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1、收稿日期： !# $ # $ %+44+,( =.*)? ，-17 AB;CD? ，EF ,GD?;H=?，8F E:9=;ID， 6317 A:9;?9?，,8317 JB;KGB，6317 A:;LG=?，MF 7B=;N=? （,*4+494) : ;5)/4,(+,);% ? ABC=% 工作波长： DB;， :!;， :B;$* 工作电压： !A!EB/ 传输距离： ;AB ? F* 工作温度： . G; ? DBH 连接器类型： 10， 1I 封装形式： % 以 上。但目前把这种为远程通讯设计的产品应用于局 域网过于昂贵， 因此在实际商业应用中， 常用 G 个 ABC=% 并行以达
2、到 :;C=% 的局域网带宽要求。 :OOO 年， PQR)$* 的泵浦光得到 了激射波长 :BGS$*， 工作带宽 DCTU， 输出功率为 *V 的室温连续激光器。即使在温度为 :;BH时， 输出功率也达到 :G;!V， 完全满足 BF* 光纤通信中 进行数据传输的要求。器件是采用粘合的办法， 把 K$8K$CAGC&;AZP% C$*， 而输出波长为 OD;$*。在输入光功 率为 :;$V 时， 光增益为 :D3L， 耗散功率为 :;! V。 器件结构如图 G （$*， 阈值电流和电压分别为 :*P 和:AB/。与 0P,C等 等 。 甚 至 /012( 与 C; 年第 ! 卷第 ! 期
3、! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! 王海嵩 等： 基于垂直腔面发射激光器的收发模块研究进展 块为最终目标了， 而是为 !#$% 芯片与超大规模集 成电路 （!%# 。这样的高温对 器件的模式有较大的影响， 可能使光束的发散角变 大， 有效功率降低。因此在收发模块中往往由专门 的控温电路来对 !#$% 的温度进行调整。那么在 !#$% 芯片与 ? 等人对 !#$% 分别与 ABC9 衬底
4、和 =# 集成电路倒装粘合后的热阻进行了测量。他 们主要是通过比较 !#$% 进行粘合前后激射波长 和耗散功率的改变来进行研究的， 结果表明： 对于 ABC9衬底， 如果粘合进行的好， 不会给热阻带来显 著的增加。而对于 =# 电路， 粘合面下面的 #?=4 使热阻成倍增加。增加的幅度与粘合技术、 粘合面 积和钝化层的厚度等有关， 而且通过有限元模拟， 得 出当器件出光窗口较小时， 也会对热阻产生较大影 响 37 。 工业上人们常常采用多 !#$% 器件并行来实 现收发模块 5ADE9 以上的高速传输， 因此对 !#$% 阵列与光纤的耦合技术提出了较高的要求。日本东 京工业大学的 /1;234
5、5， ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! 4884 （!）#$%）人们将探索出更好， 更实用的方法生产光 电集成的 #$% H51304/ I ， H160J I =K0/L M 35JN5613O65 9N3081PPQ NOJN5R != AA!J #$%E （;） ：!*AA U !*A= AH60BL41J9963LQ I ，#L069:BQ F= E 5L K C C ，$J
6、03L C $ = .435/613094 97 ,1IB :563081P M 81:03Q BO67185 5J03304/ P1B56 94 $0 2Q BO2B36135 65J9:1P C = INNP= SLQB= ） ：!EE U ! $= KQ260R 0435/613094 97 K-T_B 14R J0869P1B56B：#O66543M894369PP5R J0869P1B56 BJ163 N05PB C = INNP= SLQB= ， （E） ：!;F U !;= !F SO ，K1Q5B % = #$%， E：EFF U EF= ! $3945 C ，KOR/04/B
7、 C I = .4R5N54R543 NL1B5 14R J1/403OR5 894369P 97 14 9N3081PPQ 816605R J0869Y1:5 B0/41P Y03L 1 3L655M356J041P :563081PM81:03Q BO67185M5J03304/ P1B56 C = .% SL939408B T58L49P9/Q U EA= !; 李雪梅=红外及可见垂直腔面发射激光器的研制和特 性分析 ? =长春： 吉林大学， !*DGD= !0PJB54 #16P =TL56J1P 65B0B31485 97 #$% 卷第 ; 期 ! ! ! ! ! ! ! ! ! !
