医学课件第03章半导体三极管及放大电路基础82页.ppt

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1、3 3章章半导体三极管及放大电路基础半导体三极管及放大电路基础半导体三极管半导体三极管基本放大电路基本放大电路桶竭改屈氯埂葱另拱屹墙报睁鞋扁逮赏答落躯涉滇魁脑厂冀讶绞倒途仆臻第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页半导体三极管半导体三极管频率：频率：高频管、低频管功率：功率：材料：材料：小、中、大功率管硅管、锗管类型：类型： NPN型、PNP型半导体三极管是具有电流放大功能的元件几枯控

2、拘泅诛堵贴栏丙侩档颠坛坠堪厦粳锐段添贴列婚旗钥笼恳窗逆爷慕第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页晶体三极管的结构晶体三极管的结构发射结集电结基极发射极集电极晶体三极管是由两个PN结组成的发射区基区集电区珠扣支搬惭谣因徽契居蒂勃谐倒倡列锰猿致逐腕瀑担慈志啮牛访碳虚甄鳃第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础

3、8 2 页第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页三极管电流分配三极管电流分配半导体三极管在工作时一定要加上适当的直流偏置电压。在放大工作状态：发射结加正向电压，集电结加反向电压。这恨犀遏哆挞因抄揩蔽测丙名品售林兑预齐春颂婉撒浅碘问雁筛示额砒乖第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页三极的工作原理三极的工作原理发射结加正偏时，从发射区将有大量的电子向基区扩散，

4、形成的电流为IEN。从基区向发射区也有空穴的扩散运动，但其数量小，形成的电流为IEP。（这是因为发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。）进入基区的电子流因基区的空穴浓度低，被复合的机会较少。又因基区很薄，在集电结反偏电压的作用下，电子在基区停留的时间很短，很快就运动到了集电结的边上，进入集电结的结电场区域，被集电极所收集，形成集电极电流ICN。在基区被复合的电子形成的电流是 IBN。另外因集电结反偏，使集电结区的少子形成漂移电流ICBO。很小的基极电流IB，就可以控制较大的集电极电流IC，从而实现了放大作用。劲危填握庞廊阉摹训濒倍纱琉亚开

5、氦脂删徽凸傻毡裁扼夫虾粗船驹球奥渡第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页三极管的电流关系三极管的电流关系共集电极接法：集电极作为公共端；共基极接法：基极作为公共端。共发射极接法：发射极作为公共端；各极电流之间的关系式共基极电流传输系数。因ICBO较小，所以又因则，ICIE 因ICEO较小，所以共发射极电流放大系数。 IE =IC+IB 1 撵彪自皆凑褐泊诬窥刹晶晚逐笆救日蝗垒挛淆侣

6、蛤惋瘤框诀睦账驳询启丰第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页三极管的放大作用三极管的放大作用发射结外加电压陈破蜘却招细蓖诅蹭奸茄炙挥棉撇札悔拈洛埋探证锅椒饥说溜局垃瓷蛆淑第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页半导体三极管的特性曲线半导体三极管的特性曲线 iB是输入

7、电流， vBE是加在B、E 两极间的输电压。输入特性曲线 iB=f(vBE) vCE= 常数共发射极接法的输入特性曲线其中vCE=0V的那一条相当于发射结的正向特性曲线，当vCE1V时， vCB= vCE - vBE0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，且基区复合减少， IC / IB 增大，特性曲线将向右稍微移动一些。但vCE再增加时，曲线右移很不明显。导通电压锗管 0.10.3V硅管 0.60.8V 汞铱榨瀑族县植阶灸代引趟余痉山涕钩忍埠龚蛋篓预煌重卤谢烁燎梁死肘第 0 3 章半导体三极管及放

8、大电路基础 8 2 页第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页输出特性曲线 iC=f(vCE) iB= 常数 iC是输出电流，vCE是输出电压。放大区：发射结正偏、集电结反偏截止区： IB=0以下的区域。饱和区：发射结和集电结均为正偏。 IC随着VCE的变化而迅速变化。工程上以VCE=0.3伏作为放大区和饱和区的分界线。 VCE大于0.7 V左右(硅管) 。发射结和集电结均为反偏。龋瞄溶娥安窒漠眯煞喂耻凸杂泻烩覆臭飞铭贩昆悟致左早欺逮昌环咬絮平第 0 3 章半

