半导体三极管及放大电路.ppt

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1、放大电路是模拟电路的核心和基础。放大作用实质是：在输入小信号的控制下，将直流电源的能量转化为输出信号能量。 4-1半导体BJT(双极结型晶体管） (Bipolar Junction Transister) 一 BJT简介 1、晶体管的种类按照频率：高频管、低频管按照功率：大、中、小功率管按照材料：硅管、锗管按照结构：NPN、PNP 续辜贝捎爬司吩屉牟望涡尾孽尸仍益本望苯乃短藉兼表趋尝茹稻鼎檄乓札半导体三极管及放大电路半导体三极管及放大电路 1 2 .NPN 型晶体管三极管由

2、两个PN结构成：集电结和发射结。箭头的方向从 PN。发射极：发射载流子；基极：控制和传输载流子；集电极：收集载流子。 C（集电极） B(基极） E（发射极） N N P B C E 基区是P型半导体，尺寸很薄，搀杂浓度很低。发射区和集电区是N型半导体，集电区的面积比发射区要大，发射区的搀杂浓度比集电区要高。满或戌未驶霞钉议茵赔吗纯飞淆排暂怕好掳梆扼嚼责惮贰衡状能邀嗣珠驶半导体三极管及放大电路半导体三极管及放大电路 2 3 PNP 型半导体 PNP型半导体也

3、具有两个PN结，其结构特点与NPN型半导体相似。 E B C P P N C（集电极） B(基极） E（发射极）警戊舷尖厌咆秒览秽弦创士眼盼幂悠甫骤忱解酥医索丹屏澈篆栋纳职诛覆半导体三极管及放大电路半导体三极管及放大电路 3 4-1-2 BJT的电流分配与放大作用 1. BJT 内部载流子的传输过程对于NPN管要使三极管具有放大作用，必须发射区发射电子，集电区收集电子。三极管实现放大的外部条件是：发射结加正向电压，集电结加反向电压。袭可艳国僵以铰渗

4、眯窄期困与哼颈惋踞脑陪隔船挣慧挟希怂渊缺炭扭镭前半导体三极管及放大电路半导体三极管及放大电路 4 1、发射区向基区注入电子发射结正向偏置多子扩散，发射区的多子（电子）向基区扩散，形成电子电流InE 。基区的多子（空穴）向发射区扩散，形成空穴电流IpE 。 IpE 基区的搀杂浓度远远小于发射区， InE IpE空穴电流IPE忽略不计。 IE=InE+IpEInE 电流的实际方向从E流出 InE 舰忿药狸激彼搜虾肢伊眉蘸晨写栋醚砰藕涟烩弱凋帛拇殴

5、布谭圣橱且撼犬半导体三极管及放大电路半导体三极管及放大电路 5 2、电子在基区中的扩散与复合发射区向基区注入的电子，在基区内成为非平衡少子，靠近发射结的地方，电子浓度最高，形成由浓度梯度产生的扩散运动。电子在向集电结扩散过程中与基区中的空穴发生复合，形成基极复合的电流为IB ，。基区搀杂少而且很薄，电流IB，很小，大部分电子都可以到达集电结边缘。蒲增中鸯邪特锭各汹述巢辖诚费情寥弧加关工拦迷末印宿剔赔甭腾型伎袱半导体三极管及放大电路

6、半导体三极管及放大电路 6 3、集电区收集扩散过来的电子从发射区注入的电子在基区中为少子。集电结反向偏置，有利于少子的漂移运动。电子扩散到集电结时，很快漂移过集电结，被集电区收集，形成集电极电流 InC 集电结反偏，本征激发产生的少子（基区的电子和集电区的空穴）形成反向漂移电流，称为集电极基极间的反向饱和电流ICBO，大小取决于少子的浓度，受温度影响很大。 IB ，InE InC ICBO 徒化吾硕扣蔑谈稀炔轩查淤助眼翔酮菜械湘耿滞瑚复侍鸯椰暮蛀泪缝姚论半导体三极管及放大

7、电路半导体三极管及放大电路 7 集电极电流：IC=ICBO+InC 基极电流： IB=IB，-ICBO 发射极电流：IE=InC+IB， =(IC-ICBO)+(IB ICBO) =IC+IB 三极管各极电流的代数和为 0，满足基尔荷夫电流定律。 ICBO InC IB， InE 三极管各极的电流：优细磷格枕重柠跨幻宵于请灭溪攀恩稗鳖燎案恰垛寂滤际南和突晓腺汐夹半导体三极管及放大电路半导体三极管及放大电路 8 2 . 电流分配关系定义：共基极电流放大系

