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1、一、单选题（共 7 小题，每题 5 分）1、面心立方结构，柏氏矢量为a/2<110>，则数量为？D A、3 B、4 C、5 D、6 2、由于位错的能力（C ）于位错的柏氏矢量b2，因此有：b前?=b后?。 A、大 B、小 C、正比 D、反比 3、简单立方结构，柏氏矢量为a<100>，则数量为？C A、1 B、2 C、3 D、4 4、抽出型层错有几层？A A、1 B、2 C、3 D、4 5、如果有溶质原子存在，那么材料的强度往往都会（C ）。 A、减小 B、不变 C、增加 D、无规律 6、肖克莱位错的柏氏矢量（A ）于层位错。 A、平行 B、垂直 C、斜交 D、以上都不对
2、 7、刚球受力各项同性，那么它的畸变是（A ）。 A、球面对称 B、球面不对称 C、体对称 D、体不对称二、多选题（共 6 小题，每题 5 分）1、下列哪项的位错类型包括刃、螺、混？AB A、全位错 B、肖克莱位错 C、弗兰克位错 D、层位错 2、下列哪项为本节课题内容？ABC A、位错滑移的动力 B、位错滑移的点阵阻力 C、位错的线张力 D、位错概念的产生 3、以下哪项是科垂耳简化模型的假定？ACD A、晶体为连续弹性介质 B、晶体存在点阵缺陷 C、溶质原子为刚球 D、溶质原子所引起的畸变是球面对称的 4、在生长及冷却过程中，由于以下哪项将导致局部应力集中，从而导致位错产生？ABC A、温度
3、梯度 B、成分不均 C、晶体结构变化 D、晶体间隙 5、塞积群的长度（ ）于n，反比于t。AD A、正比 B、反比 C、b D、t 6、若（ ）和（ ）允许，溶质原子和位错将向位错附近聚集。AC A、时间 B、空间 C、温度 D、滑移力三、判断题（共 7 小题，每题 5 分）1、一般来讲，材料当中有微裂纹材料就会扩张。 对 错 2、形成堆垛层错后，仅仅改变原子间的此紧邻关系。 对 错 3、科垂耳气团使位错的运动受到限制。 对 错 4、如果堆垛层错不是发生在整个晶面上，二三终止在晶体内部，则层错与完整晶体的交界处就存在柏氏矢量b不等于点阵矢量的不全位错。 对 错 5、弗兰克不全位错能够通过点缺陷
4、的运动沿层错面进行攀移。 对 错 6、凝固时相位略有偏差的两部分晶体交会时由于原子错配而形成位错。 对 错 7、堆垛层错是指实际晶体中堆垛顺序与正常的堆垛顺序出现差异。 对 错得分：100分一、单选题（共 7 小题，每题 5 分）1、位错滑移时进一步降低阻力的方式是？ A、减小滑移力 B、增大滑移力 C、形成直线 D、形成弯结 2、如果有溶质原子存在，那么材料的强度往往都会（ ）。 A、减小 B、不变 C、增加 D、无规律 3、位错所受滑移力（ ）滑移的阻力时，位错就可移动。 A、小于 B、等于 C、大于 D、无规律 4、刚球受力各项同性，那么它的畸变是（ ）。 A、球面对称 B、球面不对称
5、C、体对称 D、体不对称 5、面心立方结构，柏氏矢量为a/2<110>，则数量为？ A、3 B、4 C、5 D、6 6、螺型位错的切应力分量只与（ ）有关。 A、r（到位错中心的距离） B、 C、Z D、Y 7、运动位错交割之后，在原来的滑移面上的是（ ）。 A、割阶 B、切割 C、扭折 D、扭曲二、多选题（共 6 小题，每题 5 分）1、以下哪项属于刃型位错应力场所具有的特点？ A、包含半原子面的晶体（y>0），xx<0，说明晶体受压应力 B、不包含半原子面的晶体（y<0），xx>0，说明晶体受拉应力 C、在滑移面上（y=0），只有切应力，没有正应力 D、
6、在滑移面上（y=0），只有正应力，没有切应力 2、位错的能力包括以下哪个部分？ A、Er B、Ec C、Ee D、Eo 3、以下哪项是科垂耳简化模型的假定？ A、晶体为连续弹性介质 B、晶体存在点阵缺陷 C、溶质原子为刚球 D、溶质原子所引起的畸变是球面对称的 4、若（ ）和（ ）允许，溶质原子和位错将向位错附近聚集。 A、时间 B、空间 C、温度 D、滑移力 5、当层错面上存在障碍时，扩展位错的宽度将会（ ），甚至（ ）成原来的全位错，成为束集。 A、缩小 B、扩大 C、收缩 D、扩展 6、微裂纹一般来讲对特定的材料（ ）一定尺寸时（ ）扩张。 A、小于 B、大于 C、容易 D、不容易三、判断题（共 7 小题，每题 5 分）1、扩展位错只能在其滑移面上整体运动。 对 错 2、形成堆垛层错后，仅仅改变原子间的此紧邻关系。 对 错 3、层错能低的金属，其扩展位错的宽度可达20-30个原子间距。 对 错 4、如果作用在位错线的力为F，并使位错位移ds，该力做功为W，则有：F=dW/ds。 对 错 5、形成溶质原子气团，即所谓的柯垂耳气团，使位错的运动受到限制。 对 错 6、体心立方结构，柏氏矢量为a/2<111>，数量为4。 对 错 7、材料当中的裂纹是普遍存在的。 对 错得分：75分6 / 6文档可自由编辑打印