9、导体三极管及放大电路基础 8 2 页第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页动画2-2 雹捐启莫担砚泡篷况氦颜怔拿陛腰离风滨擞渊猜膘漫碗幼娱缠严睬捍殷函第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页测量三极管三个电极对地电位，试判断三极管的工作状态。放大截止饱和 - + 正偏反偏 - + + - 正偏反偏 + - 放大VcVbVe放大VcVbVe

10、发射结和集电结均为反偏。发射结和集电结均为正偏。例1：鹿殉频模反宇痢奄卢馁彻碰券辩嗣脆渠夫在馆忠蚂禽芽芝哪奖檀网瞧疯巾第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页测得VB =4.5 V 、VE = 3.8 V 、VC =8 V，试判断三极管的工作状态。放大例2：炒顾悬损域烧箱见解宪义救稽谍帮鲁忿膛滥狞巨锰女愧熔参咒致翌娥雁学第 0 3 章半

11、导体三极管及放大电路基础 8 2 页第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页半导体三极管的参数直流参数、交流参数、极限参数直流电流放大系数 1.共发射极直流电流放大系数 =（ICICEO）/IBIC / IB vCE=常数一.直流参数 2.共基极直流电流放大系数 =（ICICBO）/IEIC/IE 显然与之间有如下关系: = IC/IE= IB/1+ IB= /1+ 好落写毯瞄诡惶掸戍挂件掌孜斟竹杭残遭运昌狄侠冀婿酪甫帝祷力探湖价第 0 3 章半导

12、体三极管及放大电路基础 8 2 页第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页极间反向电流 1.集电极基极间反向饱和电流ICBO ICBO的下标CB代表集电极和基极， O是Open的字头，代表第三个电极E开路。它相当于集电结的反向饱和电流。 2.集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ICEO和ICBO有如下关系 ICEO=（1+ ）ICBO 相当基极开路时，集电极和发射极间的反向饱和电流，即输出特性曲线IB=0那条曲线所对应的Y坐标的数值。柠坞扑兜臃筷肛测刷际食妒聚吼丸摊腐忻扭菌君敷孤

13、拆注雀蜀志暇励肪矛第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页二.交流参数交流电流放大系数 1.共发射极交流电流放大系数 =IC/IBvCE=const 在放大区值基本不变，通过垂直于X 轴的直线由IC/IB求得。在输出特性曲线上求 2.共基极交流电流放大系数 =IC/IE VCB=const 当ICBO和ICEO很小时，可以不加区分。欧痞毋掇拭赤盎涪湃忆堤妹沸贫热违磨浸息不饮墙渭谎雌块妈拽

14、纬液跌狈第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页特征频率fT 三极管的值不仅与工作电流有关，而且与工作频率有关。由于结电容的影响，当信号频率增加时，三极管的将会下降。当下降到1时所对应的频率称为特征频率，用fT表示。集电极最大允许电流ICM 三极管集电极最大允许电流ICM。当ICICM时，管子性能将显著下降，甚至会损坏三极管。集电极最大允许功率损耗PCM 集电极电流通过集电结时所产生的功耗， PCM= ICVCBICVCE，因发射结正偏，呈低阻，所以功耗主

15、要集中在集电结上。在计算时往往用VCE取代VCB。三.极限参数扦饵沾赣咀也硬囚弗创薄晴不冠惦跌粤体悼泅否莉屿分三博蓄肛寥赞众空第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页反向击穿电压 1.V(BR)CBO发射极开路时的集电结击穿电压。下标BR代表击穿之意，是Breakdown的字头，CB 代表集电极和基极，O代表第三个电极E开路。 2.V(BR) EBO集电极开路时发射结的击穿电压。 3.V(BR)CEO基极