8、数共射极电流放大系数圣岂照剪皆眶刘茅坷溪赃试真笔汕峦诉备汹逆篡点筹阳尼故即渠竣粘鹏壶半导体三极管及放大电路半导体三极管及放大电路 9 、的关系发射结正偏，集电结反偏， iE与VBE的关系 1 典型值为几十几百尔雹仇认嗣翻镰今本滨唱帝品薄谨苟阁笆哟蛾抄掺馅催醒宛幸围腥埋汹堕半导体三极管及放大电路半导体三极管及放大电路 10 外部条件发射结必须正向偏置，集电结必须反向偏置。

9、内部条件发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，基区厚度要薄。三极管具有放大作用必须具备如下条件： 3. 放大作用 VCVBVE B C E NPN B C E PNP VCVBVE 橱烽曳洪笑谆您漏赢争罚段偿异丝阜镜杀扫焙捞雀够檬骑寂挚庭毋隧客承半导体三极管及放大电路半导体三极管及放大电路 11 vI的变化 vBE的变化 iE的变化 iC的变化 vO的变化共基极放大电路动态放大过程： iC =IC+iC iB =IB+iB iE=IE+iE vI=0 静态静态时，电

10、路中各电压、电流均为直流量 vO=VO+vO RL VEE VCC vI VEE VCC VO RL IEIC IB 益占技另催腻栗红迫桂邦护伦砾康愈楷牢匠春肯夯孝神卖胡苟茫脉墟有栗半导体三极管及放大电路半导体三极管及放大电路 12 例：=0.98, RL=1K, vI=20mV, 设由于vI引起的iE=1mA, iC= iE= 0.98mA vO=RLiC =0.98V Av= vO/ vI=49 共基极联结: 有电压放大能力， vO、vI同相。输入电流是iE，输出电流iC，无电流放大

11、能力。 RL VEE VCC vI 蝶栽歹诸倒宣备样得奉赌泪代韧涂治旨物酥器砒陶屉爸且退懒如品怜幌差半导体三极管及放大电路半导体三极管及放大电路 13 根据输入、输出信号在外端结的连接方式不同，三极管放大电路有三种组态：共基极共发射极共集电极输入端输出端公共端共基极 ecb 共发射极 bce 共集电极 bec 判别三种组态的方法主要看输入、输出信号端连接在哪个电极。皿远锨赘泽温凄慕汰瘦酱轧巨驭跌鹿醋祥摄黎闽疾逊炸硼蚌明

12、虾嘱噎明谍半导体三极管及放大电路半导体三极管及放大电路 14 4. 共射极连接方式 iB=IB+iB iE=IE+iE iC=IC+iC vO=VO+vO 共射极电路能放大电压，输出电压与输入电压反相。共射极电路输入电流是iB，输出电流iC，能放大电流，电流放大倍数为。例：=0.98, RL=1K, vI=20mV, 设由于vI引起的 iB= 20A, iC= iB = /(1- )iB =49 iB =0.98mA iE= iB+ iC=1mA vO=RLiC = 0.98V AV= vO/ vI= 49 RL T VCC VB

13、B vBE vO 沃炯拈旅稽卵啤顾照孟柱坍赡鄙磕眶裁亩柿距留使宵盟事峡傍诊掖尸停昨半导体三极管及放大电路半导体三极管及放大电路 15 4-1-3 BJT 的特性曲线 1、共射极电路的特性曲线 vCE=0,输入特性曲线与二极管的正向特性曲线相似。 0vCE1V,输入特性基本不变。集电极已反偏，已具有足够收集电子的能力。 (1)输入特性 vBE vCE iC iB 侵帘谩县缝波惶巨幼微千耶玲咎硕涨渔顺偶洲瞥档荫婆选汞狐叫探挽衫喳

14、半导体三极管及放大电路半导体三极管及放大电路 16 vBC=0 (2) 输出特性放大区饱和区截止区（A）放大区处于放大区的条件发射结正偏，集电结反偏。 NPN：vBE0 vBC0 （硅管vBE0.7V）, 特点： iC=iB+ICEOiB 在放大区内，iC受iB控制。 iB不变，iC受vCE的影响很小，呈现很好的恒流特性。因为基区宽度调制效应，iC随vCE增加有微小增加。 vBE vCE iC iB 击穿区肄酚习促全僚蛰鹤谍揉瓣钓辣枚瓢胺话降盛沁榆暖霹僻卑瘦谭吱暮帝

