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1、råQ r大学物理下归纳总结电学基本要求：1 会求解描述静电场的两个重要物理量： 电场强度 E 和电势 V。2 掌握描述静电场的重要定理：高斯 定理和安培环路定理（公式内容及物理意 义）。3 掌握导体的静电平衡及应用；介质的极化机理及介质中的高斯定理。主要公式：一、 电场强度v1点电荷场强： E =q4pe0r2ver计算场强的方法（ 3 种）1、点电荷场的场强及叠加原理r点电荷系场强： E = i4per 3 i 0 ir连续带电体场强： E =òQrrdQ4per03v（五步走积分法） (建立坐标系、取电荷元、写 dE 、分解、积分) 2、静电场高斯定理：表达式： f
2、= eòsv vE ×dS =åe0q物理意义：表明静电场中，通过任意闭合曲面的电通量（电场强度沿任意闭合 曲面的面积分），等于该曲面内包围的电荷代数和除以 e 。0v vp0P对称性带电体场强：（用高斯定理求解） f =òE×dS=es3、利用电场和电势关系 ：二、电势电势及定义：åe0q1电场力做功： A =q DU =q00òl2l1v vE ×dl2. 静电场安培环路定理：静电场的保守性质表达式： òv v E ×dl =0l物理意义：表明静电场中，电场强度沿任意闭合路径的线积分为 0。
3、3电势：U =aòav vE ×dl (Up0=0)；电势差： DUAB=òBAv vE ×dl电势的计算：1点电荷场的电势及叠加原理点电荷电势：V =q4pe0r点电荷系电势：U =åiQi4per0 i连续带电体电势： V =òdV =òdq4pe0r（四步走积分法） (建立坐标系、取电荷元、写 dV、积分)2已知场强分布求电势： 定义法三、静电场中的导体及电介质1. 弄清静电平衡条件及静电平衡下导体的性质2. 了解电介质极化机理，及描述极化的物理量电极化强度 , 会用介质中的高斯定理，求对称或分区均匀问题中的D, E
4、, P及界面处的束缚电荷面密度s。3. 会按电容的定义式计算电容。 典型带电体系的场强均匀带电球面典型带电体系的电势均匀带电球面vE =0球面内vE =vqr4pe0r3球面外均匀带电直线均匀带电无限长直线E =l4pe0(cosq -cos1q )2无限长： E =l2per0均匀带电无限大平面均匀带电无限大平面磁学恒定磁场（非保守力场）基本要求：1熟悉毕奥-萨伐尔定律的应用，会用右手螺旋法则求磁感应强度方向；3掌握描述磁场的两个重要定理：高斯 定理和安培环路定理（公式内容及物理 意义）；并会用环路定理计算规则电流的磁感应强度；3 会求解载流导线在磁场中所受 安培力；4 理解介质的磁化机理，
5、会用介质中的环路定律计算 H 及 B.主要公式：vv våv vvvm Idl ´e0 r1毕奥-萨伐尔定律表达式 ： dB =4p r 21）有限长载流直导线，垂直距离 r 处磁感应强度： B =m I04pr(cos q -cos q ) 1 2（其中q和q分别是起点及终点的电流方向与到场点连线方向之间的夹角。） 1 2无限长载流直导线，垂直距离 r 处磁感应强度： B =m I02pr半无限长载流直导线，过端点垂线上且垂直距离 r 处磁感应强度： B =m I04pr2）圆形载流线圈，半径为 R，在圆心 O 处： B =0m I02 R半圆形载流线圈，半径为 R，在圆
6、心 O 处： B =03）螺线管及螺绕环内部磁场自己看书，把公式记住2磁场高斯定理 ：m I04 R表达式： f =òB×dS=0ms（无源场）(因为磁场线是闭合曲线 ,从闭合曲面一侧穿入,必从另一侧穿出.)物理意义：表明稳恒磁场中，通过任意闭合曲面的 磁通量（磁场强度沿任意闭 合曲面的面积分）等于 0。3磁场安培环路定理 ： òl表达式： òB×dl =m I0lv vB ×dl =m0åI（有旋场）物理意义：表明稳恒磁场中，磁感应强度 B 沿任意闭合路径的线积分，等于该 路径内包围的电流代数和的 m 倍。 m 称真空磁导
