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1、献给世界的圣诞礼物,晶体三极管,（一）晶体三极管的概念、分类、结构、符号及类型判断,中功率管,大功率管,（一）晶体三极管的概念、分类、结构、符号及类型判断,1、晶体管的概念 在一块硅片或者锗片上根据不同的掺杂方式制造出三个掺杂区域，并形成两个PN结，就构成了晶体三极管。晶体三极管中有两种带有不同极性电荷的载流子参与导电，故也称之为双极性晶体管。 晶体管具有放大的作用。 2、晶体管分类 按类型可分为：NPN型和PNP型,（一）晶体三极管的概念、分类、结构、符号及类型判断,3、晶体管结构,各区特点： a、发射区掺杂浓度大，以利于向基区发射载流子 b、基区很薄，掺杂浓度很低，载流子易于通过 c、集电
2、区面积很大，利于收集载流子 （PNP型的同理）,（一）晶体三极管的概念、分类、结构、符号及类型判断,提问： 图中位于左右两边的N区可以互相调换位子嘛？ 答：通过之前对内部结构的分析得出，由于各区掺杂浓度不同以及各区的特点，两个N区是不能互换的。 晶体管只能有三个引脚嘛？ 答：一般的只有三个引脚，但一些金属封装的大功率管就只有两个引脚，分别为b,e极，c极为金属外壳。 有三个引脚的就一定是晶体管嘛？ 答：不一定，比如双向二极管、可控硅等,（一）晶体三极管的概念、分类、结构、符号及类型判断,4、晶体三极管符号及类型判断,图中的箭头方向表示PN结在导通时的电流方向，据此可以判断晶体管的类型 PNP型
3、三极管发射区“发射“的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区“发射“的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。,判断下面电路中晶体管的类型,（一）晶体三极管的概念、分类、结构、符号及类型判断,（二）晶体三级管的电流放大作用,晶体三极管，是最常用的基本元器件之一，晶体三极管的作用主要是电流放大，它是电子电路的核心元件，大规模集成电路的基本组成部分也就是晶体三极管。 放大是对模拟信号最基本的处理。它能控制能量的转换，将输入的任何微小变化不失真的放大输入。,（二）晶体三级管的电流放大作用,三极管放大原理 三极管厉害的地方在于：它可以通过小电流控制大电
4、流。 即三极管放大的原理就在于：通过小的交流输入，控制大的静态直流。 切记一点：能量不会无缘无故的产生，所以，三极管一定不会产生能量。 放大的条件 内部：发射区杂质浓度远大与基区杂质浓度，且基区很薄，集电结面积大（即各区特点） 外部：发射结正偏，集电结反偏 何为发射结正偏，集电结反偏？,三极管电源的接法,（三）晶体三级管的工作电压和基本连接方式,何为发射结正偏，集电结反偏？,（三）晶体三级管的工作电压和基本连接方式,三极管在电路中的三种基本连接方式： 共射极连接法 共基极连接法 共集电极连接法,（三）晶体三级管的工作电压和基本连接方式,思考一下下图的三极管是什么类型、什么连接方式？,答：通过箭
5、头方向知道该三极管是NPN型，共射极连接 通过上图我们知道在基极发射极之间形成了一个回路，我们称之为输入回路，在集电极发射极之间形成一个回路，我们称之为输出回路。由于两个回路同用一个发射极，所以我们称这个电路为共射放大电路。 由图上我们得出若晶体管工作在放大状态的外部条件为发射结正偏，集电结反偏。由此我们得出VbbVcc,（四）三极管的输入和输出特性,一、共发射极输入特性曲线 集射极之间的电压VCE一定时，发射结电压VBE与基极电流IB之间的关系曲线。,三极管的输入特性,（四）三极管的输入和输出特性,由图可见： 1当V CE 2 V时，特性曲线基本重合 2当VBE很小时，IB等于零，三极管处于
6、截止状态 3当VBE大于门槛电压（硅管约0.5V，锗管约0.2V）时，IB逐渐增大，三极管开始导通。 4三极管导通后，VBE基本不变。硅管约为0.7V，锗管约为0.3V，称为三极管的导通电压。 5VBE与IB成非线性关系。,三极管的输入特性,（四）三极管的输入和输出特性,二、晶体三极管的输出特性曲线 基极电流一定时，集、射极之间的电压与集电极电流的关系曲线。,三极管的输出特性,（四）三极管的输入和输出特性,输出特性曲线可分为三个工作区: 1. 截止区 条件：发射结反偏或两端电压为零。 特点： 2 .饱和区 条件：发射结和集电结均为正偏。 特点： 称为饱和管压降，小功率硅管约0.3V，锗管约为0.1V。 3 .放大区 条件：发射结正偏，集电结反偏 特点： IC受IB控制 ，即 IC=IB 在放大状态，当IB一定时，IC不随VCE变化，即放大状态的三极管具有恒流特性,