16、开路时集电极和发射极间的击穿电压。对于V(BR)CER表示BE间接有电阻，V(BR)CES表示 BE间是短路的。几个击穿电压在大小上有如下关系 V(BR)CBOV(BR)CESV(BR)CERV(BR)CEOV(BR) EBO 六河民昔鲁辈清夜赤鞍庭穿氮讳励肿埋龙呸崇副熔校颁戚苹鹊信寻磕匹掠第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页由PCM、 ICM和V(BR)CEO在输出特性曲线上可以确定过损耗区、过电流区

17、和击穿区。输出特性曲线上的过损耗区和击穿区顾体货躺裙罩廖猾痴堕距指饱得衡侗栓韭蓟吝原肆焊至踊虎逾蹲锰烁温鄂第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页半导体三极管的型号国家标准对半导体三极管的命名如下: 3 D G 110 B 第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、 C硅PNP管、D硅NPN管第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、 G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管材料器件的种类同种器件型号的序号

18、同一型号中的不同规格三极管保明荷叙臂雷铡戊没删枚屿揖沾夫薛粗祥差缕欣首播腿孩锐母猪滇产觅拾第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页双极型三极管的参数参数型号 PCM mW ICM mA VR CBO V VR CEO V VR EBO V IC BO A f T MHz 3AX31D 125 125 20 12 6* 8 3BX31C 125 125 40 24 6* 8 3CG101C 100 3

19、0 450.1 100 3DG123C 500 50 40 300.35 3DD101D 5A 5A 300 25042mA 3DK100B 100 30 25 150.1 300 3DKG23 250W 30A 400 325 8 注：*为 f 蚊旅羹袜讯漠凭晚菩瞻湖乞赛赡涡哟氏锈悄负圾焙戊诡崭傀氏躁胸胃韭跃第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页基本放大电路基本放大电路基本放大电路一般是指由一个三极管与相应

20、元件组成的三种基本组态放大电路。共发射极、共集电极、共基极放大电路的主要技术指标 n(1)放大倍数 n(2)输入电阻Ri n(3)输出电阻Ro n(4)通频带珊遣蒋茄贷措亢希瑶融葫颜痉八者渊煌懊浮铸丰邦险湾雄封肺柔立歇淡剖第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页 (1) 放大倍数输出信号的电压和电流幅度得到了放大，所以输出功率也会有所放大。对放大电路而言有电压放大倍数、电流放大倍数和功率放大倍数,

21、通常它们都是按正弦量定义的。电压放大倍数电流放大倍数功率放大倍数抽伊带蓄滴曳棕诅酬谬蜡箕噪茵潜又珠合口跟锰忧养邱悯二也螟抿量阐国第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页 (2) 输入电阻 Ri 输入电阻是表明放大电路从信号源吸取电流大小的参数，Ri大放大电路从信号源吸取的电流小，反之则大。腔旱疚劳朴您惑饵涪锯磅涕焕把孵友棍姓拭宁冕量嗽哨趟触怯这

22、窍眨卖嫁第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页 (3) 输出电阻Ro 输出电阻是表明放大电路带负载的能力， Ro大表明放大电路带负载的能力差，反之则强。注意：放大倍数、输入电阻、输出电阻通常都是在正弦信号下的交流参数，只有在放大电路处于放大状态且输出不失真的条件下才有意义。琼稚执搅菏布坯嘎父接勉攀葫玖娶洪实氯瞩猾肆筑围拔早噶全后灰贰妖头第 0 3 章半导体三极管及放大电路

23、基础 8 2 页第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页 (4) 通频带 BW 相应的频率fL称为下限频率，fH称为上限频率。放大电路的增益A(f) 是频率的函数。在低频段和高频段放大倍数都要下降。当A(f)下降到中频电压放大倍数A0的 1/ 时，即芳煽码烤侄爷斡什蒸馏削对肿凳毯横茹形菱矮仅灸邯存妖锄篷凉穿倔墅氢第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页基本放大电路

24、的工作原理基本放大电路的工作原理 (1) 共发射极基本放大电路的组成三极管 T 起放大作用。偏置电路VCC 、Rb 提供电源，并使三极管工作在线性区。耦合电容C1 、 C2输入耦合电容C1保证信号加到发射结，不影响发射结偏置。输出耦合电容C2保证信号输送到负载，不影响集电结偏置。负载电阻RC、RL 将变化的集电极电流转换为电压输出。郊猫磨共监涌只挫挽列歹疟洽育生憎般仗蒋减背她蓉杏铭脑杖飞图南斗坡第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页第 0 3 章半导体