7、率0 04. 洛伦兹力及安培力vråvv(v )vòòòòòv v1）洛伦兹力： F =qv ´B（磁场对运动电荷的作用力）v2）安培力 ： F =òv vIdl ´Bv v （方向沿 Idl ´B方向，或用左手定则 判定）lv积分法五步走 :1.建坐标系;2.取电流元 Idl ;3.写 dF =IdlB sin q ;4.分解;5.积分. 3）载流闭合线圈所受磁力矩：r r Mm ´B（要理解磁矩的定义及意义）5. 介质中的磁场1）介质的磁化机理及三种磁介质2）有磁介质的安培环路定理
8、 ： òlr vH ×dl = I电磁感应基本要求：1 理解法拉第电磁感应定律和楞次定律的内容及物理意义；2 会求解感应电动势及动生电动势 的大小和方向；了解自感及互感； 3 掌握麦克斯韦方程组及意义，了解电磁波。主要公式：1法拉第电磁感应定律 ： e=-d Fd t，会用楞次定律判断感应电动势方向。2动生电动势 e=òv´B ×dl =ò(vBsin a)dl cosb×lv注：感应电动势的方向沿 v ´Bl的方向，从低电势 指向高电势。3感生电动势及感生电场 ： e=v vE ×dl =- 感L sv
9、¶B¶tv×dS;4麦克斯韦方程组及电磁波：r rE ×dl =-L Sr¶B¶tr×dS变化的磁场产生电场òòòlr r r r H ×dl = J ×dS+0L S Sr¶D¶tr×dS变化的电场产生磁场波动光学基本要求：掌握杨氏双缝干涉 、单缝衍射 、劈尖干涉、光栅衍射公式；理解光程差的含 义与半波损失发生条件及增透膜、增反膜 原理；主要公式：1光程差与半波损失光程差：几何光程乘以折射率之差： d=n r -n r 1 1 2 2半波损失
10、：当入射光从折射率较小的光疏介质 投射到折射率较大的光疏密介质表面时，反射光比入射光有p的相位突变，即光程发生 的跃变2。（若两束相干光中一束发生半波损失，而另一束没有，则附加l2的光程差；若两有或两无，则无附加光程差。）2杨氏双缝干涉：（D- 缝屏距； d-双缝间距； k-级数）条纹特征：明暗相间均匀等间距直条纹，中央为零级明纹。条纹间距 Dx与缝屏距 D 成正比，与入射光波长 l 成正比，与双缝间距 d 成反比。3会分析薄膜干涉例如增透膜增反膜，劈尖牛顿环等4单缝衍射：（f-透镜焦距；a-单缝宽度；k- 级数）条纹特征：明暗相间直条纹，中央为零级明纹，宽度是其它条纹宽度的两倍。条纹间距 D
11、l与透镜焦距 f成正比，与入射光波长 l 成正比，与单缝宽度 a成反比。5衍射光栅： （ d =a +b为光栅常数， q 为衍射角 ）*光栅方程： (a +b ) sinq=±kl,k =0,1,2 ×××0ïîï*光栅明纹公式： d sinq=kl,xk明=kfld第 K 级光谱张角： Dq=q-q2 1第 K 级光谱线宽度： Dx =x -x = f (tgq -tgq)2 1 2 1（ d sin q =kl, d sin q =kl ， l =400 nm , 紫光，l =760 nm红光) 1 1 2 2 1 2条
12、纹特征：条纹既有干涉又有衍射。6光的偏振：（ I0为入射光强度， q 为两偏振化方向夹角）*马吕斯定律：ì自然光通过偏振片 : I =I cos ïí I 偏振光通过偏振片 : I = 0 î 22q* 布儒斯特角：（ i 为入射角， g 为折射角）0当入射角满足上述条件时， 反射光为完全偏振光 ，且偏振化方向与入射面垂直；折射光为部分偏振光 ，且反射光线与折射光线垂直 ，即： i +g0量子物理基础=900主要内容：1.黑体辐射的实验规律不能从经典物理获得解释。普朗克提出了能量量子化假设，从而成功地解释了黑体辐射的实验规律，并导致了量力学的诞生和许多近
13、 代技术。量子概念： E =hn2.光电效应的实验规律无法用光的波动理论解释。爱因斯坦提出了 光子假设。用爱因斯坦方程 h= mv2/2 +w 解释了实验规律。康普顿散射也证明了光的量 子性。3.德布罗意波(物质波)假设：任何实物粒子和光子一样都具有波粒二象性。德布罗意关系式 ： lìE =mc 2 =hn ï光子：í hP =mv =î l4.波函数的统计诠释=h h ì当v <<c时, m用静质量; = =íP mv 当v »c时, m用动质量.微观粒子状态用波函数 描述，波函数 是概率幅，波函数的平方 | |2表示粒子在某点于某时刻出现的概率密度。微观粒子状态的演化用薛定谔方程描 述。5. 不确定关系 ：Dx ×Dp =h x其中 : Dp =mDvxx(h =6.63 ´10-34 ,普朗克常数)