8、 ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! 王海嵩 等： 基于垂直腔面发射激光器的收发模块研究进展 基于垂直腔面发射激光器的收发模块研究进展基于垂直腔面发射激光器的收发模块研究进展 作者：王海嵩， 宋俊峰， 许呈栋， 侯小珂， 王剑钢， 常玉春， 王金忠， 杜国同 作者单位：吉林大学,电子科学与工程学院,集成光电子学国家重点实验室吉林大学实验区,吉林,长春 ,130023 刊名： 半导体光电 英文刊名：SEMICONDUCTOR
9、OPTOELECTRONICS 年，卷(期)：2002，23(3) 被引用次数：2次 参考文献(15条)参考文献(15条) 1.吴又生 WDM光传输系统2.5 Gb/s光发送模块研究 1998 2.黄章勇 光纤通信用光电子器件和组件 2001 3.Keating A.Karim A High-temperature optically pumped 1.55 m VCSEL opertating at 6 Gb/s 2000(02) 4.Qasaimeh O.Zhou W D Monolithically integrated low-power phototransceiver incorp
10、orating InGaAs/GaAs quantum-dot microcavity LED and modulated barrier photodiode 2000(23) 5.Krishnamoorthy A V.Chirovsky L M F Vertical-cavity surface-emitting lasers flip-chip bonded to gigabit-per-second CMOS circuits 1999(01) 6.Yeh H J J.Smith J S Integration of GaAs vertical-cavity surface emitt
11、ing laser on Si by substrate removal 1994(03) 7.Ohiso Y.Tateno K Flip-chip bonded 0.85m bottom-emitting vertical-cavity laser array on an AlGaAs substrate 1996(08) 8.Laren T S Mc.Kang S Y Thermosonic bonding of an optical transceiver based on an 88 vertical- cavity surface-emitting laser array 1997
12、9.Bryan R P.Fu W S Hybrid integration of HBTs and microlasers:Current-controlled microlaser smart pixels 1993(06) 10.Pu R.Hayes E M VCSELs bonded directly to foundry fabricated GaAs smart pixel arrays 1997(09) 11.Yang Y J.Dziura T G Monolithic integration of a vertical cavity surface emitting laser
13、and a metal semiconductor field-effect transistor 1993 12.Stone R J.Hudgings J A Independent phase and magnitude control of an optically carried microwave signal with a three-terminal vertical-cavity surface-emitting laser 1999(04) 13.李雪梅 红外及可见垂直腔面发射激光器的研制和特性分析学位论文 1998 14.Pu Rui.Wilmsen Carl W Ther
14、mal resistance of VCSELs bonded to integrated circuits 1999(12) 15.中国光纤在线网 2001 相似文献(2条)相似文献(2条) 1.期刊论文 叶险峰.汤伟中.YE Xian-feng.TANG Wei-zhong 近红外激光二极管在气体传感中的应用 -半导体光电 2000,21(2) 综述了近红外激光二极管在气体传感中的应用,讨论了用于这一技术的器件和实验技术.文中讨论了用分布反馈(DFB)激光二极管、垂直腔面发射激光器 (VCSEL)以及其他单频器件作为光源的激光气体传感实验方法和相关结果.新型单频器件发展表明近红外激光二极管
15、气体传感具有广阔前景. 2.期刊论文 曾乐勇 光纤布拉格光栅半导体激光器的稳定性 -光机电信息2009,26(5) 介绍了由光纤布拉格光栅(FBGs)组成的光纤激光干涉仪中半导体激光二极管波长稳定和调谐改进的方法,发展了基于分层介质(LDM)和传榆矩阵结合法 进行高精度计算任意光纤光栅(切趾、啁啾等)的模拟方法.在模拟和商业可得到的光纤光栅测量基础上,设计了1种特殊的100 mm长切趾型光纤布拉格光栅 .我们期望FBG在改进76 nm波长半导体激光器的线宽和无跳模调谐范围的应用中能提高基于这些二极管的光纤激光干涉计的分辨率.建立了基于垂直腔面发 射激光器(VCSEL)的绝对光纤激光干涉仪,使用FBG进行稳定波长和控制调谐范围,并对其装置进行了介绍. 引证文献(2条)引证文献(2条) 1.吴君豪 一种基于软光刻的光互联耦合结构学位论文硕士 2006 2.龚璐 光收发模块数字诊断功能的研究学位论文硕士 2005 本文链接： 授权使用：西北农林科技大学图书馆(wflsxbt)，授权号：7800945a-9fc1-4091-a8f6-9e5200b1b05b 下载时间：2010年12月20日