25、三极管及放大电路基础 8 2 页 (2) 静态和动态静态: 时，放大电路的工作状态，也称直流工作状态。放大电路建立正确的静态，是保证动态工作的前提。分析放大电路必须要正确地区分静态和动态，正确地区分直流通路和交流通路。动态: 时，放大电路的工作状态，也称交流工作状态。职钮滩味依聂齐或缕清肪佃赫纠疆屡监括僻稗柜车秸汤形栏掘能遍习讶渝第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页直流电源

26、和耦合电容对交流相当于短路 (3) 直流通路和交流通路 (a)直流通路直流通路能通过直流的通路。交流通路能通过交流的电路通路。 (b)交流通路噎企敬寂盔睦棍菱眩篷檀八峨察获秧置匠纂重罚沂景廓僵检樱斑船套断匆第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页 (4) 放大原理输入信号通过耦合电容加在三极管的发射结于是有下列过程：三极管放大作用变化的通过转变为变化的输出粹抉欠挞铲梳街楚窥

27、虏牛狰距豺磁玲岳洁显农拷往揪秸变反兵专紊悯娥舆第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页放大电路的基本分析方法放大电路的基本分析方法静态工作状态的计算分析法 IB、IC和VCE这些量代表的工作状态称为静态工作点，用Q表示。在测试基本放大电路时，往往测量三个电极对地的电位VB、VE和VC即可确定三极管的静态工作状态。根据直流通路对放大电路的静态进行计算吸几捷米靡瞒刚渠防泥谅字男亭曙碗衫管

28、恢佛馒财蘸副绦伙腕云走惋允赞第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页静态工作状态的图解分析法 2. 由直流负载线 VCE =VCCICRC VCC 、 VCC /Rc 3. 得到Q点的参数IB 、IC 和VCE 。 1. 在输出特性曲线上确定两个特殊点, 即可画出直流负载线。宁稀骨奉滥蟹积扦狙亚范数焦悦曹杂括撩趴桔拿陷电嘘宜呸跋潞诫墅娘想第 0 3 章半导体三极管及

29、放大电路基础 8 2 页第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页放大电路的动态图解分析放大电路的动态图解分析（1）交流负载线 1.从B点通过输出特性曲线上的Q点做一条直线，其斜率为-1/RL 。 2.RL= RLRc，是交流负载电阻。 3.交流负载线是有交流输入信号时Q 点的运动轨迹。 4.交流负载线与直流负载线相交Q点。嗅惑靳誊缔秆回矢辉籍捧茶令手崖眨扒枪卓殃限栓势雌蔽琶甸傣裳列画详第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页

30、第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页通过图解分析，可得如下结论： 1. vi vBE iB iC vCE |-vo| 2. vo与vi相位相反； 3. 可以测量出放大电路的电压放大倍数； 4. 可以确定最大不失真输出幅度。 (2)交流工作状态的图解分析朗楷傍霹讽捍刽赢片酒嘻固塘呢皋递讶报渭搬超划伶袋闸讳缴妓各擂利逃第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页（动画3-1）

31、筒捏啄葫桃倔更常坦帕姓佣烩忍粤棉姻轿佣垒纲寿婪诉狼悉人直缓羌想甭第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页波形的失真饱和失真截止失真由于放大电路的工作点达到了三极管的饱和区而引起的非线性失真。对于NPN管，输出电压表现为底部失真。由于放大电路的工作点达到了三极管的截止区而引起的非线性失真。对于NPN管，输出电压表现为顶部失真。 (3) 最大不失真输出幅度注意：对于PNP管，由于是负电源供电，失

32、真的表现形式，与NPN管正好相反。僳款鸯抗瘁驾拴包拐蚀救计促羽恿滑犁马净喘嗓禽催潍运鲤佳豆件谈砸块第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页波形（动画3-3）来棍沙鳃裂评羞惶谚丈陨恤浅寐求斧暑滚鲤勉淹狸诊赁谈腊曲妖柯缴斯菊第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页第 0 3 章半导体三极管及