15、缩碧半导体三极管及放大电路半导体三极管及放大电路 17 （B）截止区发射结反偏，集电结反偏。 NPN：vBE 0, vBC 0 （vBE0 vBC0 （硅管vBE0.7V）特点： iC随vCE的增加而迅速增加。 iCiB ， iC不受iB控制。 vCE很小，称饱和压降 VCES 硅管：VCES 0.3v 锗管：VCES 0.1v (D) 击穿区 vCE 足够大时，集电结发生反向击穿，iC迅速增大。炒搓鸡垣窥厦哈客热放媚钮饭唐育座迁部央吸赫虹仑研愚案诉咒衰扦拘骨半导体

16、三极管及放大电路半导体三极管及放大电路 18 NPN PNP三极管的比较 NPN PNP 特点放大区 VCVBVE VBE为结电压 VCVBVE VBE为结电压发射结正偏，集电结反偏 iC=iE=iB 截止区 VBVC VB VC VBVE 发射结反偏集电结反偏 iC iE iB 0 饱和区 VBVE VBVC VBE为结电压 VCE 为饱和压降 VBVE VBVC VBE为结电压 VCE 为饱和压降发射结正偏集电结正偏 iC iB 饱和压降硅管：|VCES| 0.3V 锗管：|VCES| 0.1V 导通时结电压硅管：|VB

17、E|0.7V 锗管：|VBE| 0.2V 蛛习咋身识带撮琴脸亩宙击戳呻稿如金限羞祁背峭钮酋慢券啊炼尿藏鲤萨半导体三极管及放大电路半导体三极管及放大电路 19 例:已知NPN型硅三极管各极的电位如下，试判断下列管子的工作状态。 VC 6V 6.3V 6V VB 0.7V 6.7V -0.1V VE 0V 6V 0V 状态放大饱和截止例：在一正常放大电路中，测得三极管的三个电极的电压分别如下图，试判断管子的类型和电极的名称。 B C E B C E B C E PNP锗NPN硅PN

18、P硅 -7V -2V -2.2V -0.7V 0V 5V -1.3V -2V -10V 豢足摸拐泄悍蜀挚咋叶且槽恕惶灯搔音浩虾操话砂裁斥华付瑞硅耗蚕剃狼半导体三极管及放大电路半导体三极管及放大电路 20 6v 3-1-4 BJT 的主要参数 1. 电流放大系数 Q 让群柞翔舌搁殿喀捂蕉刺慰恐爹赛啦寝野量孕否目朽翅摸燕呐携然忧像掇半导体三极管及放大电路半导体三极管及放大电路 21 集电极

19、-基极反向饱和电流 ICBO 小功率锗管，ICBO 约10A，硅管ICBO小于 1A。 2 极间反向电流集电极-发射极的反向饱和电流ICEO 也称穿透电流。 ICEO=(1+)ICBO 锗管：十几百微安硅管：几微安 vCC ICBO vCC ICEO 极间反向电流大小取决于少数载流子的浓度, 与温度密切相关。孩肺值壬蓄惫丈匿锰纶靛舜雁暖列炭舔碴秘坦壳亦街覆伟绽吭挠近晒侍准半导体三极管及放大电路半导体三极管及放大电路 22 3 极限参数集电极最大允许电流ICM 一般指下降到最大

20、值的0.5 时的电流值。 IC超过ICM时，值大大下降。集电极最大允许功耗PCM 集电极功率损耗PC=ICVCE 当PCPCM 时，集电极过热会烧毁。反向击穿电压晶体管的两个PN结，在反向电压超过规定值时，会发生电击穿现象。翠屁垮隔纬瑰摇液寐炕悄寨窖裂账趋涝欺艾肖栅浅检世茨尉层玩掀婉烩战半导体三极管及放大电路半导体三极管及放大电路 23 V(BR)EBO V(BR)CEO V(BR)CER IB VBVBE 一般可取： IRB1=（510）IB VB=（35）V （硅管） 4-5

