《[电子标准]-SJT 10060-1991 电子元器件详细规范 2CZ117型环境额定硅整流二极管1.pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《[电子标准]-SJT 10060-1991 电子元器件详细规范 2CZ117型环境额定硅整流二极管1.pdf（9页珍藏版）》请在三一文库上搜索。
1、Si 中华人民共和国电子工业行业标准 s J / r 1 0 0 5 8 .1 0 0 6 0 -9 1 电子元器件详细规范 2 c z 1 0 3 , 1 1 6 , 1 1 7 型环境额定 硅整流二极管 1 9 9 1 - 0 4 - 0 8 发布 1 9 9 1 - 0 7 - 0 1实施 中华人民共和国机械电子工业部发布 中华人民共和国电子工业行业标准 电子元器件详细规范 2 C Z 1 1 7型环境额定硅整流二极管 s J / T 1 0 0 6 0 -9 1 De t a i l s p e c i f i c a t i o n f o r e l e c t r o n i c
2、 c o mp o n e n t s A mb i e n t -r a t e d s i l i c o n r e c t i f i e r d i o d e f o r t y p e 2 C Z 1 1 7 本标准适用于 2 C Z 1 1 7 型环境额定硅整流二极管， 它是按照G B 6 3 5 1 ( 1 0 0 A以下环境和 管壳额定整流二极管( 包括雪崩整流二极管) 空白详细规范 标准制订的， 符合 G B 4 5 8 9 . 1 半 导体器件分立器件和集成一电路总规范)I 类的要求。 中华人民共和国机械电子工业部 1 9 9 1 - 0 4 - 0 8批准 1 9 9
3、 1 - 0 7 - 0 1实施 一1 7 一 S 7 / T 1 0 0 6 0 - 9 1 中华人民共和国机械电子工业部 评定器质f的根据 G B 4 5 8 9 . 1 半导体器件 分立 器件和集成电路总规范) , G B 1 2 5 6 0 半导体器件分 立器件分规范 . S J / T 1 0 0 6 0 -9 1 2 C Z 1 1 7 型硅整流二极管详细规范 订货资料: 见本规范第7 章. 1 机械说明 一军 开三 axO 7.62 2 简略说明: 环境额定整流二极管 半导体材料: 硅 封装 玻璃钝化( 非空腔) 封装。 应用: 在电子设备中作整流用。 L, 土且 L, 一十f
4、l 比五仁 胜 日 匕斗一L 。 曰1 乡巧卜叫 卜寸一 ， 3 质量评定类别 Q类 参考数据: f R 芝 mmno mmaXVc wM 夕 ( V)l eu v,( A ) Vr M ( V ) “ b a 1 . 4 21 . 72 1 0 0 - 4 0 051 . 6 5 D 3 . 5 75 . 7 2 G4 . 1 07 . 6 2 L2 2 . 8 63 3 . 0 0 L, 1 . 5 0 L,1 6 . 0 0 s J / T 1 0 0 6 0 -9 1 4 极限值( 绝对最大额定值) 除非另有规定， 这些极限值在整个工作温度范围内适用。 条文号名称符号 数值 单位 最小
5、值最大值 4 .1 4 . 2 4 . 3 4 . 4 4 . 4 .1 4. 4. 2 4 . 4 . 3 4 . 5 4 . 5 . 1 4 . 5 . 5 工作环境温度 贮存温度 有效结温 电压 反向重复峰值电压 2 CZ 1 1 7 C 2 CZ 1 1 7 D 2 CZ 1 1 7E 2 CZ 1 1 7 F 反向工作峰值电压 2 CZ 1 1 7 C 2 CZ 1 1 7 D 2 CZ 1 1 7艺 2 CZ 1 1 7 F 反向不重复峰值电压 2 CZ 1 1 7 C 2 CZ 1 1 7 D 2 CZ 1 1 7 F 2 CZ 1 1 7 F 电流 在规定的转折点温度Tb re
6、 a k 下的平均正向电流 在单相电路中， 电阻性负载的条件下， 正弦波 的导通角1 8 0 。 时 正向( 不重复) 浪涌电流 在最大平均正向电流下连续工作之后加的正 弦半波 1 6 .5 或 I R 1 0 0 0 V WA 0 . 7 A2 6分组 正向峰值电压 反向峰值电流 V柑 1 - GB 4 0 2 3 W-1 - 2 . 3 GB 4 0 2 3 W - 1 - 4 . 3 I n , =1 5 A Vx=V- ( 正弦半波 S O H . ) 1 .1 6 51 0 V 拜A 3 B组 逐批 只有标明( D) 的试验是破坏性的( 3 . 6 . 6 ) 检脸或试验符号引 用
