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1、PLI分选参数解释,1,PL-分选参数解释,图1,2,PL-分选参数解释,Recipe 中的阈值设置（图2）,BadFingerLimit: 电池片用，找断栅时设置的阈值； ChamferLimit_us: 单晶片用，DarkEdgeAreaMax_Percent/DarkEdgeLimit_us: 多晶片用，详见图3 DarkLimit: 多晶片用，单位us，与DarkAreaPercent相关 DefectAreaLimit：多晶片用，单位us，与DefectAreaPercent/GrainDefectAreaPercent相关，详见图5 DefectIntensityThreshold
2、和DefectThreshold通常都设置为-1和1MaximumEfficiency: 手动设置的最大可能的电池效率值 SeparateGrainDefects：打勾时会区分DefectAreaPercent和GrainDefectAreaPercent，不打勾时就没有GrainDefectAreaPercent，所有都是DefectAreaPercent,3,PL-分选参数解释,EdgeDefect详解（图3）,红框：1/4硅片区域,蓝色阴影区域为低少子寿命区域，其少子寿命AverageLifetime-DarkEdgeAreaLimit 图中该区域占红框面积的40%，大于DarkEdge
3、AreaMax_Percent%设定的25%，所以要被算成EdgeDefect 而界面上的DarkEdgeAreaPercent就应该是40%25%=10%,4,PL-分选参数解释,DefectAverage详解（图4）,图中有4对作为例子的相邻的像素点（图片是10241024像素的） DefectAverage指的是硅片中所有相邻的像素点对的差异之和，比如图中就是1+0.6+0.3+0.8。这个值在一定程度上可以表征整片硅片的缺陷程度,5,PL-分选参数解释,DefectArea详解（图5）,图中有4对作为例子的相邻的像素点（图片是10241024像素的） 参考DefectAreaLimit
4、这个阈值，在Recipe中DefectAreaLimit=0.5us 比如图中的四组点对，少子寿命差值分别是1，0.6，0.3，0.8。有3组的差值是超过DefectAreaLimit的0.5的 所以这3组点对中，较深的那个点会被标记为Defect点（图1中紫红或者绿色） 而DefectAreaPercent就是这些Defect点数/硅片区域的总像素点数。单位%DefectAreaPercent是目前我们认为的位错缺陷，是最影响电池效率的硅片缺陷。,6,PL-分选参数解释,多晶主要参数: DefectArea/DarkEdgeArea/GrainDefectArea/ AverageLifet
5、ime/Efficiency/ 单晶主要参数: ChamferMean/Ringlikelihood/AverageLifetime,7,PL-分选参数解释,AverageLifetime: 硅片整面的平均少子寿命，单位us SigmaLifetime：硅片整面的少子寿命Standard Deviation，单位us 多晶专用参数 Efficiency: 预测的电池效率。在调用了总部提供的加密了的Classifier的情况下，此值的值更具有参考性，如果没有选用相关的Classifier，此值的计算=MaximumEfficiencyRelativeEfficiency%，采用的是内建的算法，针
6、对性会差一些 Conversion Factor: 不清楚功能和算法，总部说在计算Efficiency的时候也没有用到该值 DarkAreaPercent: 整片硅片区域中，少子寿命低于（DarkLimit）us的区域的面积之和（%）。 DarkEdgeAreaPercent 和 EdgeDefect&CornerDefect: 首先在靠近硅片每条边的硅片1/4区域中寻找少子寿命小于（AverageLifetime-DarkEdgeLimit）us的区域。加入该1/4区域中少子寿命小于（AverageLifetime-DarkEdgeLimit）us的区域超过了DarkEdgeAreaMax_
7、Percent%，则把这些区域标记出来，计算这些区域占总硅片面积的百分比，就是DarkEdgeAreaPercent%，同时EdgeDefect被置为1，当有两个或以上这种1/4区域被判断为EdgeDefect时，CornerDefect被置为1. （见图3）,各参数详解,8,PL-分选参数解释,DefectAverage: 表征硅片缺陷程度的一个量，详见图4 DefectAreaPercent: （图1中紫红色区域）表征硅片缺陷数目的一个量，限定它的阈值是DefectAreaLimit，详见图5 GrainDefectAreaPercent: （图1中绿色区域）计算方法同DefectArea
8、Percent，也是受限于DefectAreaLimit，但在图像中，聚集得较为密集的被判定为DefectAreaPercent，较为疏散的是GrainDefectAreaPercent。 单晶专用参数 ChamferMean:单晶通常都有圆弧形的倒角，此值为4个倒角区域的平均少子寿命值，单位us RingLikelihood: 单晶中环状（&圆形）缺陷的严重程度，用来表征黑心片的一个值，越大越严重，无单位。但是之前我们已经用实验证明了，如果硅片不经过850摄氏度高温退火，那么测得的黑环、黑心都是毫无意义的，而客户处基本上不会去做这样的操作，所以这个值现在也没啥实际的应用了。,各参数详解,9,PL-分选参数解释,电池片专用参数 BadFingerCount：电池片断栅数 现在已经基本不使用的参数 BrokenWafer：0或者1，表示False或者True LargestBrokenAreaPercent: 图像分析后得到的硅片缺失的面积%。当达到一定阈值是，BrokenWafer会被置于1.,各参数详解,10,PL-分选参数解释,