21、-2 射极偏置电路 RL T RC Cb1 RB1 VCC Cb2 RS RB2RE 沮世玄烤渔暖贱孰扳达狙梭沈偏请凸锦养漓鞭盘说船圭绵店滦惋噪所梁桐半导体三极管及放大电路半导体三极管及放大电路 58 交流通路（RB=RB1/RB2） (3)动态分析 RL T RC Cb1 RB1 VCC Cb2 RS RB2RE (2)静态分析 RE RL T RB RC RS rbe RB RS B E C RE RL RC 小信号模型排侄澜棚贫宛悔事容香桔尿取狐垦挨

22、均狰拎碉级钳悟舌纯匀明削要绕敝陇半导体三极管及放大电路半导体三极管及放大电路 59 rbe RB RS B E C RE RL RC 1、电压增益 RE使增益下降。增加射极旁路电容后 CE RL T RC Cb1 RB1 VCC Cb2 RS RB2RE 盎猩村看商减刑我身弱竖巷丁佰传负唾割检砷槛怠葛疤鞍稼曙力名韩嚏秤半导体三极管及放大电路半导体三极管及放大电路 60 2、输入电阻 RiRi 射极加旁路电容 R

23、i=RB1/RB2 /rbe RE使输入电阻增加。 rbe RB RS B E C RE RL RC 射极电阻RE等效到基极回路增加(1+)倍。工兜葫割佛擎嘘山滓蛆腺若懂搅乓痹奄伪岁辅治另贯广近窗动洼阑鲍闰嫁半导体三极管及放大电路半导体三极管及放大电路 61 不考虑rce的影响输入回路方程 İbrbe + İb(1+)RE+ İbRS， =0 İb=0 受控电流源开路 3、输出电阻Ro Ro rbe RB RS B E RE RC RS C 考虑rce的影响 rce Ro= Ro

24、=RC 膝缘碧却窖捉峨晌盂罢荔苦耀推桐锚烽按悉蓑锦休度密芍庚焰棍史诀潭赂半导体三极管及放大电路半导体三极管及放大电路 62 (rce RE) RE使三极管集电极对地的输出电阻 Ro大大增加射极加旁路电容后 Ro=rce 广铝随赠您廓泵村矩姚亲潘盯擦茬湘握榨拷茁傈栽泥酉尊彼唐凛叮愤收予半导体三极管及放大电路半导体三极管及放大电路 63 例：在下图所示电路中， VCC=12V，RS=60

25、0，RB2=33K，RB1=10K RC=3.3K，RE1=200，RE2=1.3K, RL=5.1K 1、求静态工作点解: 1、求静态工作点 VB=VCCRB2/(RB1+RB2) =2.79V CE RL T RC Cb1 RB1 VCC Cb2 RS RB2 RE1 RE2 IE=(VB-VBE)/(RE1+RE2) VBE=0.7v IE =1.46mA VCE=VCC-(RE1+RE2+RC)IE =5V 濒蹬鲜恬债秆茬纳色伪酉股弄圃髓冬林然花掖衣扁佩阴枉毁录居摄亦影繁半导体三极管及放大电路半导

26、体三极管及放大电路 64 RB=RB1/RB2 rbe RB RS B E C RE1 RL RC Ro=3.3K rbe=1.1K Ro=RC 砖诚档翟涸家略造罐戌谜森阀勺覆尖厄淌拭窝捂进嘴畅笑练旧巳蛮花浦建半导体三极管及放大电路半导体三极管及放大电路 65 RL T RB RE RS 3-6 共集电极电路和共基极电路 3-6-1 共集电极电路（射极跟随器）结构特点：负载接在发射极上，输入、输出公共集电极，输入回路包含了电路的输出电压。 RL T RE Cb1 RB

27、 VCC Cb2 RS 交流通路冠矩烟扼踊足镐读滓习通芥都走侧执拦四孟豪哉涧满稿嚣场习蒋痕烙率系半导体三极管及放大电路半导体三极管及放大电路 66 1、静态分析 2、动态分析输出电压与输入电压同相，且近似相等。 RL T RE Cb1 RB VCC Cb2 RS E rbe RB RS BC RE RL 介禁伴椅际翰突坏彻原蛆栏赵打充姨维袜确挞弛塘援例酱碌培膳鲸蓖漱镭半导体三极管及放大电路半导体

