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1、单片机如何匹配合适的逻辑电平一般单片机、DSP、FPGA他们之间管教能否直接相连。 一般情况下，同电压的是可以的，不过最好是要好好查查技术手册上的VIL，VIH，VOL，VOH的值，看是否能够匹配（VOL要小于VIL，VOH要大于VIH，是指一个连接当中的）。有些在一般应用中没有问题，但是参数上就是有点不够匹配，在某些情况下可能就不够稳定，或者不同批次的器件就不能运行。常用的逻辑电平有TTL、CMOS、LVTTL、ECL、PECL、GTL；RS232、RS422、LVDS等。其中TTL和CMOS的逻辑电平按典型电压可分为四类：5V系列（5V TTL和5V CMOS）、3.3V系列，2.5V系列
2、和1.8V系列。5V TTL和5V CMOS逻辑电平是通用的逻辑电平。3.3V及以下的逻辑电平被称为低电压逻辑电平，常用的为LVTTL电平。输入高电平（Vih）：保证逻辑门的输入为高电平时所允许的最小输入高电平，当输入电平高于Vih时，则认为输入电平为高电平。输入低电平（Vil）：保证逻辑门的输入为低电平时所允许的最大输入低电平，当输入电平低于Vil时，则认为输入电平为低电平。输出高电平（Voh）：保证逻辑门的输出为高电平时的输出电平的最小值，逻辑门的输出为高电平时的电平值都必须大于此Voh。输出低电平（Vol）：保证逻辑门的输出为低电平时的输出电平的最大值，逻辑门的输出为低电平时的电平值都必
3、须小于此Vol。阀值电平（Vt）：数字电路芯片都存在一个阈值电平，就是电路刚刚勉强能翻转动作时的电平。它是一个界于Vil、Vih之间的电压值，对于CMOS电路的阈值电平，基本上是二分之一的电源电压值，但要保证稳定的输出，则必须要求输入高电平 Vih，输入低电平TTL：Transistor-Transistor Logic 三极管结构。Vcc：5V；VOH=2.4V；VOL=0.5V；VIH=2V；VIL=0.8V。因为2.4V与5V之间还有很大空闲，对改善噪声容限并没什么好处，又会白白增大系统功耗，还会影响速度。所以后来就把一部分“砍”掉了。也就是后面的LVTTL。LVTTL又分3.3V、2.
4、5V以及更低电压的LVTTL（Low Voltage TTL）。3.3V LVTTL：Vcc：3.3V；VOH=2.4V；VOL=0.4V；VIH=2V；VIL=0.8V。2.5V LVTTL：Vcc：2.5V；VOH=2.0V；VOL=0.2V；VIH=1.7V；VIL=0.7V。更低的LVTTL不常用就先不讲了。多用在处理器等高速芯片，使用时查看芯片手册就OK了。TTL使用注意：TTL电平一般过冲都会比较严重，可能在始端串22欧或33欧电阻； TTL电平输入脚悬空时是内部认为是高电平。要下拉的话应用1k以下电阻下拉。TTL输出不能驱动CMOS输入。CMOS：Complementary Me
5、tal Oxide Semiconductor PMOS+NMOS。Vcc：5V；VOH=4.45V；VOL=0.5V；VIH=3.5V；VIL=1.5V。相对TTL有了更大的噪声容限，输入阻抗远大于TTL输入阻抗。对应3.3V LVTTL，出现了LVCMOS，可以与3.3V的LVTTL直接相互驱动。3.3V LVCMOS：Vcc：3.3V；VOH=3.2V；VOL=0.1V；VIH=2.0V；VIL=0.7V。2.5V LVCMOS：Vcc：2.5V；VOH=2V；VOL=0.1V；VIH=1.7V；VIL=0.7V。CMOS使用注意：CMOS结构内部寄生有可控硅结构，当输入或输入管脚高于V