7、标 准 条件 除非另有规定 1、 m b =2 5 检 验 要 求 极限 单位LTPD 最小值最大值 B1分组 尺寸 4 . 2 . 2 4 刀. G 1 5 B 3 分组 引线弯曲( D)GB 4 9 3 7 “ 2 . 1 . 2 方法 1 受试引出端数: 2 外加力 2 0 N 无报坏 1 5 1 分组 可焊性 GB 4 9 3 7 . 2 .2 .1 方法 b 润 湿良好 1 5 B 5分组 温度变化 继之以 文变湿热( D ) 最后侧试 GB 4 9 3 7, 3 . 1 . 2 G B 2 4 2 3 . 4 “ 两槽法 严格度: 2 严格度5 5 C, 2 d 2 0 一21 S
8、 I / T 1 0 0 6 0 -9 1 续表 注: 1 ) GB 4 9 3 7 半导体分立器件机械和气候试验方法 . 2 ) GB 2 4 2 3 . 4 电工电子产品基本环境试验规程 试验 D b交变湿热试验方法 。 3 ) G B 4 9 3 8 半导体分立器件接收和可靠性 . C组周期 只有标明( D) 的试验是破坏性的( 3 . 6 . 6 ) 检验或试验符号 引 用 标 准 条件 除非另有规定 了. . b =2 5 C 检 脸 要 求 极限 单位LT P D 最小值最大值 cl 分组 尺寸 4. 2. 2 全部尺寸 3 0 C2 b分组 反向峰值电流l . -GB 4 0 2
9、3 W- 1 - 4. 3 V =VR I I ( 正弦半波 5 0 H . ) ; T. .b =1 4 0C 1 0 0 护A 1 5 C 2 c 分组 正向浪涌电流 T. . b =4 0 C + 1 . . M=1 05 A r 1 5 一22 一 S J / T 1 0 0 6 0 - 9 1 续表 检验或试验符号引 用 标 准 条件 除非另有规定 T. .b =2 5C 检 脸 要 求 极限 单 位L T P D 最小值最大值 最后侧试 正向峰值电压 反向峰值电优V -1- GB 4 0 2 3 W - 1 . 2 . 3 W - 1 . 4 . 3 周波数与浪涌数均为1 次 I,
10、 =1 5 A Vx =Vx x r ( 正弦半波 5 0 H . ) 1 .1 6 51 0 V 产A C 4 分组 耐焊接热( D) 最后侧试 正向峰值电压 反向峰值电流 V- I - GB 4 9 3 72 . 2 . 2 GB 4 0 2 3 几-1 . 2 . 3 GB 4 0 2 3 柑 - 1 - 4 . 3 方法 I A I f , , =1 5 A Vx =VR R M ( 正弦半波 5 0 H . ) 1 . 6 5 1 0 V 产 A 1 5 C7分组 交变湿热( D 最后测试 正向峰值电压 反向峰值电流 V I x r , GB 2 4 2 3 . 4 GB 4 02
11、3 W- 1 - 2 . 3 GB 4 0 2 3 N- 1 - 4 . 3 严格度: 5 5 C, 6 d I -=1 5 A V x =V. . r ( 正弦半波 5 0 H. ) 1 . 8 1 2 0 V 卜A 2 0 C8分组 电耐久性 最后测试 正向峰值电压 反向峰值电流 Vr M I R, GB 4 9 3 8 GB 4 0 2 3 W- 1 - 2 . 3 GB 4 02 3 川 - 1 . 4 3 工作寿命， VR =VR R M t I F=4 A ; t = 3 0 0 0 1 1 , 试验时夹在距管体 1 。 一1 5 . m处并安装必 要的散热装置 I , -=1 S
12、 A VR =VH 公 M ( 正弦半波 5 0 H . ) 1 . 8 1 2 0 1 O V 产 A C 9分组 高温贮存( D ) 最后侧试 正向峰值电压 反向峰值电流 V- I R S G B 49 3 7 3. 2 GB 4 02 3 N- 1 . 2 。 3 GB 4 0 2 3 W-1 - 4 . 3 了 T. ,e -1 S 0 C t t =3 0 0 0 h I - =1 5 A V =V- ( 正弦半波 5 0 H . ) 1 . 8 1 2 0 V 产 A 1 s C R R L分组 C 4 , C 7 , C8 和C9 的属性资料 一23 一 S J / T 1 0 0 6 0 -9 1 D组鉴定批准试验 ( 不要求 ) 1 0 附加资料 1 0 . 1 温度降额曲线: f r u v i I ( A ) T - ( ) 附加说明: 本标准由机械电子工业部八七三厂负贵起草。 本标准主要起草人: 张晓彦刘东才