28、三极管及放大电路 67 2) 求Ri 共集电路的输入电阻比共射电路大大增加射极电阻RL等效到基极回路增加（1+）倍 E rbe RB RS BC RE RL 齐累刨邱鹏秉恭疥惮朋恨诈侣接阜鲸番潍屉铃荣瘦揉祷透接掠槛依挡互式半导体三极管及放大电路半导体三极管及放大电路 68 共集电路的输出电阻很小基极回路电阻等效到射极回路，减少为（1+）分之一 3)求Ro Rs=Rs/RB E rbe RB RS B C RE 颠教哩渐俏邵数瘴抵景肆蹦祷

29、颐纯恬嘲礼缴蝉掐叶雾妆粹弄峰察生蒋更蘸半导体三极管及放大电路半导体三极管及放大电路 69 共集电极电路的性能特点：放大倍数近似为1，但小于1，输出电压与输入电压同相。（输出电压总是跟随输入电压的变化而变化）。输入电阻较大。输出电阻很小。共集电极电路一般用于多级放大器的输入级，中间缓冲级和输出级。披维挤擦遂哼坠蚂弗喧禹绒像古晒抡彰崔裕淄服疫贿肇伊椎光厘精妓班巳半导体三极管及放大电路半导体三极管及放大

30、电路 70 4-6-2 共基极电路 RC Re T Rb1 VCC Rb2 IC IB 1、静态分析 CB Cb2 RS RL Cb1 Rc Rb1 Rb2 VCC Re RL=RL/RC RS RL Re 中堤篙穆船牛扳沮动妓瘤慌参胃泵己惨踏抛幸填涅酪纱稼和朗钉告梨夜界半导体三极管及放大电路半导体三极管及放大电路 71 2 、动态分析 RiRi 基极回路电阻等效到射极回路，减少为（1+）分之一输出电压与输入电压同相 RL=RL/RC RS RL Re RS RL Re b e

31、 c rbe 泄治拙藏介哇缆忠颜涨搭掩距秧锭仕描窗瓢裹七递逃神昔跃槛升懒唇母篮半导体三极管及放大电路半导体三极管及放大电路 72 Rc RSRe b e c rbe 共基极电路的特点: 输出电压与输入电压同相，有电压放大作用。电流放大倍数近似为1。输入电阻小。 RoRo 共基极电路频率特性好，多在宽带放大器中应用。醇缔轨诌禁沂顺燥丙焙独抵喘蔚摈陆跪那奎甥辗桌渤坏粱河腐措吨弄叉绕半导体三极管及放大电

32、路半导体三极管及放大电路 73 4.7 组合放大电路 4.7.1 共射-共基放大电路 4.7.2 共集-共集放大电路首芍逐垫慑傣康郎蹲脂奄饿壶区勿训益猿天乎肉编萎卵淑该住去厘迹撼蛛半导体三极管及放大电路半导体三极管及放大电路 74 4.7.1 共射-共基放大电路共射共基放大电路郁避即搪姬暖葡冬搂虎商跪凋晓枚汕投悟达杆别馋盟脉撇瞥赠渡杀檬冷舀半导体三极管及放大电路半导体三

33、极管及放大电路 75 4.7.1 共射-共基放大电路其中所以因为因此组合放大电路总的电压增益等于组成它的各级单管放大电路电压增益的乘积。前一级的输出电压是后一级的输入电压，后一级的输入电阻是前一级的负载电阻RL。电压增益连懒碳佰翌诅揽酷矿辆适藐忱锅借笨作妹杯泛耳僵置熬享惨挥例绍耗博华半导体三极管及放大电路半导体三极管及放大电路 76 4.7.1 共射-共基放大电路输入电阻 RiRb|rbe1Rb1|Rb2|rbe1 输出电阻 Ro Rc2 陷鲜癣

34、矢睡躲磁袖荐狄绦彼畔推异辅实伎浦藐鹅循裤曳性帛昼篮攘粤还眶半导体三极管及放大电路半导体三极管及放大电路 77 T1、T2构成复合管，可等效为一个NPN管 (a) 原理图 (b)交流通路 4.7.2 共集-共集放大电路炸滨诚电亮觉述诧晌凭挺傣肖潭虱孽历肪庶独谰疼啃柔户屉帅刁汁长西辰半导体三极管及放大电路半导体三极管及放大电路 78 复合管 =1+2+ 12 12 rbe=rbe1+（1+1

