随温度变化很大。,电工电子技术下册课程期末复习课稿,14.3.3 主要参数,1、最大整流电流 IOM,二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。,2、反向击穿电压URWM,二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压URWM一般是UBR的一半。,电工电子技术下册课程期末复习课稿,3、反向电流 IRM,指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要大几

15、十到几百倍。,以上均是二极管的直流参数，二极管的应用主要利用它的单向导电性，包括整流、限幅、保护等。,电工电子技术下册课程期末复习课稿,例：二极管的应用：,uo,+,+,-,应用(整流、检波),电工电子技术下册课程期末复习课稿,1.4 稳压二极管,一、作用 与电阻配合使用起稳压作用。 二、符号,电工电子技术下册课程期末复习课稿,稳压管是特殊的面接触型半导体硅二极管,其反向击穿是可逆的,且反向电压较稳定.,稳压管,三、伏安特性曲线与工作区,U,UZ,IZ,稳压误差,曲线越陡，电压越稳定。,电工电子技术下册课程期末复习课稿,1、正向（与普通二极管一样） 2、反向 1）工作区 IZMinIIZMax

16、 2）电击穿 3）曲线陡，IZ变化大而UZ变化小,电工电子技术下册课程期末复习课稿,二稳压过程：,RL,UO,IZ,UR,UO,电工电子技术下册课程期末复习课稿,稳压二极管的参数,（1）稳定电压 UZ(范围、温度、分散性),（3）动态电阻,（4）稳定电流IZ,（5）最大允许功耗,电工电子技术下册课程期末复习课稿,14.5 半导体三极管（晶体管）,14.5.1 基本结构,基极,发射极,集电极,NPN型,PNP型,1、类型 NPN 、PNP,电工电子技术下册课程期末复习课稿,基区：较薄，掺杂浓度低,集电区：面积较大,发射区：掺 杂浓度较高,1）三个区,特点：,E区：掺杂浓度最高 B区：掺杂浓度最低

17、，较薄 C区：掺杂浓度较大，C结面积较大,电工电子技术下册课程期末复习课稿,发射结,集电结,2)三个极(E、B、C),3）两个结,E结 C结 面大,电工电子技术下册课程期末复习课稿,4）符号,电工电子技术下册课程期末复习课稿,IC,1、实验分析,14.5.2 电流分配和放大原理,电工电子技术下册课程期末复习课稿,IC,IB,IE,实验数据,电工电子技术下册课程期末复习课稿,(1) IE = IB+IC,(2) IC (或IE )IB,这就是晶体管的 电流放大作用,四个结论：,(3)当IB=0时, IC =ICEO0.001mA=1uA,(4)要是晶体管起放大作用,其外部必要条件: 发射结正偏,

18、集电结反偏.,电工电子技术下册课程期末复习课稿,EB,RB,Ec,发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。,进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE ，多数扩散到集电结。,2、微观（内部载流子运动规律）,电工电子技术下册课程期末复习课稿,EB,RB,Ec,集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。,从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。,IC=ICE+ICBOICE,电工电子技术下册课程期末复习课稿,IB=IBE-ICBOIBE,IB,（动画3）,EB,RB,Ec,IC=ICE+ICBOICE,电工电子技术下册课程期末复习课稿,晶

19、体管内部载流子运动规律,电工电子技术下册课程期末复习课稿,ICE与IBE之比称为电流放大倍数,要使三极管能放大电流，必须使发射结正偏，集电结反偏。,电工电子技术下册课程期末复习课稿,NPN型三极管,PNP型三极管,电工电子技术下册课程期末复习课稿,IC,测量电路,14.5.3 特性曲线,电工电子技术下册课程期末复习课稿,1、输入特性,死区电压，硅管0.5V，锗管0.1V。,工作压降： 硅管UBE0.60.7V,锗管UBE0.20.3V。,电工电子技术下册课程期末复习课稿,2、输出特性,IC(mA ),此区域满足IC=IB称为线性区（放大区）。,当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=

20、IB。,电工电子技术下册课程期末复习课稿,此区域中UCEUBE,集电结正偏，IBIC，UCE0.3V称为饱和区。,电工电子技术下册课程期末复习课稿,此区域中 : IB=0,IC=ICEO,UBE 死区电压，称为截止区。,电工电子技术下册课程期末复习课稿,输出特性,1) “恒流”特性（UCE1V）,2) D电流放大作用（ICIB）,电工电子技术下册课程期末复习课稿,输出特性,3)三个工作区,b)饱和区,a)截止区（ IB=0, UBE 死区 电压, UBE =0）,特点：E结反偏，C结反偏。,判别： UBE 0、UCE UCC或IB=0,特点：E结正偏，C结正偏。 IC IB,判别： IB UC

21、C / RC，UCE0V。,电工电子技术下册课程期末复习课稿,c)放大区,特点：E结正偏，C结反偏。 IC = IB,判别： 0IB UCC / RC,电工电子技术下册课程期末复习课稿,14.5.4 主要参数,前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。,共射直流电流放大倍数：,电工电子技术下册课程期末复习课稿,工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为IB，相应的集电极电流变化为IC，则交流电流放大倍数为：,电工电子技术下册课程期末复习课稿,例：UCE=6V时：IB=40A, IC=1.5mA； IB=60 A, I

22、C=2.3mA。,在以后的计算中，一般作近似处理：=,电工电子技术下册课程期末复习课稿,2.集-基极反向截止电流ICBO,ICBO是集电结反偏由少子的漂移形成的反向电流，受温度的变化影响。,电工电子技术下册课程期末复习课稿,3.集-射极反向截止电流ICEO,电工电子技术下册课程期末复习课稿,Ec,集电结反偏有ICBO,根据放大关系，由于ICBO的存在，必有电流 ICBO。, ICBO,B,E,C,N,N,P,电工电子技术下册课程期末复习课稿,4.集电极最大电流ICM,集电极电流IC上升会导致三极管的值的下降，当值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。,所以集电极电流应为：IC= IB

23、+ICEO,而ICEO受温度影响很大，当温度上升时，ICEO增加很快，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。,电工电子技术下册课程期末复习课稿,5.集-射极反向击穿电压U(BR)CEO,当集-射极之间的电压UCE超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25C、基极开路时的击穿电压U(BR)CEO。,电工电子技术下册课程期末复习课稿,6.集电极最大允许功耗PCM,集电极电流IC流过三极管，所发出的焦耳热为：,PC=ICUCE,必定导致结温上升，所以PC有限制。,PCPCM,电工电子技术下册课程期末复习课稿,ICUCE=PCM,安全工作区,电工电子技术下册课程期末复习课稿,14.6 光电器件,1、符号,2、型号 2EF,14.6.1 发光二极管,阳极 +,阴极 -,电工电子技术下册课程期末复习课稿,1、符号,2、型号 2AU、2CU,14.6.2 光电二极管,阳极 +,阴极 -,3、伏安特性,电工电子技术下册课程期末复习课稿,1、符号,2、型号 3AU、3DU,14.6.2 光电晶体管,3、伏安特性,C,E,电工电子技术下册课程期末复习课稿,