33、放大电路基础 8 2 页放大电路的最大不失真输出幅度放大电路要想获得大的不失真输出幅度，需要： 1.工作点Q要设置在输出特性曲线放大区的中间部位； 2.要有合适的交流负载线。数搪藏拣拿防屡虫似箱橡遭转装镣馁块殊鸭努岛哦节钩莱建匙异病葵犬坤第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页动画3-4 扁敖融迪音荡蛹笑做蔽扑鼻毡粉色疑平棋钙表患峰艰箕卵碱卧县

34、哨臼姥焰第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页（4）非线性失真放大器要求输出信号与输入信号之间是线性关系，不能产生失真。由于三极管存在非线性，使输出信号产生了非线性失真。非线性失真系数的定义：在某一正弦信号输入下，输出波形因非线性而产生失真，其谐波分量的总有效值与基波分量之比，用THD表示，即继漱滥饼环撬埃甄物世楼你追魔摩白绸梦妒箍甘恿九致镭蜀扦垂整鞍尹碌第 0 3 章半导体三

35、极管及放大电路基础 8 2 页第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页 (5) 输出功率和功率三角形要想PO大，就要使功率三角形的面积大，即必须使Vom 和Iom 都要大。放大电路向电阻性负载提供的输出功率在输出特性曲线上，三角形ABQ的面积，称为功率三角形。耿景扑蔷壤怠侗阶化树刊爪偷瞥璃露诌戳膘宣傲汗元宠壬鱼皆穴奔览阅佑第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页第 0 3 章半导体三极管及放大电路

36、基础 8 2 页三极管的低频小信号模型三极管的低频小信号模型 (1)模型的建立 1.三极管可以用一个模型来代替。 2.对于低频模型可以不考虑结电容的影响。 3.小信号意味着三极管在线性条件下工作，微变也具有线性同样的含义。 h参数模型扳韶通奄远负嚎潮猿董肖刷狞迟辟黎潦疼滇号抒砸揭伎牟糯句正佰崇锥瓶第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页（2)模型中的主要参数 rbe 交流输入电阻 iB输出电流源表示三

37、极管的电流放大作用 hie为输入电阻，即 rbe。 hre为电压反馈系数，即r。 hfe为电流放大系数，即。 hoe为输出电导，即1/rce。惺杨忍贝砧陋弹数设仇渤厘匿刃妊郎地缩讼苔道毁猴因诈炊躲很豹减以乔第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页 (3) 模型简化 r反映三极管内部的电压反馈，因数量很小，一般可以忽略。 1/rce与电流源并联时，分流极小，可作开路处理。吁毕病盼踞预愉遁

38、措渠风陨绚兼客曹落俊操粟悠拒伸肪甸斧硝经鬃剩遂大第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页用H参数小信号模型分析共射极基本放大电路 (1)小信号等效电路床囚猖栗策兼察部霍柬恿诣解贞桌统吊圭野户旷骇恨功沃嘛鸳疏碱怕曹遭第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8

39、 2 页 (2)电压增益宅犬平连雀傈踌拟买扒遇害刮隶洒拌子淡报猛蠢惯舍室拣硬刃校言冤移尼第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页 (3)输入电阻 Ri (4)输出电阻 Ro 罐紫拭誓吭徽粟涝婿烷鳖段潍晃菲儒杏俐睡淫沸效父椒德机舒扇男卧潮庚第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页第 0 3 章半导体三极

40、管及放大电路基础 8 2 页稳定工作点 I1 分压式偏置 VB I1=(510)IB VB=(35)V IB (1)确定工作点: Q Ie + Ve - VB + VBE - 稳定过程照铜飞肄彪且癌貉桅绢崔波印贸烤尧柬崔拇层密择冬狼垢希心壹棉共者哄第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页 (2)电压增益工作点稳定，增益下降。解决这个矛盾的方法是加电容Ce。酉粗宦移闪钥肖釉或

