《《模拟电子技术基础》试题.doc》由会员分享，可在线阅读，更多相关《《模拟电子技术基础》试题.doc（19页珍藏版）》请在三一文库上搜索。
1、模拟电子技术基础试题（A 卷）学号姓名 .一、判断下列说法是否正确，用“×”或“”表示判断结果。（10 分）（1）在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为 “虚地”。（）（2）电压负反馈稳定输出电压， 电流负反馈稳定输出电流。（）（3）使输入量减小的反馈是负反馈， 否则为正反馈。（）（4）产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。（）（5）利用两只 NPN型管构成的复合管只能等效为 NPN 型管。（）（6）本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。（）（7）未加外部电压时，PN结中电流从 P区流向 N区。（）（8）集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。（）（9）只要引入正反
2、馈，电路就会产生正弦波振荡。（）（ 10）直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。（）二、选择填空（10 分）（1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入；为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入 。（A ）电流负反馈 （B）电压负反馈 （C）直流负反馈 （D）交流负反馈1（2）RC 串并联网络在 f f0 1 时呈 。0 2 RC（A ）感性（B）阻性（C）容性（3）通用型集成运放的输入级多采用。（A ）共基接法（B）共集接法（C）共射接法（D）差分接法（4）两个相同的晶体管组成复合管后， 其电流放大系数约为。2（A）（B） 2（C）2（D）1+（5）在（A ）、（B）、（C）三种电路中输出电阻
3、最小的电路是；既能放大电流，又能放大电压的电路是 。 （A）共基放大电路（B）共集放大电路（C）共射放大电路（6）当 NPN 型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为 uCuBuE 。A) >B）C）D)读书破万卷 下笔如有神（7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的。（A ） 大（B） 小（C） 相等三、（5 分）图示电路中二极管为理想二极管，请 判断它是否导通，并求出 u0。四、（10分）在图示电路中，已知晶体管静态时 B-E间电压为 UBEQ，电流放大 系数为，B-E 间动态电阻为 rbe。填空： 静态时， IBQ 的表达式 为，ICQ 的表达式为，UCEQ 的表达式 为；电压放大倍数
4、的表达式为 ，输入电阻的 表达式为 ，输出电阻的表达式 为；若减小 RB，则 ICQ 将，rbe&将 ， Au 将，Ri 将。五、（10分）在图示电路中，已知晶体管静态时 UBEQ=0.7V，电流放大系数为 =100，rbe=1 k，RB1=5 k ，RB2=15 k，RE=2.3 k，RC=RL=3 k，VCC=12V。（1）估算电路的静态工作点、 电压放大倍数、 输入电阻 和输出电阻。& & & （2）估算信号源内阻为 RS=1k时， Aus U0 US的数 值。六、（10 分）在图示电路中，已知 VCC=12V，VEE=6V，恒流源电路 I=1 mA ，R
5、B1=RB2=1 k，RC1=RC2=10 k ；两只晶体管特性完全相同， 且1= 2=100， rbe1= rbe2=2 k。估算： （1）电路静态时 T1和 T2 管的集电极电 位； （2）电路的差模放大倍数 Ad、共模放大 倍数 AC、输入电阻 Ri 和输出电阻 R0七、（ 5分）在图示 OCL 电路中，已 知T1、T2管的 UCES 1V ，电源电压为± 9V ，负 载电阻 RL=8 ，试计算最大输出功率 Pom 及效 率。读书破万卷 下笔如有神八、（8 分）设图示各电路均引入了深度交流负反馈，试判断各电路引入了哪种 组态的交流负反馈，并分别估算它们的电压放大倍数。九、（ 6
6、分）在图示电路中，要求 RF =100 k，比例系数为 11，试求解 R、和 R 的阻值。十、（6 分）求解图示电路的运算关系式。十一、（ 9 分）在图示文氏桥振荡电路中， 分别为 1100 k、 0.0011F。 （1）振荡频率的可调范围是多少？ （2）RF的下限值为多少？已知 R1=10 k，R 和 C 的可调范围十二、（ 5分）在图示电路中，已知 W7806的输出电压为 6V， R1=R2=R3=200 ，试求输出电压 U0 的调节范围。十三、（6分）串联型稳压电路如图所 示，T2和 T3管特性完全相同， T2管基极电流可忽略不计， 稳压管的稳定电压为 UZ填空：调整管为，输出电压采样电
7、阻由组成，基准电压电路由组成，比较放大电路组成；输出电压调节范围的表达式为模拟电子技术基础试题（ B 卷）、判断下列说法是否正确，用“×”或“”表示判断结果。（10 分）1）只要满足相位平衡条件，电路就会产生正弦波振荡。2）引入直流负反馈可以稳定静态工作点。3）负反馈越深，电路的性能越稳定。4）零点漂移就是静态工作点的漂移。5）放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻6）镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。7）半导体中的空穴带正电。8）P型半导体带正电，N 型半导体带负电。9）实现运算电路不一定非引入负反馈。10）凡是引入正反馈的集成运放， 一定工作在非线性区10 分）