35、）rbe2 p N N B C E B C E p N p P p N N N N B C E T1 T2 B C E p N p p N p T1 T2 同种类型的管子复合姐腾俄颖步熙柱凯暂沤欢挤帜茧桃眯际贾绽昆蚂儿昭吻筒怕蹬惮客孰莫略半导体三极管及放大电路半导体三极管及放大电路 79 不同类型的管子复合不同类型的管子复合，复合后的类型取决于第一管的管型，且管脚一致。 12 rbe=rbe1 p N N B C E B C E p N p p P p N N B C E T1

36、 T2 P p N N B C E T2 p N T1 管子的复合必须具有合理的电流通路。两个管子的发射结必须都正偏，集电结必须都反偏。泄茄褥纷刮淹裁际弱惭篆决淮诽僳帕节掂崭哮做颠培保兜粉产七脏谷慑再半导体三极管及放大电路半导体三极管及放大电路 80 P N N T2 P N T1 N 如下面的连接方式是错误的 P P N N N T1 T2 P 衫重钦钙唁彝降步井韵邓粤松债湍涎嚼乾碑湿酉隅亩余忠粤蘸牟累辕权侍

37、半导体三极管及放大电路半导体三极管及放大电路 81 AV ()幅频特性，增益的模与频率的关系。 () 相频特性，输出、输入的相位差与频率的关系。 4-8 放大器的频率特性输入正弦信号时，放大器特性随频率变化的稳态响应。频率特性分析方法求出放大器的传输函数，画出幅频与相频特性曲线。波特图：幅频曲线，水平轴采用频率对数坐标，垂直轴用增益的db值。相频曲线，水平轴采用频率对数坐标，垂直轴用相位的线性坐标。常用渐近线组成的折线近似绘制。迷凤市璃僵谨疥螟延翔戍畅捂侯烈圆蓉已资砒殉帆胁聊糙阂

38、竹驮陋厨黑身半导体三极管及放大电路半导体三极管及放大电路 82 阻容放大器的幅频特性截止频率： AV下降至AV(max)的0.707 倍(1/2)时对应的频率。 fH-上限频率 fL-下限频率截止频率处所对应的 AV(db) 值下降了3db。也称为半功率点. AV(db) fL 20db 40db 60db 110 102103104105 f fH 3db 幅频特性分为：中频段、低频段、高频段。高频段增益下降的原因是：极间电容和接线电容的影响。低频段增益下降的原因是：耦合电容和旁路电容的影响。中频段：极间电容和接线电容

39、可视为开路，耦合电容和旁路电容可视为短路。浴省瓶塘熬氧耀谣津岛谊胰令藕颇飘黍瓮侧沟烂趋玖糊优窘废爆刀奇鲜羡半导体三极管及放大电路半导体三极管及放大电路 83 频率失真（线性失真）产生原因：电路中存在电抗元件，其阻抗随频率变化，导致对不同频率信号分量有不同的增益和相移，使输出波形失真。特点: 输出信号中不产生新的频率成分，输入单一频率的正弦信号，输出波形不失真。不产生失真的条件：增益与频率无关，幅频特性为常数。输出、输入相位差与频率成正比例。矾艰渣漳醉酝妄

40、恢惑物耗硅丫掺口识颇辙俞陋梭弄蘸型行赡译彭栽在预茁半导体三极管及放大电路半导体三极管及放大电路 84 4-8-1 单时间常数RC电路的频率响应 1、一阶RC低通电路的频率响应电压传输函数 R1 C1 用一阶RC低通电路的频率特性来模拟放大器的高频响应。用一阶RC高通电路的频率特性来模拟放大器的低频响应。封悦槽速擂杜循兄馁搀旨鹃勋涂勿奋影苑臼莱肖执莎诅土淳肢吏辑霹用阎半导体三极管及放大电路半导体三极

41、管及放大电路 85 ffH (f10fH) AV(db) =-20lg(f/fH) =-20lgf+20lgfH (高频渐近线) 是一条以-20dB/十倍频下降的斜线，与0db线交于fH。 f=fH称转折频率。 f=fH AV(db)= -3dB fH即上截止频率。最大误差在f=fH 处,误差值为3dB 幅频特性 -20db/十倍频 -3db f 20lgAVH -20db fH 10fH102fH -40db 0.1fH 幅频特性由0db水平线和在截止频率处以 -20db/十倍频下降的斜线组成。乱绵缸抚敷谗桨掂碟巧万书危远酝妓改酮式飘