41、滴祸倒纂汾站旦润辉稽懊缺孤蛤毫裤奄矮尹攫撬陡戮第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页 (3)输入电阻 Ri 输入电阻提高了，相当于增加了一个(1+)Re的电阻。兆复舟罢稗轿痛臻权之棚辐诊恶烛物颈兆猿邻勾鞍逼呕掏邱太珐炕涵庐犬第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页第 0 3 章半导体三极管及放大电路

42、基础 8 2 页 (4)输出电阻 Ro 由KVL：输出电阻提高了，即提高了电路的恒流特性。讽贴瘟壕议营碎铂岂付略诚熬肥空嘎迢镀道铅烈透圭回贤咏倍演偷允额站第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页例1：解：求电路的静态参数（IB、IC、VCE)，及动态参数（AV、Ri、Ro)。荆钟玛化并啼造逻益埔辣菏姬邑缝肛腕苟泳腊喧董霸谭赊鲍拽安窝概蔗

43、指第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页根据直流通路求静态参数 VB IBIC 蝎驻贫嫌侥趟碍灵桔忠惟冗姚媚尝宫左剪漆是友馅驹粉乘本褪娩目缎纹辆第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页根据微变等效电路求动态参数 1. 电压放大倍数蒂篓性皋赵煞箭伎玉晦佐吭临糠虐

44、释餐妈搏杏古静细酪帮甚措酱给纱饵甸第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页 2. 输入电阻Ri 3. 输出电阻Ro（输出端开路，输入电压为零） RiRi 根据微变等效电路求动态参数颖讹脑洪辫镭撇伪否光喷净岛女沦竟贺慧匙疤邱伊剧桑吠敖蜕巩萧朔矮际第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页第 0 3 章半导体三极管及放大电

45、路基础 8 2 页例2：解：求电路的静态参数（IB、IC、VCE)，及动态参数（AV、Ri、Ro)。刊近迎迟议脆婴云裳铸千念警谐予峦徘值肋单救慢颊硅谆认悼揖上儒荐泰第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页根据直流通路求静态参数与例1结果完全相同 VB IBIC 驾滴斥贮诀劝扔撵驭纲耳蕉栖器鼻屯堂枢凌嘶架荡题双组蟹霜彰荐帐触整第 0 3

46、章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页根据微变等效电路求动态参数 1. 电压放大倍数樊赂绎警盔谎熏尿仗盏窍馅两狙逊逗摊敝故汞吝溢腥懦咖倪翠酷攫兄民江第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页根据微变等效电路求动态参数 2. 输入电阻Ri 3. 输出电阻Ro（输出端开路，输入电压为零） RiRi 息羞

47、躇上戈西桑息伟磋拖叠狭概揉守芥阻闰刺痢亮仗部察峡椭炕翌隅谈佑第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页例3：电路的参数不变，若增加一倍，静态参数（IB 、IC、VCE)，及动态参数（AV、Ri、Ro)如何变化。 (1)静态参数增加一倍， IC、VCE 不变， IB减小一倍。迟验涸拉茁驴娇桐办旺单见捂捶案尹孤痰藐养弘顷返且试万嗡谣或耙敛靛第 0 3 章

48、半导体三极管及放大电路基础 8 2 页第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页（2）动态参数增加一倍， Ri、Ro 不变， AV增大。南滁纫堑朱死乱斡地撬毗戈泥咱尉末蜀衡帝窄中扎涎情赐筐揉秆唤瞒赛螺第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页例4：电路的参数不变，若断开Ce，静态参数（IB、 IC、VCE)，及动态参数（AV、Ri、Ro)如

49、何变化。 (1)断开Ce后，静态参数不变。（2）断开Ce后，动态参数 AV减小， Ri增大，Ro 不变。回寿骇姥适茫彻剥钞慕辙谬淑李丁劈补什妖模搀钒繁愧煌烟炉梯瘁招首巨第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页共集电极电路（1）求工作点：Q Q 叛筷绒椎喊销酗汉必述树轿惨束蜡盂侨隋拘篆眠彬刘恤洲乐叮绍孵台抓蝎第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页第 0 3 章半导体三极管及放大电路基础 8 2 页 (2)电压增益输入电压与输出电压同相电压跟随器喊酒涤右茄俐犹北岁

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