8、、选择填空1）为了增大输出电阻，应在放大电路中引入为了展宽频带，应在放大电路中引入（A ）电流负反馈 （B）电压负反馈 （C）直流负反馈 （D）交流负反馈2）在桥式（文氏桥） RC 正弦波振荡电路中，。（A） A=-180 ，F=+180 （B）A=+180，F=+180 （C）A=0 ，F=03）集成运放的互补输出级采用。（A ）共基接法（B）共集接法（C）共射接法（D）差分接法4）两个相同的晶体管组成复合管后， 其电流放大系数约为。2（A）（B） 2（C）2（D）1+5）在（A ）、（B）、（C）三种电路中输入电阻最大的电路是；既能放大电流，又能放大电压的电路是 。（A ）共基放大电路（B
9、）共集放大电路（C）共射放大电路6）当 PNP 型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为 uCuB uE 。（A ） >（B） <（C） =（D）（7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的。（A ） 大（B） 小（C） 相等5 分）图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出 u0。四、（10 分）在一个放大电路中，三只三极管三个管脚、的 电位分别如表所示，将每只管子所用材料（ Si或 Ge）、类型（ NPN或PNP）及 管脚为哪个极（ e、b 或 c）填入表内。管号T1T2T3管号T1T2T3管脚0.76.23电 极电位0610（V）533.7名 称材 料类型五、（10 分
10、）在图示电路中，已知晶体管静态时 UBEQ=0.7V，电流放 大系数为 =80，rbe=1.2 k，RB=500 k ，RC=RL=5 k， V CC=12V。 （1）估算电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。（2）估算信号源内阻为 RS=1.2k时， Aus U0 US 的数值。六、（10 分）在图示电路中，已知 VCC=12V，VEE=6V，恒流源电路I=1 mA，RB1=RB2=1 k，RC1=RC2=10 k；两只晶体管特性完全相同， 且1= 2=100， rbe1= rbe2=2 k。估算：（1）电路静态时 T1和 T2 管的集电极电位；（2）电路的差模放大倍数 Ad、
11、共模放大倍数 AC、输入电阻 Ri 和输出电阻 R0七、（ 5分）在图示 OCL电路中，已知 T1、T2管的 UCES 1V，电源电压为± 9V，负载电阻 RL=8 ，试计算最大输出功 率 Pom 及效率 。八、（8 分）设图示各电路均引入了深度交流负反馈， 试判断各电路引入了哪种组态的交流负反馈，并分别估算它们的电压放大倍数。九、（6 分）在图示电路中，要求其输入电阻为 20 k，比例系数为 -15，试求解 R、 RF和 R 的阻值。十、（6 分）求解图示电路的运算关系式读书破万卷 下笔如有神十一、（ 9 分）将图示电路合理连接，构成桥式（即文氏桥）正弦波振荡电路， 并估算电路的振
12、荡频率和十二、（ 5 分）在图示电路中，已知 W7805 的输出电压为 5V ，IW=5mA ，R1=1 k ，R2=200 。试求输出电压 U0 的调节范围。十三、（6 分）串联型稳压电路如图所示，稳压管 的稳定电压为 UZ。填空：调整管为 ，输出电压采样电阻 由 组成，基准电压电路由 组成，比较放大电路由 组成；输出电压调节范围的表达式为A 卷参考答案一、（ 1）×（ 2）（ 3）×（ 4）（5） （6）（ 7）×（ 8）（ 9）×（ 10）二、（1）B、C（2）B（3）D（4）B（5）B、C （6）A、A（7）A三、二极管 D导通， -3V四、I
13、BQVCCU BEQI CQI BQ ； UCEQVCCI CQRC ； AuRBRLRi RB /rbe ；R0 RC ；增大；减小；减小；减小 五、3V；1mA；10A；6.7V；-150；0.79k ；-66.7六、7V；-333；0；6 k ；20 k七、4W；5.7W；70%八、（ a）电压并联负反馈；九、10 k；9 k-R2/R 1b）电压串联负反馈； 1+R2/R1十、u0R2R1uI1R2(12 )uI2R1十一、 1.6HZ160kHZ；20 k十二、 9V；8V十三、 T1 ； R1、R2、R3；R、 DZ；T2、 T3、 RE、RC；R1R2 R3R2U0R1 R2 R
14、3R3UZB 卷参考答案一、（1）×（2）（ 3）×（4）（5）（6）（7）（ 8）×（9）×（10）×二、（1）A、D（2）C（3）B（4）B（5）B、C（6）B、B（7）A三、二极管 D截止， -6V四、管号T1T2T3管号T1T2T3管脚0.76.23电 极BEE电位0610EBC（V）533.7名 称CCB材 料SiGeSi类型NPNPNPNPN五、22.6 A；1.8mA； 3V； -167 ；1.2k ；5 k ；-83.5六、7V；-333；0；6 k ；20 k七、4W；5.7W；70%八、（ a）电压串联负反馈； 1+R2/R 1 （b）电压并联负反馈； -R2/R1九、20 k ；300k;18.75 k 十、 u0 uI1 R2 uI2R1十一、 160 HZ；50 k十二、 5V-35V十三、 T ；R1、 R2、R3；R、DZ； A；R1 R2 R3 UR2 R3 U ZU0R1R2 R3R3UZ