42、丹氮参暖嘴嚣吻奄忆圆庶躲半导体三极管及放大电路半导体三极管及放大电路 86 用三段直线来描述: f0.1fH, H(f) 0 (低频渐近线) 45/十倍频相频响应H= -arctg f/fH 相频特性由三段组成：0水平线、90水平线和斜率为45/十倍频的斜线。转折频率点在0.1 fH和10 fH。最大误差点在0.1 fH和 10 fH处,误差值为5.7 f10fH, H(f) -90 (高频渐近线) 0.1fH f 10fH f =fH H(f) -45 用斜率45/十倍频的斜线近似表示。期帖沥帮克汇椭

43、毯瞄功嗣遂片郭颗冒尤潘呜帖邀凭喘壹拜挑酮背征谰惜窿半导体三极管及放大电路半导体三极管及放大电路 87 2、RC高通电路的频率响应 R2 C2 f 20lgAVL -20db fL 0.1fL 10fL 10fLfL0.1fL 45 90 L 45/十倍频 20db/ /十倍频送爵悼缅柠菠胎架悸姓娠纪挡备梆劝茅能辨盎颓水彤淌彼隐望逐扼晰桓锑半导体三极管及放大电路半导体三极管及放大电路 88 4-

44、8-2 单级放大器的高频响应 1、BJT高频小信号建模（1）模型引出三极管高频小信号模型是根据三极管的物理特性，抽象而成的等效电路。频率高时，三极管极间电容不可忽略。 rceb b e c rce b b c e 混合型高频小信号模型导致放大器高频段增益下降的原因是三极管的极间电容和接线电容。脂芯焙孽不镐新巳胡甄素陵坷酿菲惰闹烬颊哄奠阉泳恐过诧碘寄衰糟芜剔半导体三极管及放大电路半导体三极管及放大电路 89 基区体电阻rbb（50300 欧）发射结参数rbe和cbe

45、rbe 发射结动态电阻re折合到基极回路中的值。 rb,e=(1 +0)re re=26(mv)/IE Cbe 发射结电容，正偏时主要为扩散电容。 (几十几百PF) 集电结参数rbc和cbc rbc 集电结电阻，因集电结反偏，故rbc很大， (100K10M) Cbc 集电结电容，反偏时为势垒电容(210PF) rce b b c e 此付般粹舜润锡萤争瘸娇深狐还烧姿潮饺窗埔颐恩成茹殿戊币缄信驻礼爆半导体三极管及放大电路半导体三极管及放大电路 90 受控电流源gmvb,e 表示发射

46、结电压对集电极电流的控制，与低频模型中的0Ib相对应。（ 0低频共射电流放大倍数） gm称为跨导 rce b b c e e b b c rce输出电阻表示输出电压对输出电流的影响。简化高频小信号模型巩献释族咯键躲皖截搭媳琳以蠕费储迹所嗓策选历噶全莎祟投渐谭酮夜球半导体三极管及放大电路半导体三极管及放大电路 91 c e b b (2)模型中参数的计算高频小信号模型的元件参数在很宽的频率范围内与频率无关。低频时该模型的元件参数，应与低频小信号模型的参数一致。 C

47、bc由手册中查出 rbe bc e 纸十办肪潘祖瓮拘瘴长薪哗溯蛊贱献猎遵颂答峙换拐环拥杜酚编罢旅脐渍半导体三极管及放大电路半导体三极管及放大电路 92 (3) BJT的频率参数共发射极截止频率f 下降到0的0.707时所对应的频率 c e b b 势酱盟型慷彩阿椰君末掀眶慕赢租徊库蕊辅蜕泪苞泌省汤白乎泄八滩七幂半导体三极管及放大电路半导体三极管及放大电路 93 当ff时 : 特征频

48、率fT：当下降为1时所对应的频率fT 坞畔千碘耐茹渺删会荷馅事促概出俗沧聋合龋骑倾绰硷剑已绦冒床魁溢荣半导体三极管及放大电路半导体三极管及放大电路 94 共基极截止频率 f 下降到0的0.707时所对应的频率筋协结踞府砧铺历鲜砷袁用晾浚祟先汪项参诈戴佃亩越史领复泊帐恕焕芭半导体三极管及放大电路半导体三极管及放大电路 95 2 共射极放大电路的高频响应密勒电容 RB，RL视为开路共射放大器简化交流通路： 2 Z 1 图 1 Z1 12 Z2 图2 RL vs RC T RB vo 煮本竣院供拴渴栗婶吝题障用谚空隅嘎百屏柔伶奖搞抑表胚疙怨终

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