6、CC一定值（比如一些芯片是0.7V）时，电流足够大的话，可能引起闩锁效应，导致芯片的烧毁。TTL电平与CMOS电平的区别（一）TTL高电平3.65V，低电平0V2.4VCMOS电平Vcc可达到12VCMOS电路输出高电平约为0.9Vcc，而输出低电平约为0.1Vcc。CMOS电路不使用的输入端不能悬空，会造成逻辑混乱。TTL电路不使用的输入端悬空为高电平另外，CMOS集成电路电源电压可以在较大范围内变化，因而对电源的要求不像TTL集成电路那样严格。用TTL电平他们就可以兼容（二）TTL电平是5V，CMOS电平一般是12V。因为TTL电路电源电压是5V，CMOS电路电源电压一般是12V。5V的电
7、平不能触发CMOS电路，12V的电平会损坏TTL电路，因此不能互相兼容匹配。（三）TTL电平标准输出 L： 0.4V ； H：2.4V。输入 L： 0.8V ； H：2.0VTTL器件输出低电平要小于0.4V，高电平要大于2.4V。输入，低于0.8V就认为是0，高于2.0就认为是1。CMOS电平：输出 L： 0.1*Vcc ； H：0.9*Vcc。输入 L： 0.3*Vcc ； H：0.7*Vcc.以下的内容作为了解：ECL：Emitter Coupled Logic 发射极耦合逻辑电路（差分结构）Vcc=0V；Vee：-5.2V；VOH=-0.88V；VOL=-1.72V；VIH=-1.24
8、V；VIL=-1.36V。速度快，驱动能力强，噪声小，很容易达到几百M的应用。但是功耗大，需要负电源。为简化电源，出现了PECL（ECL结构，改用正电压供电）和LVPECL。PECL：Pseudo/Positive ECLVcc=5V；VOH=4.12V；VOL=3.28V；VIH=3.78V；VIL=3.64VLVPELC：Low Voltage PECLVcc=3.3V；VOH=2.42V；VOL=1.58V；VIH=2.06V；VIL=1.94VECL、PECL、LVPECL使用注意：不同电平不能直接驱动。中间可用交流耦合、电阻网络或专用芯片进行转换。以上三种均为射随输出结构，必须有电阻
9、拉到一个直流偏置电压。（如多用于时钟的LVPECL：直流匹配时用130欧上拉，同时用82欧下拉；交流匹配时用82欧上拉，同时用130欧下拉。但两种方式工作后直流电平都在1.95V左右。）前面的电平标准摆幅都比较大，为降低电磁辐射，同时提高开关速度又推出LVDS电平标准。LVDS：Low Voltage DifferenTIal Signaling差分对输入输出，内部有一个恒流源3.5-4mA，在差分线上改变方向来表示0和1。通过外部的100欧匹配电阻（并在差分线上靠近接收端）转换为350mV的差分电平。LVDS使用注意：可以达到600M以上，PCB要求较高，差分线要求严格等长，差最好不超过10
10、mil（0.25mm）。100欧电阻离接收端距离不能超过500mil，最好控制在300mil以内。下面的电平用的可能不是很多，篇幅关系，只简单做一下介绍。如果感兴趣的话可以联系我。CML：是内部做好匹配的一种电路，不需再进行匹配。三极管结构，也是差分线，速度能达到3G以上。只能点对点传输。GTL：类似CMOS的一种结构，输入为比较器结构，比较器一端接参考电平，另一端接输入信号。1.2V电源供电。Vcc=1.2V；VOH=1.1V；VOL=0.4V；VIH=0.85V；VIL=0.75VPGTL/GTL+：Vcc=1.5V；VOH=1.4V；VOL=0.46V；VIH=1.2V；VIL=0.8VHSTL是主要用于QDR存储器的一种电平标准：一般有VCCIO=1.8V和VCCIO=1.5V。和上面的GTL相似，输入为输入为比较器结构，比较器一端接参考电平（VCCIO/2），另一端接输入信号。对参考电平要求比较高（1%精度）。SSTL主要用于DDR存储器。和HSTL基本相同。VCCIO=2.5V，输入为输入为比较器结构，比较器一端接参考电平1.25V，另一端接输入信号。对参考电平要求比较高（1%精度）。HSTL和SSTL大多用在300M以下。